PRECARGA DE CMOS Y CIRCUITO DE ECUALIZACION.

LA PRECARGA DE UNA CMOS Y UN CIRCUITO DE ECUALIZACION PARA SU USO CON CELDAS DE MEMORIAS ACOPLADAS ENTRE LINEAS DE BIT PAREADAS EN UNA MATRIZ ESTATICA DE MEMORIA DE ACCESO "RANDOM" SE CONSTRUYE SIN EL USO DE CIRCUITOS SANGRADORES.

LA PRECARGA Y EL CIRCUITO DE ECUALIZACION ESTAN FORMADOS POR UN PAR DE TRANSISTORES DE PRECARGA Y UN PAR DE TRANSISTORES DE ECUALIZACION PARA PRECARGAR Y ECUALIZAR LAS LINEAS DE BIT PAREADAS.

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: ADVANCED MICRO DEVICES INC..

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 901 THOMPSON PLACE P.O. BOX 3453,SUNNYVALE, CA 94088.

Inventor/es: RUNALDUE, THOMAS J.

Fecha de Publicación: .

Fecha Concesión Europea: 6 de Diciembre de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

  • G11C11/419 FISICA.G11 REGISTRO DE LA INFORMACION.G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › Circuitos de lectura-escritura [R-W].
  • G11C7/00 G11C […] › Disposiciones para escribir una información o para leer una información en una memoria digital (G11C 5/00 tiene prioridad; circuitos auxiliares para memorias que utilizan dispositivos semiconductores G11C 11/4063, G11C 11/413, G11C 11/4193).

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