(20/03/2019) Un método de deposición de vapores químicos activada plasmáticamente que comprende las etapas de: - proporcionar un recipiente de vacío que tiene una presión relativamente baja o vacío, al que se proporciona un gas operativo que comprende una mezcla de un gas de descomposición o precursor, un gas reactivo y/o un gas de sublimación, - proporcionar una unidad de descomposición plasmática dentro del recipiente de vacío para descomponer el gas operativo que tiene moléculas complejas en radicales cargados o neutros, teniendo la unidad de descomposición plasmática un ánodo y un cátodo , rodeando el ánodo al cátodo, y teniendo el cátodo un campo magnético intensificador y estando eléctricamente aislado del ánodo circundante, - proporcionar una unidad de procesamiento que incluye una cámara de procesamiento…

(21/02/2018) Un aparato de tipo por lotes para fabricar un material de carbono de electrodo negativo para una batería secundaria de iones de litio por tratamiento térmico de partículas de carbón mientras hace fluir las partículas de carbón dentro de un horno de tratamiento térmico, aparatos para fabricar un material de carbono de electrodo negativo para una batería secundaria de iones de litio que comprende: un horno de tratamiento térmico provisto de una abertura de suministro de partículas de carbono para suministrar las partículas de carbono a una abertura de recuperación de material de carbono de electrodo negativo interior, para extraer el material de carbono de electrodo negativo desde el interior, un calentador para calentar el interior del horno de tratamiento…

(13/09/2017) Procedimiento para producir partículas , que comprende las etapas siguientes: - Introducir en una cámara de reacción al menos un flujo de reacción que comprende como primer elemento químico silicio y que se propaga según una dirección de flujo , - Proyectar un haz de radiación a través de la cámara de reacción en intersección con cada flujo de reacción en una zona de interacción mediante flujo de reacción, para formar en cada flujo de reacción núcleos de partículas que comprenden el primer elemento químico, y - Introducir, en la cámara de reacción , un segundo elemento químico…

(16/08/2017) Esclusa de gas (I) para la separación de dos cámaras de gas (G1, G2), que comprende: a) al menos un cuerpo de admisión (K), que presenta al menos dos canales de entrada (1, H2) para un gas, que desembocan en un primer lado del cuerpo de admisión (K), b) una pared (A) dispuesta de modo distanciado respecto al primer lado del al menos un cuerpo de admisión (K), estando conformada entre la pared (A) y el al menos un cuerpo de admisión (K) una ranura (B) que está en unión fluida con los al menos dos canales de entrada (H1, H2), c) al menos dos aberturas de escape (i1, i2) para el gas, que están en unión fluida con la ranura (B), en la que en el lado contigua al al menos un cuerpo de admisión (K) y/o en el lado de la pared (A) opuesto al primer lado del cuerpo de admisión (K) hay n cámaras de medición…

(22/06/2016) Un sistema para depositar una película fina sobre un sustrato flexible, que comprende: una primera zona de precursor en la que se introduce un primer gas precursor cuando el sistema está en uso; una segunda zona de precursor en la que se introduce un segundo gas precursor cuando el sistema está en uso; una zona de aislamiento interpuesta entre la primera y segunda zonas de precursor y en las que se introduce un gas inerte cuando el sistema está en uso; y un mecanismo de transporte de sustrato para transportar de forma recíproca el sustrato flexible a lo largo de una trayectoria de transporte en espiral…

(18/05/2016) Un procedimiento que comprende: guiar vapor precursor a lo largo de al menos un conducto de alimentación al interior de una cámara de reacción de un reactor de deposición; y depositar material sobre las superficies de un lote de sustratos colocados verticalmente en la cámara de reacción mediante el establecimiento de un flujo vertical del vapor precursor en la cámara de reacción y hacer que entre en una dirección vertical entre los citados sustratos colocados verticalmente, de manera que el vapor precursor fluya desde el lado superior de un espacio de reacción al lado inferior del espacio de reacción esencialmente en la misma dirección vertical para lela a lo largo de cada una de las citadas superficies; en el que el citado vapor precursor es alimentado a través de una tapa de la cámara de reacción al interior de un volumen de expansión y…

(23/03/2016) Procedimiento para la eliminación de un depósito que contiene silicio sobre un componente de un reactor, tratándose, en el caso del reactor, de un reactor de lecho turbulento para producir granulado de silicio policristalino mediante precipitación de de silicio policristalino sobre las partículas de silicio añadidas al reactor, eliminándose el depósito mecánicamente por medio de partículas puntiagudas que contienen silicio y efectuándose la eliminación del depósito mientras que el reactor está en funcionamiento, es decir, mientras se produce granulado de silicio policristalino, caracterizado por que, en el caso del componente del reactor en el que se elimina el depósito, se trata de un tubo de gas de escape, y las partículas que contienen silicio se alimentan por…

