CIP-2021 : H01L 31/032 : comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas,
únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).
H01L 31/032 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Dispositivo fotovoltaico con un conjunto de fibras para seguimiento del sol.
(06/05/2020). Solicitante/s: FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES. Inventor/es: RODRIGUEZ MARTINEZ,FRANCISCO J, ROMERO GOMEZ,PABLO, MARTORELL PENA,JORDI, MARIANO JUSTE,MARINA.
Un dispositivo fotovoltaico que comprende:
una célula solar que comprende una capa activa que reside entre la primera capa de contacto eléctrico transmisora de luz en el lado destinado a enfrentarse los rayos solares y una segunda capa de contacto eléctrico y un cuerpo unitario que consiste en un conjunto de fibras ópticas paralelas cilíndricas y transparentes de igual diámetro colocadas una al lado de la otra y fusionadas entre sí, en dirección transversal de las fibras , en el que la célula solar es una película delgada depositada en el conjunto y estando el conjunto en la parte superior de la célula solar, en el lado de la célula solar destinado enfrentarse a los rayos solares, y en el que la primera capa de contacto eléctrico transmisora de luz está en contacto directo con la superficie exterior cilíndrica de las fibras ópticas transparentes en el conjunto.
PDF original: ES-2806030_T3.pdf
Procedimiento para fabricar una película delgada a base de CI(G)S fotovoltaica mediante el uso de un fundente con un punto de fusión bajo.
(06/05/2020). Solicitante/s: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH. Inventor/es: PARK,SANG HYUN, EO,YOUNG-JOO, YOON,KYUNG-HOON, AHN,SEJIN, GWAK,JIHYE, YUN,JAE-HO, CHO,ARA, SHIN,KEE-SHIK, AHN,SEOUNGKYU, CHO,JUN-SIK, YOO,JIN-SU, PARK,JOO-HYUNG.
Un procedimiento de fabricación de una película delgada a base de CI(G)S para una celda solar mediante el uso de un fundente que tiene un punto de fusión bajo, comprendiendo el procedimiento las etapas de:
(a) preparar nanopartículas a base de CI(G)S;
(b) preparar una suspensión que contiene las nanopartículas a base de CI(G)S y un fundente que tiene un punto de fusión de 30 a 400 °C;
(c) recubrir la suspensión sobre un sustrato sin vacío para formar una película delgada precursora a base de CI(G)S;
(d) secar la película delgada precursora a base de CI(G)S; y
(e) realizar un tratamiento térmico de selenización de la película delgada precursora a base de CI(G)S mediante el uso de vapor de selenio (Se) a una temperatura de 250 a 450 °C durante 30-120 minutos, caracterizado porque el fundente es uno cualquiera seleccionado del grupo que consiste en sulfamida, selenato de sodio decahidratado, selenito de sodio y ácido sulfámico.
PDF original: ES-2805312_T3.pdf
Nanopartículas de calcogenuro metálico para preparar una capa de absorción de luz de una célula solar, y método de preparación para esto.
(15/01/2020). Solicitante/s: LG CHEM LTD.. Inventor/es: PARK,EUN-JU, LEE,HOSUB, YOON,SEOKHYUN, YOON,SEOKHEE.
Nanopartículas de calcogenuro metálico usadas para formar capas de absorción de luz de células solares que comprenden dos fases seleccionadas de una primera fase que comprende un calcogenuro que contiene zinc (Zn), una segunda fase que comprende un calcogenuro que contiene estaño (Sn) y una tercera fase que comprende un calcogenuro que contiene cobre (Cu),
en las que las dos fases comprenden la primera fase y la segunda fase, o
las dos fases comprenden la segunda fase y la tercera fase; y
las dos fases se distribuyen de manera uniforme en una nanopartícula de calcogenuro metálico.
PDF original: ES-2772177_T3.pdf
Disposición, sistema y procedimiento para el procesamiento de cuerpos multicapa.
(04/12/2019). Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Inventor/es: JOST, STEFAN, PALM,JÖRG, FÜRFANGER,MARTIN.
