CIP-2021 : H01L 31/101 : Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/101 · · · Dispositivos sensibles a la radiación infrarroja, visible o ultravioleta.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Transistor de efecto fotovoltaico y motor fotovoltaico de potencia aumentada asociado.
(07/02/2019). Solicitante/s: SAUREA. Inventor/es: COTY,ALAIN.
Transistor de efecto fotovoltaico , apto para conmutar una corriente de gran amplitud, que comprende:
- una célula fotovoltaica provista de un cátodo y de un ánodo conectados por una unión , así como una superficie de irradiancia (S),
- estando sometida dicha célula fotovoltaica a una tensión (Va), estando conectado el nivel de tensión más alto (Va+) al cátodo y estando conectado el nivel de tensión más bajo (Va-) al ánodo ,
- unos medios para hacer circular una corriente (Ic) por una carga (Rc) conectada a dicha célula fotovoltaica , siendo dicha corriente (Ic) proporcional a una irradiancia (Pe) de dicha célula fotovoltaica , al área de una superficie irradiada (St) de la superficie de irradiancia (S) y a un factor (b) que traduce el rendimiento de dicha célula fotovoltaica bajo una irradiancia de referencia cuando se irradia toda su superficie de irradiancia (S), estando colocada dicha célula fotovoltaica entre el generador de tensión (Va) y la carga (Rc).
PDF original: ES-2699095_T3.pdf
Dispositivo de silicio para la detección de radiación visible e infrarroja a temperatura ambiente.
(29/09/2015) Dispositivo de silicio para la detección de radiación visible e infrarroja a temperatura ambiente. La presente invención se refiere a un dispositivo con tres capas: dos semiconductores, y , y una capa intermedia aislante que están basadas en silicio cristalino. La implantación de impurezas con una concentración que supera la solubilidad sólida de dicha impureza en silicio confiere al dispositivo la capacidad de detectar radiación infrarroja a temperatura ambiente. La invención también se refiere al método para fabricar el dispositivo de la invención, que incluye técnicas de fabricación fuera del equilibrio termodinámico.
Reactivos de inmunoanálisis y procedimientos de uso de los mismos.
(17/09/2014) Un procedimiento de detección de dos o más antígenos en una muestra, que comprende:
(i) poner en contacto simultáneamente una muestra, que previamente se ha puesto en contacto simultáneamente con un cóctel de anticuerpos primarios que comprende al menos un primer anticuerpo primario y al menos un segundo anticuerpo primario en una disolución acuosa tamponada para el cóctel de anticuerpos primarios, con una composición que comprende al menos un primer anticuerpo secundario y al menos un segundo anticuerpo secundario para formar al menos dos complejos de antígeno-anticuerpo en la muestra, en el que el al menos un primer anticuerpo secundario se acopla con un resto de poli(fosfatasa alcalina) (poli-ALP) y el al menos un segundo anticuerpo secundario se acopla con un resto de poli(peroxidasa de rábano picante) (poli-HRP),…
DETECTOR DE RADIACION ELECTROMAGNETICA ASISTIDO POR CORRIENTE DE PORTADORES MAYORITARIOS.
(24/05/2010) Un dispositivo detector para la detección de radiación electromagnética incidente sobre un sustrato , generando la radiación electromagnética incidente pares de portadores mayoritarios (h+) y minoritarios (e-) en el sustrato , comprendiendo el dispositivo detector
al menos una región fuente de corriente y al menos una región de drenaje de corriente ,
medios para generar una corriente de portador mayoritario en el sustrato , entre la al menos una región fuente de corriente y la al menos una región de drenaje de corriente , estando la corriente de portador mayoritario asociada a un campo eléctrico, y
al menos una zona de agotamiento de una unión…
FOTODETECTOR DE HETEROESTRUCTURA MULTIPLE.
(01/01/1994) Un fotodetector de infrarrojos que comprende una estructura semiconductora multicapa que tiene una pluralidad de secciones dispuestas sucesivamente, cada una de las cuales tiene tres capas respectivas (por ejemplo, 14A,14B,14C para la sección 14), consistiendo las tres capas en una capa central (14B) de tipo n residual absorbente, de banda prohibida relativamente estrecha, dispuesta entre dos capas exteriores (14A, 14C) transmisoras, de banda prohibida relativamente ancha, dopadas con impurezas de tipo n y de tipo p, respectivamente, siendo la capa central (14B) suficientemente delgada para presentar extracción de portadores minoritarios en todo su espesor cuando está polarizada,…
UN CONVERTIDOR DE ENERGIA LUMINOSA -ELECTRICA.
(01/05/1987). Solicitante/s: DR.ALVIN M.MARKS.
CONVERTIDOR DE ENERGIA LUMINOSA/ELECTRICA. COMPRENDE: UNA ESTRUCTURA DE ELECTRODO INTERCALADA SOBRE LA LAMINA QUE PUEDE ESTAR ESTRATIFICADA A UNA LAMINA DE SOPORTE ; UN RAYO DE LUZ A LO LARGO DEL EJE Z O FORMANDO UN ANGULO CON EL MISMO QUE INCIDE SOBRE LA LAMINA ; CONDUCTORES (41, 42, 41K, 42K) CONECTADOS A BARRAS CONDUCTORAS QUE A SU VEZ ESTAN CONECTADAS A CONECTORES ; Y UNA CARGA CONECTADA ENTRE LOS TERMINALES; HABIENDOSE PREVISTO QUE LOS CONDUCTORES ESTAN EN CONTACTO, DENTRO DEL MEDIO, CON LAS HILERAS DE DIPOLO ORIENTADAS.TIENE UTILIDAD PARA CONVERTIR ENERGIA LUMINOSA EN ENERGIA ELECTRICA.
UNA ESTRUCTURA DE DIODO-POZO DE POTENCIAL SUBMICROMETRICA PARA EL INTERCAMBIO DE ENERGIA FOTONICA Y ENERGIA ELECTRONICA.
(01/03/1987). Solicitante/s: DR.ALVIN M.MARKS.
ESTRUCTURA DE DIODO-POZO DE POTENCIAL SUBMICROMETRICA PARA EL INTERCAMBIO DE ENERGIA FOTONICA Y ENERGIA ELECTRONICA. CONSTA DE UN PRIMER CILINDRO HECHO DE UN DETERMINADO METAL; DE UN SEGUNDO CILINDRO HECHO A PARTIR DE UN SEGUNDO METAL; DE UN SUSTRATO AISLANTE SITUADO ENTRE AMBOS CILINDROS COAXIALES; Y DE DOS TERMINALES A TRAVES DE LOS CUALES SE APLICA UNA CORRIENTE ALTERNA. LOS CITADOS PRIMER Y SEGUNDO CILINDROS ESTAN DEPOSITADOS SOBRE UNA SUPERFICIE ADECUADA. EN EL PRIMER CILINDRO EXISTEN MEDIOS PARA PRODUCIR UN PRIMER ELECTRON ENERGETICO, EL CUAL SE DESPLAZA A LO LARGO DEL EJE DE DICHO CILINDRO.