CIP-2021 : H01L 31/056 : medios para reflejar la luz del tipo reflector de superficie posterior [BSR].

CIP-2021HH01H01LH01L 31/00H01L 31/056[3] › medios para reflejar la luz del tipo reflector de superficie posterior [BSR].

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/056 · · · medios para reflejar la luz del tipo reflector de superficie posterior [BSR].

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Convertidor de potencia láser.

(01/05/2019). Solicitante/s: ArianeGroup GmbH. Inventor/es: SWEENEY,STEPHEN JOHN, MUKHERJEE,JAYANTA.

Un dispositivo 'LPC' de convertidor de potencia láser para recibir radiación electromagnética incidente a una longitud de onda de aproximadamente 1550 nm, el dispositivo que comprende: un sustrato que comprende InP; y una zona activa que comprende una capa dopada con n y una capa dopada con p , las capas dopadas con n y dopadas con p que están formadas de InGaAsP, la zona activa que está dispuesta para absorber fotones de radiación electromagnética que tienen una longitud de onda asociada de aproximadamente 1550 nm, en el que el InGaAsP es un entramado que se hace coincidir con el sustrato ; caracterizado porque el InGaAsP de la zona activa es InyGa1-yAsxP1-x, donde x = 0,948, 0,957, 0,965, 0,968, 0,972 o 0,976 e y = 0,557, 0,553, 0,549, 0,547, 0,545 o 0,544 respectivamente.

PDF original: ES-2728866_T3.pdf

Célula solar múltiple monolítica.

(21/09/2016) Célula solar múltiple monolítica que consiste esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas de las que una subcélula es una subcélula de GaInAs y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque por debajo de la subcélula de GaInAs está dispuesto un espejo semiconductor , y porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor d de las capas del espejo semiconductor 10 nm ≤ d ≤ 150 nm y el espejo semiconductor consiste en n capas donde 10 ≤ n ≤ 50, y la semianchura HWB del espejo semiconductor…

Célula solar múltiple monolítica.

(10/03/2016) Célula solar múltiple monolítica compuesta esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico, en la que la célula solar múltiple comprende tres subcélulas de GaInP / GaInAs / Ge, en la que GaInP está configurada como célula superior y GaInAs como célula intermedia y Ge como célula inferior, caracterizada porque entre la célula intermedia y la célula inferior está dispuesto un espejo semiconductor y la célula intermedia presenta un espesor reducido y el espesor dm es de 500 ≤ dm ≤ 2500 nm, porque el espejo semiconductor presenta varias capas de índice de refracción y/o composición de material y/o espesor diferente uno de otro, y siendo el espesor d de las capas del espejo…

Películas de poliéster resistentes a la hidrólisis.

(02/03/2016). Ver ilustración. Solicitante/s: DuPont Teijin Films U.S. Limited Partnership. Inventor/es: MORTLOCK, SIMON VERNON, TURNER, DAVID R., BRENNAN,WILLIAM J, GOLDIE,WILLIAM BRYDEN, ASHFORD,EMMA, FORSYTH,KIRSTIN JAYNE, LOVATT,ALLAN.

Una película de poliéster biaxialmente orientada que comprende poliéster y al menos un estabilizador de la hidrólisis seleccionado de un éster glicidílico de un ácido monocarboxílico ramificado, en la que el ácido monocarboxílico tiene de 5 a 50 átomos de carbono, en la que dicho estabilizador de la hidrólisis está presente en la película en forma de su producto de reacción con al menos algunos de los grupos terminales de dicho poliéster, y en la que dicho producto de reacción se obtiene mediante la reacción del estabilizador de la hidrólisis con los grupos terminales del poliéster en presencia de un catión metálico seleccionado del grupo que consiste en cationes metálicos del grupo I y grupo II.

PDF original: ES-2570170_T3.pdf

Célula solar múltiple monolítica.

(19/02/2016) Célula solar múltiple monolítica constituida esencialmente por elementos de los grupos principales III y V del sistema periódico, comprendiendo la célula solar múltiple al menos tres subcélulas y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque una de las subcélulas de la célula solar múltiple es del grupo de GaInNAs y está dispuesto un espejo semiconductor entre dos subcélulas , estando incorporado el espejo por debajo de la subcélula de GaInNAs y porque el espejo semiconductor presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor…

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