Disposición de cuerpos multicapa (28a a 28e), que comprende
- al menos dos cuerpos multicapa , cada uno de los cuales tiene al menos una superficie a procesar,
- al menos un dispositivo (30a a 30g) para el posicionamiento de los cuerpos multicapa , donde el dispositivo (30a a 30g) está diseñado de tal manera que las superficies a procesar en cada caso se encuentren opuestas entre sí, caracterizada por que forman así un espacio de procesamiento casi cerrado (21') dispuesto entre las superficies , en el que tiene lugar el procesamiento, donde casi cerrado describe un espacio de procesamiento que está abierto en el borde y en el que, durante el período del procesamiento de los cuerpos multicapa no se produce prácticamente ningún intercambio de gases entre el espacio de procesamiento y sus alrededores, de modo que no se produce ningún cambio significativo en las condiciones del proceso en el espacio de procesamiento.
PDF original: ES-2774920_T3.pdf
Sistema de capas para células solares de película delgada con una capa de amortiguación de naxinisyclz.
(13/11/2019). Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Inventor/es: JOST, STEFAN, DALIBOR,THOMAS, PALM,JÖRG, HAPP,THOMAS, POHLNER,STEPHAN, DIETMÜLLER,ROLAND.
Sistema de capas para células solares de película delgada , que comprende:
- una capa de absorción que contiene un semiconductor compuesto de calcogenuro,
- una capa de amortiguación , que está dispuesta sobre la capa de absorción , en el que la capa de amortiguación contiene NaxIn1SyClz con
0,05 ≤ x < 0,2 o 0,2 < x ≤0,5,
0,6 ≤ x/z ≤ 1,4
y
1 ≤ y ≤ 2
en el que la capa de amortiguación contiene una proporción de oxígeno ≤ 10 % atómico y/o una proporción de cobre ≤ 10 % atómico,
en el que la capa de amortiguación contiene proporciones de otros elementos además del sodio, cloro, indio, azufre, oxígeno y cobre de ≤ 1% atómico.
PDF original: ES-2772449_T3.pdf
Sistemas de capas para células solares.
(25/09/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Inventor/es: PALM,JÖRG.
Sistema de capas para células solares de película delgada, que comprende una capa absorbente y una primera capa amortiguadora , estando formada la capa absorbente basándose en un material semiconductor compuesto de Cu(In,Ga)(S1-y,Sey)2, siendo 0 ≤ y ≤ 1, siendo la primera capa amortiguadora amorfa y comprendiendo la primera capa amortiguadora In2(S1-x,Sex)3+δ, siendo 0 ≤ x ≤ 1, caracterizado por que el desvío δ de la estequiometría se encuentra entre -0,2 y 0, y la relación de las concentraciones molares [S]/([Se]+[S]) en la superficie de la capa absorbente dirigida hacia la primera capa amortiguadora es de 20 % a 60 % y disminuye a valores de 5 % a 10 % en el interior de la capa absorbente.
PDF original: ES-2763159_T3.pdf
Nanocomposite fotovoltaico que comprende nano-heterouniones en volumen inorgánicas procesadas en solución, célula solar y dispositivos de fotodiodo que comprenden el nanocomposite.
(19/06/2019). Solicitante/s: FUNDACIÓ INSTITUT DE CIÈNCIES FOTÒNIQUES. Inventor/es: Martínez Montblanch,Luis, KONSTANTATOS,Gerasimos, RATH,ARUP KUMAR, BERNECHEA NAVARRO,MARIA.
Un nanocomposite fotovoltaico que comprende una película de materiales semiconductores procesados en solución que comprenden un material de tipo-n seleccionado entre puntos cuánticos de tipo-n y nanocristales de tipo-n, y un material de tipo-p seleccionado entre puntos cuánticos de tipo-p y nanocristales de tipo-p, en el que el material de tipo-n tiene un nivel de banda de conducción al menos igual, en comparación con un nivel de vacío, al del material de tipo-p ,
el material de tipo-p tiene una banda de valencia como máximo igual, en comparación con un nivel de vacío, a la del material de tipo-n ,
al menos una porción del material de tipo-n y al menos una porción del material de tipo-p están presentes en una capa de nanocomposite binario con nano-heterounión en volumen que comprende una mezcla de material de tipo-n y material de tipo-p.
PDF original: ES-2746262_T3.pdf
Método de fabricación de las nanopartículas de CI(G)S para la fabricación de capas absorbentes de luz, y de las nanopartículas de CI(G)S fabricadas con las mismas.
