Apilamiento de células solares.

Apilamiento de células solares (ST) que presenta mayoritariamente capas semiconductoras III-V,

con una primera célula parcial (SC1) con una primera banda prohibida y con una primera constante de red, y una segunda célula parcial (SC2) con una segunda banda prohibida y con una segunda constante de red, y una sucesión de capas intermedias dispuesta entre las dos células parciales (SC1, SC2), presentando la sucesión de capas intermedias una primera capa de barrera (B1) y un diodo túnel (TD1) y una segunda capa de barrera (B2), y presentando el diodo túnel (TD1) una capa n+ degenerada con una tercera constante de red y una capa p+ degenerada con una cuarta constante de red, y estando dispuestas las capas en dicho orden,

siendo la cuarta constante de red menor que la tercera constante de red, y siendo la primera banda prohibida menor que la segunda banda prohibida, y presentando la capa p+ una composición de material distinta a la de la capa n+, y

en una primera alternativa presentando la primera célula parcial (SC1) y la segunda célula parcial (SC2) adaptación de red entre sí, y

presentando la capa p+ degenerada un error de adaptación de red de al menos el 0,5 % y presentando la constante de red de la capa p+ una constante de red menor que la primera constante de red y la segunda constante de red, y presentando la tercera constante de red de la capa n+ degenerada adaptación de red con respecto a la primera constante de red o con respecto a la segunda constante de red,

estando configurado en una segunda alternativa entre la primera célula parcial (SC1) y la segunda célula parcial (SC2) un tampón metamórfico (MP), no presentando la capa p+ del diodo túnel (TD1) adaptación de red ni con respecto a la primera célula parcial (SC1) ni con respecto a la segunda célula parcial (SC2) y encontrándose la cuarta constante de red entre la primera constante de red y la segunda constante de red, y

presentando la capa n+ degenerada adaptación de red con respecto a la primera célula parcial (SC1) o con respecto a la segunda célula parcial (SC2),

conteniendo la capa p+ al menos el 5 % de indio y conteniendo como dopante carbono, y

no presentando las capas del diodo túnel (TD1) y las capas adicionales (B1, B2) de la sucesión de capas intermedias compensación de tensión entre sí.