(09/12/2015) Procedimiento para el revestimiento en continuo de sustratos, en el que en un dispositivo de revestimiento los sustratos son transportados a través de un espacio de deposición que está limitado por dos soportes de sustrato (1, 1') así como por un suelo y una tapa , en donde el suelo presenta un dispositivo para guiar los soportes de sustrato (1, 1'), y los sustratos son transportados sobre los soportes de sustrato (1, 1') a través del dispositivo de revestimiento, durante el transporte se realiza el revestimiento en continuo de los sustratos, y en donde la tapa está fijada a los soportes de sustrato (1, 1') y de esta manera se transporta junto con los soportes (1, 1') de sustrato mediante el dispositivo de revestimiento.

(13/11/2015) Un procedimiento de producción de una estera o película que comprende las etapas de: hacer pasar un flujo de uno o más reactantes gaseosos a un reactor hacer reaccionar el uno o más reactantes gaseosos dentro de una zona de reacción del reactor para formar un aerogel, en el que los reactantes gaseosos incluyen una fuente de carbono y un precursor del catalizador que se puede descomponer para dar un catalizador; aglomerar el aerogel para dar un aglomerado; y aplicar una fuerza al aglomerado para desplazarlo en continuo fuera de la zona de reacción mientras se conforma para dar la estera o película.

(13/11/2015) Un procedimiento de producción de un aglomerado que comprende las etapas de: hacer pasar un flujo de uno o más reactantes gaseosos a un reactor hacer reaccionar el uno o más reactantes gaseosos dentro de una zona de reacción del reactor para formar un aerogel; aglomerar el aerogel en un aglomerado; y aplicar una fuerza al aglomerado para desplazarlo de forma continua fuera de la zona de reacción.

(27/05/2015) Disposición para la separación de gases para instalaciones de recubrimiento en vacío con varias zonas de proceso, en particular en instalaciones-CVD para el recubrimiento y dotación de sustratos planos y/o en forma de cinta, con un túnel plano que rodea el sustrato y que se extiende a través de una cámara de separación, en el que están dispuestas dos instalaciones de desviación para la conducción del sustrato a una distancia predeterminada entre sí, de tal manera que las instalaciones de desviación estrechan la sección transversal del túnel, en la que el túnel está provisto con conductos de entrada y de salida de gas, caracterizada por que entre las instalaciones de desviación (4, 4') y junto a éstas está dispuesta en cada cado una entrada de gas (9, 9') y en el centro entre…

(20/05/2015) Un dispositivo destinado a la protección de unos sistemas de fijación de electrodos en unos reactores de CVD, que comprende un electrodo apropiado para el alojamiento de una barra filamentosa, que está situado sobre un sistema de fijación de un electrodo hecho a base de un material conductivo de la electricidad, que está colocado dentro de un rebajo de una placa de fondo, siendo estanqueizado con un material de estanqueidad un espacio intermedio existente entre el sistema de fijación de un electrodo y la placa de fondo y siendo protegido el material de estanqueidad por medio de un cuerpo protector constituido por una o múltiples piezas, que está dispuesto en forma anular en torno al sistema de fijación de un electrodo,…

(08/04/2015) Procedimiento de tratamiento previo para procedimientos de recubrimiento, en el cual las superficies secundarias de una instalación de recubrimiento aun antes del proceso de recubrimiento son sometidas a un tratamiento previo, de manera que en el proceso de recubrimiento que sigue a ello la adherencia del material de recubrimiento sobre las superficies secundarias está esencialmente reducida en comparación con la adherencia sin tratamiento previo, y en el cual en el curso del tratamiento previo se aplica una capa antiadherente sobre las superficies secundarias, comprendiendo la capa antiadherente una suspensión de polvo en disolvente volátil, preferentemente disolvente fácilmente volátil, caracterizado porque el material de polvo es polvo…

(09/07/2014) Un aparato para aplicar una tensión a través de una pluralidad de varillas de silicio en un reactor de CVD, comprendiendo dicho aparato: una conexión en serie en la que las varillas de silicio pueden ser insertadas como resistencias; al menos una primera unidad de suministro de energía; al menos una segunda unidad de suministro de energía; al menos una tercera unidad de suministro de energía; y al menos una unidad de control capaz de aplicar una tensión a través de las varillas de silicio en la conexión en serie por medio de las primera, segunda o tercera unidades de suministro de energía, en el que la primera unidad de suministro de energía comprende una pluralidad de primeros transformadores, cada una de cuyas salidas está conectada con una varilla de silicio de la conexión…

(12/03/2014) Cámara de vacío para instalaciones de revestimiento, en la que se disponen elementos funcionales en la cámara, donde la cámara comprende una armadura de cámara y planchas de inserción implantadas de modo mecánicamente separable y estanco en la armadura y algunas de las planchas de inserción llevan elementos funcionales, caracterizada por que la armadura de la cámara incluye por lo menos una base provista de brazos, conformada en una plancha metálica de una pieza, donde los brazos se han doblado en la región de la unión a la base de tal modo que formen los pilares de la armadura de la cámara.