(19/02/2019) Un método para preparar nanopartículas de CI(G)S que forman una capa de absorción de luz de células solares, el método comprende:
disolver al menos una fuente del Grupo VI seleccionada del grupo que consiste en compuestos que comprenden azufre (S), selenio (Se), o una combinación de los mismos, y una sal de indio (In) en un disolvente para preparar una primera solución;
calentar la primera solución durante 1 a 4 horas a una temperatura de 130 a 170 °C para hacer reaccionar la fuente del Grupo VI y la sal de indio (In) en la solución para formar las primeras partículas precursoras;
disolver una sal de cobre (Cu) en un disolvente para preparar una segunda solución;
mezclar la segunda solución con la primera solución después de la…
Empleo de vidrios para aplicaciones fotovoltaicas.
(30/01/2019) Empleo de un vidrio para aplicaciones fotovoltaicas, presentando el vidrio un contenido en agua de < 10 mmol/litro, y presentando la siguiente composición vítrea (en % en peso en base a óxido) o estando constituido por la misma:
SiO2 49 - 69 % en peso
B2O3 0 - 2 % en peso,
preferentemente B2O3 0 % en peso,
Al2O3 >4,7 - 19 % en peso,
preferentemente Al2O3 > 5 - 17 % en peso,
Li2O 0 - 4 % en peso,
preferentemente Li2O 0 - <0,3 % en peso,
Na2O >10- 18 % en peso, Preferentemente >15 - 18 % en peso,
K2O >0 - 8 % en peso,
preferentemente K2O >0 - <5 % en peso,
en especial K2O >0 - <4 % en peso, ascendiendo la
suma Li2O+ Na2O+ K2O a >10 - 19 % en peso, y
MgO 0 - 6 % en peso
CaO…
Dispositivo y procedimiento para atemperar un cuerpo multicapa.
(28/11/2018) Dispositivo para atemperar un cuerpo multicapa , que presenta una primera capa y al menos una segunda capa , mediante absorción de una cantidad de energía por el cuerpo multicapa con una absorción de una primera cantidad parcial de la cantidad de energía por la primera capa y una absorción de una segunda cantidad parcial de la cantidad de energía por la segunda capa , que presenta
- al menos una fuente de energía de la cantidad de energía, en donde
- existen una primera y al menos una segunda fuentes de energía,
- al menos una de las fuentes de energía presenta una emisión de una determinada…
Sistema multicapas con elementos de contacto y procedimiento para la creación de un elemento de contacto para un sistema multicapas.
(02/05/2018). Solicitante/s: INTERPANE ENTWICKLUNGS- UND BERATUNGSGESELLSCHAFT MBH & CO. KG. Inventor/es: SCHMIDT, STEFFEN, PAUL,ALEXANDER, BEREK,HARRY, HERLITZE,LOTHAR, WEIS,HANSJÖRG, HÄUSER,KARL.
Sistema de capas con elemento de contacto , que comprende un sustrato , un sistema multicapas dispuesto sobre el sustrato con al menos una capa superior y una capa inferior , caracterizado un elemento de contacto está aplicado por medio de inyección de gas frío y la atraviesa al menos una capa superior y contacta con la capa inferior.
PDF original: ES-2669070_T3.pdf
Substrato conductor para celda fotovoltaica.
(17/01/2018). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Inventor/es: DUPUY,Delphine, PALM,JÖRG, URIEN,MATHIEU, RUITENBERG,GÉRARD, LEYDER,CHARLES, HEISS,ANDREAS, MAHE,ERWAN.
Substrato conductor para celda fotovoltaica, que comprende un substrato portador y un revestimiento de electrodo formado sobre el substrato portador , en el que el revestimiento de electrodo comprende:
- una capa principal a base de molibdeno formada sobre el substrato portador ;
- una capa barrera contra la selenización formada sobre la capa principal a base de molibdeno, teniendo la capa barrera contra la selenización un espesor inferior a 50 nm, preferentemente inferior o igual a 30 nm, preferentemente todavía inferior o igual a 20 nm; y
- sobre la capa barrera contra la selenización , una capa superior a base de un metal M apto para formar, después de sufuración y/o selenización, una capa de contacto óhmico con un material semiconductor fotoactivo.
PDF original: ES-2661862_T3.pdf
Composición de tinta para la producción de una capa absorbente de luz que comprende nanopartículas metálicas, y método de producción para película delgada utilizando la misma.
