Célula solar múltiple.
Célula solar múltiple (MS) que presenta
una primera célula parcial (SC1) compuesta por un compuesto de InGaAs,
presentando la primera célula parcial (SC1) una primera constante de red (ASC1), y
una segunda célula parcial (SC2) con una segunda constante de red (ASC2),
siendo la primera constante de red (ASC1) al menos 0,008 Å mayor que la segunda constante de red (ASC2), y
presentando cada célula parcial (SC1, SC2) una transición pn, y un tampón metamórfico (MP1), estando configurado el tampón (MP1) entre la primera célula parcial (SC1) y la segunda célula parcial (SC2) y presentando el tampón (MP1) una sucesión de una primera capa con una primera constante de red (MPA1), una segunda capa con una segunda constante de red (MPA2) y al menos una tercera capa con una tercera constante de red (MPA3) y aumentando las constantes de red (MPA1, MPA2, MPA3) de la sucesión en la dirección hacia la primera célula parcial (SC1) de capa a capa y siendo las constantes de red (MPA1, MPA2, MPA3) de las capas del tampón mayores que la segunda constante de red (ASC2),
presentando una cuarta capa del tampón metamórfico una cuarta constante de red (MPA4) y siendo la cuarta constante de red (MPA4) mayor que la primera constante de red (ASC1), y
estando configuradas entre el tampón metamórfico (MP1) y la primera célula parcial (SC1) un número N de capas de compensación (KOM1, KOM2, .... KOMN) para la compensación de la tensión residual del tampón metamórfico (MP1) y siendo las constantes de red (A1, A2, .... AN) de las respectivas capas de compensación (KOM1, KOM2, .... KOMN) una magnitud de ΔAN >0,0008 Å menores que la primera constante de red (ASC1), presentando las capas de compensación (KOM1, KOM2, .... KOMN) en cada caso una tensión de tracción, y presentando las capas de compensación (KOM1, KOM2, .... KOMN) un contenido en indio mayor del 1 %, y seleccionándose los grosores (KOMD1, KOMD2, .... KOMDN) del número N de las capas de compensación (KOM1, KOM2, .... KOMN) de tal manera que se cumple:**Fórmula**
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E14000912.
Solicitante: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: Theresienstrasse 2 74072 Heilbronn ALEMANIA.
Inventor/es: Dimroth,Frank Dr, MEUSEL,MATTHIAS, EBEL,LARS, GUTER,WOLFGANG, KELLENBENZ,RENÉ.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L21/18 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos A III B V con o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado.
- H01L31/0304 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V.
- H01L31/0687 H01L 31/00 […] › Células solares de unión múltiple o tándem.
PDF original: ES-2749215_T3.pdf
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