CIP-2021 : H01L 31/0272 : Selenio o teluro.

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H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/0272 · · · · Selenio o teluro.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

SISTEMAS Y MÉTODOS PARA FORMAR CÉLULAS SOLARES CON PELÍCULAS DE CuInSe2 y Cu(In,Ga)Se2.

(27/01/2015) Se proporcionan sistemas y métodos para formar células solares con películas de CuInSe2 y Cu(In,Ga)Se2. En una realización, un método comprende: durante una primera etapa , realizar un transporte en masa a través del transporte de vapor de un vapor de cloruro de indio (InClx) y vapor de Se para depositar una película semiconductora sobre un substrato ; calentar el substrato y la película semiconductora hasta una temperatura deseada ; durante una segunda etapa después de la primera etapa , realizar un transporte en masa a través del transporte de vapor de un vapor de cloruro de cobre (CuClx) y vapor de Se a la película semiconductora ; y durante una tercera etapa después de la segunda etapa , realizar un transporte en masa a través del transporte de vapor de un vapor de cloruro de indio (InClx) y vapor de Se …

Célula solar de película delgada y método de fabricación.

(27/11/2013) Una célula solar de película delgada que comprende un sustrato y un absorbente de calcopirita, en laque se proporciona un contacto posterior de material compuesto entre el sustrato y el absorbente de calcopirita, caracterizada por que dicho contacto posterior de material compuesto comprende: una capa reflectora posterior formada por ZrN y, una capa de contacto que se proporciona entre la capa reflectora posterior y el absorbente ,capa de contacto que se forma de un seleniuro o sulfuro de un elemento metálico elegido del grupo IVB del sistemaperiódico, o grupo VB del sistema periódico, o grupo VIB del sistema periódico, o grupo VIIB del sistema periódico

Formación de células solares sobre sustratos de lámina metálica.

(16/05/2012) Método para formar una capa absorbente de un dispositivo fotovoltaico CIGS , que comprende las etapas de: formar una capa absorbente incipiente sobre un sustrato de lámina metálica; utilizar un sistema rollo a rollo para transportar 5 el sustrato a través de un horno; calentar la capa absorbente incipiente y/o el sustrato a una distancia comprendida entre 3,175 mm (1/8") y 25,4 mm (1") respecto de una superficie de la capa absorbente incipiente y/o del sustrato en el horno y en un gas de H2Se, un gas de H2S o en un vapor del grupo VIA.

PROCESO DE ACTIVACION DE FOTOCATODOS CON TELURURO DE CESIO.

(01/07/1992). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD AUTONOMA DE MADRID. Inventor/es: GALAN ESTELLA,LUIS, SORIANO DE ARPE, LEONARDO.

PROCESO DE ACTIVACION DE TOFOCATODOS CON TELURURO DE CESIO, QUE DETERMINA UNA ALTERNATIVA A LA ACTIVACION CON OXIDOS DE CESIO, TANTO PRA FOTOCATODOS DE ANTIMONIUROS DE METALES ALCALINOS COMO DE COMPUESTOS III-V. EL PROCESO PROPUESTO CONSISTE EN QUE, UNA VEZ ACABADA LA FABRICACION DE LA PELICULA DE MATERIAL SEMICONDUCTOR QUE VA A CONSTITUIR EL FOTOCATODO, SE LE EVAPORA CESIO Y TELURO EN PASOS ALTERANTIVOS (CS, TE, CS), HASTA OBTENER UN MAXIMO EN LA FOTOEMISION. LA SUPERFICIE DE TELURURO DE CESIO ASI FORMADA PRODUCE UNA ESTRUCTURA ELECTRONICA ADECUADA PARA LA FOTOEMISION E INCLUSO PUEDE PRODUCIR AFINIDAD ELECTRICA EFECTIVA NEGATIVA.