(05/04/2017). Solicitante/s: LG CHEM LTD.. Inventor/es: YOON,SEOKHYUN, YOON,SEOKHEE, YOON,TAEHUN.
Una composición de tinta para fabricar una capa de absorción de luz que comprende nanopartículas metálicas bimetálicas de Cu-In enriquecidas en cobre (Cu) y partículas metálicas del Grupo 13 (Grupo IIIA) que comprenden S o Se dispersadas en un disolvente.
PDF original: ES-2670552_T3.pdf
Aditivo de electrogalvanoplastia para la deposición de una aleación de un metal del grupo IB/binaria o ternaria del grupo IB-grupo IIIA/ternaria, cuaternaria o quinaria del grupo IB, el grupo IIIA-grupo VIA.
(22/02/2017). Solicitante/s: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Inventor/es: BRUNNER, HEIKO, Schulze,Jörg, VOSS,TORSTEN, KIRBS,ANDREAS, SÖNMEZ,AYLIN, FRÖSE,BERND, ENGELHARDT, ULRIKE.
Una composición metálica de galvanoplastia que comprende una especie de galvanoplastia del grupo IB y una especie de galvanoplastia del grupo IIIA caracterizada por comprender, además, un aditivo de fórmula general (A):**Fórmula**
en donde X1 y X2 pueden ser iguales o diferentes y se seleccionan del grupo constituido por arileno y heteroarileno; FG1 y FG2 pueden ser iguales o diferentes o se seleccionan del grupo constituido por -S(O)2OH, - S(O)OH, -COOH, -P(O)2OH y grupos amino primarios, secundarios y terciarios y sales y ésteres de los mismos; R se selecciona del grupo constituido por alquileno, arileno o heteroarileno y
n y m son números enteros entre 1 y 5.
PDF original: ES-2624637_T3.pdf
Formación de películas finas en múltiples fases para dispositivos fotovoltaicos.
(11/01/2017) Un método para producir una película de un material compuesto que comprende las etapas de proporcionar un sustrato;
depositar una película en el sustrato usando un material totalmente reaccionado, en el que la película depositada y el material totalmente reaccionado tienen una primera composición química que incluye al menos un primer elemento químico y al menos un segundo elemento químico;
en el que dicha etapa de deposición de la película comprende las etapas de preparar el material totalmente reaccionado desde dicho al menos un primer elemento químico y dicho al menos un segundo elemento químico, formar al menos una diana…
Composición de tinta para la fabricación de una capa de absorción de luz de célula solar y método para la fabricación de una película fina que usa la misma.
(27/04/2016). Solicitante/s: LG CHEM LTD.. Inventor/es: PARK,EUN-JU, LEE,HOSUB, YOON,SEOKHYUN, YOON,SEOKHEE.
Composición de tinta para la fabricación de una capa de absorción de luz de células solares que comprende nanopartículas de estructura de núcleo-corteza que comprenden un núcleo que comprende un calcogenuro que contiene cobre (Cu) y una corteza que comprende un calcogenuro que contiene cinc (Zn); y nanopartículas de metal bimetálicas o intermetálicas que contienen estaño (Sn), o nanopartículas de calcogenuro que contiene estaño (Sn), dispersas en un disolvente.
PDF original: ES-2656299_T3.pdf
Control de la estequiometría de las capas I-III-VI para aplicaciones fotovoltaicas a partir de condiciones de electrólisis perfeccionadas.
(30/12/2015) Procedimiento de fabricación de un compuesto I-III-VI para unas aplicaciones fotovoltaicas, en forma de una capa fina, en la que el elemento I designa el cobre, el elemento III designa el indio y/o el galio y el elemento VI designa el azufre y/o el selenio, que comprende las etapas:
a) electrodepositar una estructura de capa fina de elementos I y/o III sobre la superficie de un electrodo (SUB), e
b) incorporar al menos un elemento VI en la estructura para obtener el compuesto I-III-VI,
caracterizado por que la etapa de electrodeposición a) incluye una operación de barrido mecánico para controlar un grosor de capa fina en menos del 3% de variación de uniformidad del grosor sobre toda la superficie del electrodo que recibe el depósito,
por que la operación de barrido mecánico emplea al menos dos agitadores de baño…
Compuesto de recubrimiento metálico y método para la deposición de cobre, zinc y estaño adecuado para la producción de una célula solar de película fina.
