Célula solar múltiple monolítica.

Célula solar múltiple monolítica (10) que consiste esencialmente de elementos del grupo principal III y V del sistema periódico,

comprendiendo la célula solar múltiple (10) al menos tres subcélulas (12, 14, 16, 18) de las que una subcélula es una subcélula de GaInAs y estando construida sobre un sustrato de Ge caracterizada porque por debajo de la subcélula de GaInAs está dispuesto un espejo semiconductor (22), y porque el espejo semiconductor (22) presenta varias capas con índices de refracción y/o composiciones de materiales y/o espesores diferentes entre sí, y siendo el espesor d de las capas del espejo semiconductor (22) 10 nm ≤ d ≤ 150 nm y el espejo semiconductor (22) consiste en n capas donde 10 ≤ n ≤ 50, y la semianchura HWB del espejo semiconductor (22) es 50 nm ≤ HWB ≤ 300 nm, y porque el espejo semiconductor presenta en una parte del intervalo de absorción espectral de la subcélula (16) o subcélulas (12, 14, 16) dispuestas por encima del espejo semiconductor un grado de reflexión elevado y en el intervalo de absorción espectral de la subcélula (18) o subcélulas dispuestas por debajo del espejo semiconductor un grado de transmisión elevado.

Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E15001551.

Solicitante: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Theresienstrasse 2 74072 Heilbronn ALEMANIA.

Inventor/es: STROBL,GERHARD, BETT,ANDREAS,DR, Dimroth,Frank Dr, MEUSEL,MATTHIAS.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/0216 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041  tiene prioridad).
  • H01L31/0304 H01L 31/00 […] › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V.
  • H01L31/056 H01L 31/00 […] › medios de reflejar la luz del tipo reflector de superficie posterior [BSR].
  • H01L31/0687 H01L 31/00 […] › Células solares a unión múltiple o tándem.

PDF original: ES-2607501_T3.pdf

 

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