Convertidor de potencia láser.
Un dispositivo 'LPC' (1) de convertidor de potencia láser para recibir radiación electromagnética incidente a una longitud de onda de aproximadamente 1550 nm,
el dispositivo (1) que comprende:
un sustrato (60) que comprende InP; y una zona activa (30) que comprende una capa dopada con n (32, 33) y una capa dopada con p (31), las capas dopadas con n y dopadas con p (31,32, 33) que están formadas de InGaAsP, la zona activa (30) que está dispuesta para absorber fotones de radiación electromagnética que tienen una longitud de onda asociada de aproximadamente 1550 nm, en el que el InGaAsP es un entramado que se hace coincidir con el sustrato (60);
caracterizado porque el InGaAsP de la zona activa (30) es InyGa1-yAsxP1-x, donde x = 0,948, 0,957, 0,965, 0,968, 0,972 o 0,976 e y = 0,557, 0,553, 0,549, 0,547, 0,545 o 0,544 respectivamente.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2013/067161.
Solicitante: ArianeGroup GmbH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: Robert-Koch-Straße 1 82024 Taufkirchen ALEMANIA.
Inventor/es: SWEENEY,STEPHEN JOHN, MUKHERJEE,JAYANTA.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0304 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V.
- H01L31/056 H01L 31/00 […] › medios para reflejar la luz del tipo reflector de superficie posterior [BSR].
- H01L31/0693 H01L 31/00 […] › incluyendo los dispositivos, aparte de materiales dopantes u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V , p. ej. células solares de GaAs o InP.
PDF original: ES-2728866_T3.pdf
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