CIP-2021 : H01L 31/0296 : comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas,

únicamente compuestos A II B VI p. ej. CdS, ZnS, HgCdTe.

CIP-2021HH01H01LH01L 31/00H01L 31/0296[4] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A II B VI p. ej. CdS, ZnS, HgCdTe.

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/0296 · · · · comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A II B VI p. ej. CdS, ZnS, HgCdTe.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Sistema multicapas con elementos de contacto y procedimiento para la creación de un elemento de contacto para un sistema multicapas.

(02/05/2018). Solicitante/s: INTERPANE ENTWICKLUNGS- UND BERATUNGSGESELLSCHAFT MBH & CO. KG. Inventor/es: SCHMIDT, STEFFEN, PAUL,ALEXANDER, BEREK,HARRY, HERLITZE,LOTHAR, WEIS,HANSJÖRG, HÄUSER,KARL.

Sistema de capas con elemento de contacto , que comprende un sustrato , un sistema multicapas dispuesto sobre el sustrato con al menos una capa superior y una capa inferior , caracterizado un elemento de contacto está aplicado por medio de inyección de gas frío y la atraviesa al menos una capa superior y contacta con la capa inferior.

PDF original: ES-2669070_T3.pdf

ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO, QUE TIENE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE TIPO I, COMPRENDIENDO MATERIAL NO MONOCRISTALINO QUE CONTIENE POR LO MENOS ZN, SE Y H EN UNA PROPORCION ATOMICA DEL 1 AL 40%.

(16/05/1996) UN ELEMENTO FOTOVOLTAICO DE UNION POR CONTACTO MEJORADA, QUE PRODUCE FUERZA FOTOELECTROMOTRIZ POR LA UNION DE UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO P, UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I, Y UNA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO N, CARACTERIZADO PORQUE POR LO MENOS DICHA CAPA DE SEMICONDUCTOR TIPO I CONTIENE UN ELEMENTO ELEGIDO DEL GRUPO QUE CONSTA DE UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % EN ATOMOS Y LOS CAMPOS DEL GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN Y UNA PELICULA DEPOSITADA DE ZNSE1-XTEX:H, QUE CONTIENE LOS ATOMOS DE HIDROGENO EN CANTIDAD DE 1-4 % Y LOS CAMPOS DE GRANO CRISTALINO EN UNA PROPORCION DE 65-85 % EN VOLUMEN POR UNIDAD DE VOLUMEN, Y CONTENIENDO TAMBIEN LOS ATOMOS…

FOTODIODO DE HETEROFUNCION ISOTIPO.

(16/03/1996). Solicitante/s: AT&T CORP.. Inventor/es: AUSTIN, RICHARD F., FELDMAN, ROBERT D., SULHOFFF, JAMES W., ZYSKIND, JOHN L.

EN LA INVENCION SE DESCRIBE UN NUEVO FOTODIODO QUE COMPRENDE UNA UNION SEMIMETALICA Y SEMICONDUCTORA. LA DISTORSION DE LAS BANDAS ASOCIADAS CON ESTE TIPO DE FUNCION DAN COMO RESULTADO FLUJO DE CORRIENTE CUANDO SE FORMA UN PAR DE ORIFICIOS DE ELECTRONES MEDIANTE, POR EJEMPLO, UN FOTON INCIDIENDO SOBRE LA UNION. EL FOTODIODO ACTUA EN EL MODO FOTOVOLTAICO. SIN EMBARGO, MAS BIEN QUE CONFIAR EN LA DOSIFICACION DE IMPUREZAS PARA FABRICAR UNA UNION PN, LA NATURALEZA SEMIMETALICA DE HGTE Y SU BANDA DE CONDUCCION GRANDE SE NEUTRALIZA CON HG1. XCDX TE SE USAN PARA CREAR UN EFECTO SCHOTTKY DE RECTIFICACION COMO ESTRUCTURA.

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