(01/07/2015) Un método para producir una célula solar de película fina, que comprende:
(a) proporcionar una película de sustrato,
(b) proporcionar una capa de contacto posterior conductora de la electricidad,
(c) proporcionar una capa absorbente de tipo P, donde dicha capa absorbente de tipo P está compuesta por una aleación de cobre, zinc y estaño que contiene al menos un calcógeno y que tiene la fórmula química CuxZnySnzSa, donde "x" abarca de 1,5 a 2,5, "y" abarca de 0,9 a 1,5, "z" abarca de 0,5 a 1,1 y "a" abarca de 0,1 a 4,2 o que tiene la fórmula química CuxZnySnzSeb, donde "x" abarca de 1,5 a 2,5, "y" abarca de 0,9 a 1,5, "z" abarca de 0,5 a 1,1 y "b" abarca de 0,1 a 4,2 o que tiene la fórmula química CuxZnySnzSaSeb, donde "x" abarca de 1,5 a 2,5, "y"…
Procedimiento de preparación de una película fina absorbente para células fotovoltaicas.
(22/04/2015) Procedimiento de preparación de una película fina absorbente para células fotovoltaicas de tipo A-B-C2 o A2- (Dx,E1-x)-C4 con 0≤x≤1, A es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 11, B es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 13, C es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 16, D es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 12 y E es un elemento o una mezcla de elementos seleccionados del grupo 14, procedimiento que comprende:
• una primera etapa de deposición electroquímica de una película fina de una mezcla de óxidos y/o de hidróxidos que comprende, para una película de…
Procedimiento de fabricación de semiconductores en películas delgadas a base de compuestos I-III-VI(2) para aplicaciones fotovoltaicas.
(01/10/2014) Procedimiento de fabricación de capas delgadas de aleaciones semiconductoras I-III-VI2 para aplicaciones fotovoltaicas, en el que:
a) sobre un sustrato se deposita electroquímicamente en exceso una capa delgada de una composición precursora de un elemento VI con respecto a la suma de la composición del elemento I y del elemento III, del 10 % aproximadamente con respecto a la composición de aleación final I-III-VI2, mientras se mezclan los elementos constitutivos del precursor, siendo el elemento I cobre, el elemento III indio y el elemento VI selenio, encontrándose el indio en exceso, con respecto al cobre, en un 7 % aproximadamente, siendo el exceso de selenio del…
Procedimiento para la fabricación de una capa semiconductora.
(02/04/2014) Procedimiento para la fabricación de una capa semiconductora, en el que se introduce al menos un sustrato provisto de una capa metálica en una cámara de procesado y se calienta hasta una temperatura de sustrato predeterminada, caracterizado por que se hace pasar vapor de selenio y/o de azufre elemental procedente de una fuente situada preferentemente fuera de la cámara de procesado por medio de un gas portador , en particular inerte, en condiciones de vacío bajo o condiciones de presión ambiental o condiciones de sobrepresión, por la capa metálica, para hacerla reaccionar químicamente con selenio o azufre de manera controlada, por que se calienta el sustrato por medio de una convección…
METODO PARA LA FABRICACION DE UNA CELULA SOLAR LATERAL DE BANDA INTERMEDIA.
(16/01/2014) Método para la fabricación de una célula solar lateral de banda intermedia.
Para fabricar una célula solar de banda intermedia es necesario conectar al material de banda intermedia un semiconductor tipo n y otro tipo p , que actuarían como emisores. Son dichos emisores los que deben ser contactados externamente . Frente al diseño tradicional de capas superpuestas, en esta patente se propone una configuración lateral, quedando los 3 materiales diferentes distribuidos de forma horizontal sobre un sustrato de soporte. Con esta configuración se resuelve el problema de la inestabilidad térmica del material de BI fabricado por implantación iónica y el efecto de las colas de la implantación.
Célula solar de película delgada y método de fabricación.
(27/11/2013) Una célula solar de película delgada que comprende un sustrato y un absorbente de calcopirita, en laque se proporciona un contacto posterior de material compuesto entre el sustrato y el absorbente de calcopirita, caracterizada por que dicho contacto posterior de material compuesto comprende: una capa reflectora posterior formada por ZrN y,
una capa de contacto que se proporciona entre la capa reflectora posterior y el absorbente ,capa de contacto que se forma de un seleniuro o sulfuro de un elemento metálico elegido del grupo IVB del sistemaperiódico, o grupo VB del sistema periódico, o grupo VIB del sistema periódico, o grupo VIIB del sistema periódico
Método para fabricar una lámina fotovoltaica.
