Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión.
Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende:
una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz (220), en la que
los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03;
un emisor (26), un campo en superficie delantero opcional (28) y un campo en superficie trasero opcional (30);
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz (220) se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge;
donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz (220) presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y
una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2010/061635.
Solicitante: Solar Junction Corporation.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 2507 W Geneva Drive Tempe, AZ 85282 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C22C28/00 QUIMICA; METALURGIA. › C22 METALURGIA; ALEACIONES FERROSAS O NO FERROSAS; TRATAMIENTO DE ALEACIONES O METALES NO FERROSOS. › C22C ALEACIONES (tratamiento de alegaciones C21D, C22F). › Aleaciones basadas en un metal no previsto por los grupos C22C 5/00 - C22C 27/00.
- C22C30/00 C22C […] › Aleaciones en las que ninguno de los constituyentes alcanza el 50% en peso.
- C30B23/02 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 23/00 Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
- C30B23/06 C30B 23/00 […] › Calentamiento del recinto de depósito, del sustrato o del material a evaporar.
- C30B29/40 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Compuestos A III B V.
- C30B33/02 C30B […] › C30B 33/00 Tratamiento posterior de monocristales o de materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada (C30B 31/00 tiene prioridad). › Tratamiento térmico (C30B 33/04, C30B 33/06 tienen prioridad).
- H01L31/0304 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos A III B V.
- H01L31/036 H01L 31/00 […] › caracterizados por su estructura cristalina o por la orientación particular de los planos cristalinos.
- H01L31/0725 H01L 31/00 […] › Células solares de unión múltiple o tandem.
- H01L31/0735 H01L 31/00 […] › comprendiendo únicamente semiconductores a base de compuestos A III B V , p. ej. células solares GaAs/AlGaAs o InP/GaInAs.
- H01L31/078 H01L 31/00 […] › comprendiendo barreras de potencial de diferentes tipos cubiertas por dos o más de los grupos H01L 31/061 - H01L 31/075.
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
PDF original: ES-2720596_T3.pdf
Patentes similares o relacionadas:
Método para la fabricación de electrodos de nitruro de galio-indio para dispositivos electroquímicos, del 8 de Enero de 2020, de UNIVERSITA DEGLI STUDI DI MILANO - BICOCCA: Método para la fabricación de electrodos, que comprende las etapas de: a) depositar epitaxialmente nitruro de galio-indio (InGaN) en forma de una capa delgada sobre […]
Método de crecimiento que usa capas compatibles de nanocolumnas y HVPE para producir materiales semiconductores compuestos de alta calidad, del 15 de Noviembre de 2017, de Nanogan Limited: Un metodo para producir un material semiconductor compuesto de un solo cristal, que comprende: a) proporcionar un material de sustrato que tiene una nanocolumna […]
Aparato y método de crecimiento cristalino, del 8 de Julio de 2015, de Kromek Limited (100.0%): Un aparato para el crecimiento cristalino, de manera que el aparato comprende: una cámara de aporte , configurada para contener un material de aporte ; una […]
Aparato de epitaxia de haz molecular para producir pastillas de material semiconductor, del 29 de Agosto de 2012, de RIBER: Aparato de epitaxia de haz molecular para producir pastillas de material semiconductor que comprende un sustrato cubierto por una capa de material, comprendiendo además […]
EQUIPO DE EPITAXIA POR HAZ MOLECULAR., del 16 de Junio de 2005, de ADDON: Equipo de epitaxia que comprende un recinto de epitaxia al vacío que contiene un soporte de substrato y, al menos, una célula de evaporación al vacío del material […]
APARATO Y CRISOL PARA DEPOSICION EN FASE DE VAPOR., del 1 de Junio de 1995, de SOCIETE EUROPEENNE DE PROPULSION: EL APARATO PARA DEPOSICION EN FASE DE VAPOR A ALTA TEMPERATURA COMPRENDE UN RECINTO TERMICAMENTE AISLANTE, UN PRIMER, UN SEGUNDO Y UN TERCER DIFUSOR […]
METODO PARA FORMAR UN CRISTAL Y ARTICULO CRISTALINO OBTENIDO POR DICHO METODO., del 1 de Marzo de 1994, de CANON KABUSHIKI KAISHA: LA INVENCION DESCRIBE UN METODO PARA FORMAR UN CRISTAL QUE COMPRENDE APLICAR UN TRATAMIENTO FORMADOR DE CRISTAL SOBRE UN SUSTRATO QUE TIENE UNA SUPERFICIE LIBRE […]
METODO DE SINTESIS DE UN COMPUESTO DE FORMULA MN+1AXN, PELICULA DEL COMPUESTO Y SU USO, del 1 de Mayo de 2008, de ABB AB: Un método para sintetizar o desarrollar un compuesto que tiene la fórmula general Mn+1AXn donde M es al menos un metal de transición, n es 1, 2, 3 o mayor, […]