CÉLULA FOTOVOLTAICA, PANEL FOTOVOLTAICO Y MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CÉLULAS FOTOVOLTAICAS.

Célula fotovoltaica (Ci) que comprende al menos una sub-célula de un primer semiconductor (1) y una sub-célula de un segundo semiconductor (2) conectados mediante tres electrodos (T1,

T2, T3). El segundo semiconductor es típicamente silicio, mientras que el primer semiconductor es un material de con mayor banda prohibida depositado más cercano a una superficie de incidencia de radiación electromagnética. El primer electrodo (T1) se encuentra en la cara anterior de la célula fotovoltaica (Ci), mientras que el segundo electrodo (T2) y el tercer electrodo (T3) se encuentran en la cara posterior de dicha fotovoltaica (Ci). Tanto el segundo electrodo (T2) como el tercer electrodo (T3) están conectados al segundo semiconductor (2). Las regiones a ambos lados de la zona de contacto entre el primer semiconductor y el segundo semiconductor presentan un mismo tipo de portadores mayoritarios. Se consigue así una célula fotovoltaica (Ci) con una elevada eficiencia de conversión, capaz de integrarse en dispositivos de dos terminales.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2017/070401.

Solicitante: UNIVERSIDAD DEL PAÍS VASCO - EUSKAL HERRIKO UNIBERTSITATEA (UPV/EHU).

Nacionalidad solicitante: España.

Inventor/es: JIMENO CUESTA,JUAN CARLOS, FANO LESTON,Vanesa, DEL CAÑIZO NADAL,Carlos, GUTIÉRREZ SERRANO,Jose Rubén.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/02 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Detalles.
  • H01L31/0224 H01L 31/00 […] › Electrodos.
  • H01L31/0687 H01L 31/00 […] › Células solares a unión múltiple o tándem.
  • H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

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