(28/08/2013) Método de fabricación de una lámina fotovoltaica que comprende una capa de TCO, una capa fotovoltaica y unelectrodo posterior, en un proceso continuo rollo a rollo, este método comprende los siguientes pasos:
• proporcionar un sustrato temporal conductivo que sea más conductivo que la capa de TCO
• aplicar la capa de TCO sobre el sustrato temporal conductivo
• aplicar una capa fotovoltaica sobre la capa de TCO
• aplicar un electrodo posterior
• eliminar el sustrato temporal conductivo, el método se caracteriza por el hecho de que dicha capafotovoltaica se aplica mediante electrodeposición, con la corriente para la electrodeposición suministrada através del sustrato temporal.
Sulfuración y selenización de capas de CIGS electrodepositadas por recocido térmico.
(23/04/2013) Procedimiento de fabricación de capas finas de aleaciones semiconductoras de tipo I-III-VI2 que incluyen azufre, para aplicaciones fotovoltaicas en el cual:
a) se deposita sobre un sustrato una heteroestructura que comprende una capa fina de precursor I-III-VI2 sensiblemente amorfa, y una capa fina que incluye al menos azufre elemental,
depositándose la capa de precursor a la vez que se mezclan elementos constitutivos del precursor de manera a conferir al precursor una estructura que comprende granos nanométricos de aleaciones, unidos por fases amorfas, y estando realizada la deposición de la capa fina que incluye azufre, por deposición química en solución, estando situados el sustrato y la capa de precursor en un reactor…
Dispositivo fotovoltaico de película delgada.
(22/08/2012) Un dispositivo fotovoltaico de película delgada obtenido mediante:
a) proporcionar una capa primera de un semiconductor de calcopirita de un tipo de dopaje primero;
b) depositar una capa segunda de un óxido de cinc intrínseco mediante deposición química en fase vapor dela capa primera, y
c) depositar una capa tercera de un semiconductor de óxido de cinc, de un tipo de dopaje segundo opuesto altipo de dopaje primero, mediante deposición por pulverización catódica sobre la capa segunda.
MÉTODO PARA LA FABRICACIÓN DE UNA CÉLULA SOLAR LATERAL DE BANDA INTERMEDIA.
(07/06/2012). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSIDAD COMPLUTENSE DE MADRID. Inventor/es: LUQUE LOPEZ,ANTONIO, MARTI VEGA,ANTONIO, ANTOLIN FERNANDEZ,ELISA, GONZALEZ DIAZ,GERMAN, OLEA ARIZA,Javier, PASTOR PASTOR,David, DEL PRADO MILLÁN,Álvaro, MÁRTIL DE LA PLAZA,Ignacio.
Para fabricar una célula solar de banda intermedia es necesario conectar al material de banda intermedia un semiconductor tipo n y otro tipo p , que actuarían como emisores. Son dichos emisores los que deben ser contactados externamente . Frente al diseño tradicional de capas superpuestas, en esta patente se propone una configuración lateral, quedando los 3 materiales diferentes distribuidos de forma horizontal sobre un sustrato de soporte. Con esta configuración se resuelve el problema de la inestabilidad térmica del material de Bl fabricado por implantación iónica y el efecto de las colas de la implantación.
Sustrato de vidrio para células solares.
(18/04/2012) Sustrato (1, 1') con función de vidrio que contiene metales alcalinos, que comprende una primera cara principal destinada a asociarse con una capa a base de un material absorbente, de tipo calcopirita, y una segunda cara principal, comprendiendo al menos una porción de superficie de la primera cara principal del sustrato (1') una capa conductora a base de molibdeno, una capa de barrera frente a los metales alcalinos que no está interpuesta entre la capa conductora a base de molibdeno y la primera cara principal del sustrato (1'), caracterizado porque comprende sobre al menos una porción de superficie de la segunda…
METODO PARA HACER PELICULAS DE SEMICONDUCTOR DE COMPUESTOS DEL GRUPO IB-IIIA-VIA Y METODO PARA FABRICAR UN DISPOSITIVO FOTOVOLTAICO.
