CIP-2021 : H01L 31/109 : siendo la barrera de potencial del tipo heterounión PN.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/109 · · · · · siendo la barrera de potencial del tipo heterounión PN.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Detector de radiación semiconductor optimizado para detectar luz visible.

(19/11/2015) Un dispositivo detector de radiación semiconductor, que comprende una capa de volumen de material semiconductor, y sobre una primera superficie de la capa de volumen en el siguiente orden: - una capa de compuerta interna modificada de semiconductor del segundo tipo de conductividad, - una capa de barrera de semiconductor del primer tipo de conductividad y - dopadores de pixel de semiconductor del segundo tipo de conductividad, adaptados para ser acoplados a por lo menos un pixel de voltaje, con el objeto de crear los pixeles que corresponden a los dopadores de pixel, caracterizado porque: - el dispositivo comprende un primer contacto de un primer tipo de conductividad, dicho pixel de voltaje siendo definido como una diferencia de potencial entre el dopador de pixel y el primer contacto, -…