(22/01/2014) Un aparato de deposición química catalítica en fase de vapor , que comprende: una cámara de reacción , una fuente de introducción de gas (9a) para introducir un gas fuente en la cámara de reacción, un hilo de catalizador dispuesto enfrentado a un sustrato que se va a procesar que está instalado en la cámara de reacción , y una fuente de calor para calentar el hilo de catalizador ; caracterizado porque el hilo de catalizador incluye un hilo de tántalo y un boruro de la capa de tántalo metálico formada sobre una superficie del hilo de tántalo.

(30/10/2013) Un aparato para realizar la deposición química de vapor por filamento caliente de capas semiconductoras odieléctricas, que comprende una cámara de tratamiento que tiene una entrada y una salida, un filamento calentado eléctricamente para la conversión catalítica de moléculas de gas precursor, ysoportes entre los cuales se mantiene el filamento, en el que la entrada está conectada a una válvula de derivación para desviar un flujo de gas de tratamientolejos de la cámara de tratamiento para permitir cambios rápidos de la composición de gas, caracterizado porque la entrada está cubierta por un distribuidor de gas hecho de un material poroso paradistribuir de forma uniforme un flujo de gas a lo largo de una longitud.

(09/10/2013) Un procedimiento de producción de una fibra que comprende las etapas de: hacer pasar un flujo de uno o más reactantes gaseosos a un reactor hacer reaccionar el uno o más reactantes gaseosos dentro de una zona de reacción del reactor para formar unaerogel, en el que los reactantes gaseosos incluyen una fuente de carbono y un precursor del catalizador sepuede descomponer para dar un catalizador; aglomerar el aerogel para dar un aglomerado; y aplicar una fuerza al aglomerado para desplazarlo en continuo fuera de la zona de reacción mientras se conformapara dar una fibra.

(26/07/2013) Aparato y método para depósito químico en fase vapor con hilo caliente. El aparato y método para HWCVD comprende una cámara de vacío; al menos un filamento catalítico provisto con al menos dos contactos eléctricos; y medios para sacar de una zona de depósito una porción del filamento catalítico y para sustituirla por otra porción de filamento catalítico; donde los medios comprenden un primer carrete y un segundo carrete para cada filamento catalítico. Los segundos carretes están acoplados mecánicamente a un motor controlado en posición o velocidad. Un mecanismo de ajuste de tensión, acoplado mecánicamente a cada primer carrete, comprende al menos un muelle de fuerza constante para aplicar una fuerza de tracción que…

(26/03/2013) Procedimiento para la producción de barras de silicio policristalinas mediante deposición desde la fase gaseosa junto a una barra delgada, caracterizado porque en una zona situada a lo sumo a 20 mm por debajo de una punta de electrodo hasta por debajo del puente de un par de barras se introducen uno o varios discos, que se componen de un material, que en las condiciones de deposición posee una resistencia eléctrica específica más baja que la del silicio policristalino.

(17/05/2012) Un sistema para la deposición química en fase de vapor asistida por plasma de baja energía adecuado para el crecimiento epitaxial de capas semiconductoras uniformes sobre sustratos de 300 mm de tamaño, comprendiendo el sistema: (a) una fuente de plasma de área amplia; (b) una cámara de deposición; y (c) un sistema de distribución de gas, en el que la fuente de plasma comprende un recinto , al menos dos cátodos termoiónicos adaptados para ser operados independientemente el uno del otro e incluidos en una cámara catódica, y un cabezal de ducha que tiene varios orificios ; y en el que la…

(26/03/2012) Un sistema de suministro y escape para un aparato de polimerización por plasma en que un sustrato se mueve de manera continua comprende: una cámara de polimerización que tiene una entrada de gases para suministrar gas a la cámara de polimerización y una salida de gases para gas reactivo de escape suministrado por la entrada de gases y una cámara de postratamiento instalada al lado de la cámara de polimerización y que tiene una entrada de gases para suministrar gas a la cámara de postratamiento y una salida de gases para gas de escape suministrado por la entrada de gases de la cámara de postratamiento, en el que la entrada de gases de la cámara de polimerización se coloca en la misma dirección del flujo del sustrato en una porción de la entrada de la cámara de polimerización y la entrada de gases de la cámara de postratamiento se…