(01/05/2007) UN METODO DE FORMACION DE UNA PELICULA COMPUESTA INCLUYE LOS PASOS DE PREPARACION DE UN MATERIAL FUENTE, DEPOSITO DEL MATERIAL FUENTE SOBRE UNA BASE PARA FORMAR UNA PELICULA PRECURSORA, Y CALENTAMIENTO DE LA PELICULA PRECURSORA EN UNA ATMOSFERA ADECUADA PARA FORMAR UNA PELICULA. EL MATERIAL FUENTE INCLUYE PARTICULAS QUE CONTIENEN UNA ALEACION DE LOS GRUPOS IB-IIIA QUE TIENEN AL MENOS UNA FASE DE ALEACION DE LOS GRUPOS IB-IIIA, CONSTITUYENDO LAS ALEACIONES DE LOS GRUPOS IB-IIIA MAS DEL 50 POR CIENTO MOLAR DE LOS ELEMENTOS DEL GRUPO IB Y MAS DEL 50 POR CIENTO MOLAR DE LOS ELEMENTOS DEL GRUPO IIIA EN EL MATERIAL FUENTE. LA PELICULA INCLUYE ENTONCES UN COMPUESTO DE LOS GRUPOS IB-IIIA-VIA. LA RELACION MOLAR DE LOS ELEMENTOS DEL GRUPO IB CON LOS DEL GRUPO IIIA EN EL MATERIAL FUENTE PUEDE SER SUPERIOR A 0,80 E INFERIOR…
PROCEDIMIENTO PARA LA FABRICACION DE POLVO MONOCRISTALINO DE CU(IN, GA)SE2 Y CELULA SOLAR DE MENBRANA MONOGRANO QUE CONTIENE ESTE POLVO.
(01/11/2006). Solicitante/s: SCHEUTEN GLASGROEP. Inventor/es: GEYER, VOLKER, ALTOSAAR, MARE, MELLIKOV, ENN, RAUDOJA, JAAN.
Procedimiento para la fabricación de un polvo compuesto por una combinación Cu(ln.Ga)Se2, caracterizado porque comprende los siguientes pasos: -Aleación de Cu e In y/o de Cu y Ga para obtener una aleación de Culn y/o CuGa con una proporción subestequiométrica de Cu, -Fabricación de un polvo compuesto por la aleación de Culn y/o CuGa, -Adición de Se, así como Kl o Nal al polvo, -Calentamiento de la mezcla hasta que se forma una masa fundida, en la que la combinación Cu(ln, Ga)Se2 recristaliza y, al mismo tiempo, hace crecer los granos de polvo que han de fabricarse, -Enfriamiento de la masa fundida para interrumpir el crecimiento de los granos.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICO.
(16/07/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: UNIVERSITY OF SURREY. Inventor/es: LEONG, DANIEL, HARRY, MILTON, ANTHONY, HOMEWOOD, KEVIN, REESON, KAREN, JOY.
SE EXPONE UN DISPOSITIVO OPTOELECTRONICO DE SEMICONDUCTOR EN FORMA DE UN LED, QUE COMPRENDE UNA UNION P - N DE SILICIO QUE TIENE UNA REGION FOTOACTIVA QUE CONTIENE BETA DISILICIURO DE HIERRO ( BE - FESI 2 ). EL LED PRODUCE ELECTR OLUMINISCENCIA A UNA LONGITUD DE ONDA DE APROXIMADAMENTE 1,5 MI UM. SE DESCRIBEN TAMBIEN DISPOSITIVOS FOTODETECTORES.
COMPONENTE SEMICONDUCTOR, ESPECIALMENTE UNA CELDA SOLAR, ASI COMO METODO PARA SU PRODUCCION.
(16/09/2005). Ver ilustración. Solicitante/s: LA VECCHIA, NUNZIO, DR. Inventor/es: LA VECCHIA, NUNZIO, DR.
Componente semiconductor, especialmente una celda solar, que tiene al menos un material de base semiconductor que consiste en una estructura mono o policristalina, que consiste al menos en parte en pirita con la composición química FeS2 y que se purifica con el fin de lograr un grado de pureza definido, caracterizado porque el material de base semiconductor que consiste al menos en parte en pirita con la composición química FeS2, se une o dopa con boro y/o fósforo.
