Generación de señal de reloj y control para dispositivos de memoria de alto rendimiento.

Un dispositivo de memoria que comprende:

un primer generador de reloj configurado para generar una primera señal de reloj (RCLKb) utilizada para operaciones de lectura y escritura;



un segundo generador de reloj configurado para generar una segunda señal de reloj (WCLKb) utilizada para operaciones de escritura;

una matriz de memoria que comprende células de memoria y células ficticias;

caracterizado por que:

el primer generador de reloj comprende un primer circuito configurado para generar bordes iniciales en la primera señal de reloj basada en una señal de reloj externa (CLK) y para generar bordes finales en la primera señal de reloj basada en al menos una señal de reinicio,

en el que un circuito de reinicio está configurado para generar la al menos una señal de reinicio para el primer y segundo generadores de reloj, y

en el que el circuito de reinicio está configurado para generar la al menos una señal de reinicio con el tiempo determinado basándose en la carga en una línea de bits para una columna de las células ficticias en la matriz de memoria o la carga en una línea de palabras para una fila de células ficticias en el matriz de memoria.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2008/065448.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: JUNG,CHANG HO, CHEN,ZHIQIN.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C11/418 SECCION G — FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (registro de la información basado en un movimiento relativo entre el soporte de registro y el transductor G11B; dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/115; técnica del impulso en general H03K, p. ej. conmutadores electrónicos H03K 17/00). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › Circuitos de direccionamiento.
  • G11C11/419 G11C 11/00 […] › Circuitos de lectura-escritura [R-W].
  • G11C7/22 G11C […] › G11C 7/00 Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193). › Circuitos de sincronización o de reloj para la lectura-escritura [R-W]; Generadores o gestión de señales de control para la lectura-escritura [R-W].

PDF original: ES-2745948_T3.pdf

 

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