Puntos de conexión de mandril y puente para filamentos de tubo en un reactor de deposición química de vapor.

Un sistema de reactor de deposición química de vapor, que comprende:



al menos un primer filamento (1, 3) de tubo que tiene extremos primero y segundo, configurado el filamento (1, 3) de tubo para transportar una corriente eléctrica;

una semilla (5) unida al primer extremo del filamento (1, 3) de tubo;

un mandril (9) conectado a al menos la semilla (5), en el que el mandril (9) está formado con un saliente (29, 39) que corresponde a una ranura de la semilla (5), de tal manera que el mandril (9) está conectado eléctricamente al filamento (1, 3) de tubo;

al menos un segundo filamento (1, 3) de tubo, teniendo dicho segundo filamento de tubo extremos primero y segundo, estando cada filamento (1, 3) de tubo conectado a una semilla (5) y un mandril (9) respectivos; y

un puente (2) que conecta los filamentos primero y segundo (1, 3) de tubo, en el que el puente comprende una pluralidad de rebajes (15), para aplicarse cada uno de los rebajes (15) a uno de los extremos primeros de los filamentos primero y segundo (1, 3) de tubo.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2009/003763.

Solicitante: GTAT Corporation.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 243 Daniel Webster Highway Merrimack, NH 03054 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: GUM,JEFFREY C, BALLENGER,KEITH, CHARTIER,CARL, SCHWEYEN,ANDY.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C01B33/035 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C01 QUIMICA INORGANICA.C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 31/36). › por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseosos o vaporizados en presencia de filamentos calientes de silicio, de carbono o de un metal refractario, p. ej. tántalo o tungsteno, o en presencia de varillas de silicio calientes sobre las cuales el silicio formado se deposita con obtención de una varilla de silicio, p. ej. proceso Siemens.
  • C23C16/24 C […] › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Deposición solamente de silicio.
  • C23C16/46 C23C 16/00 […] › por la forma de calentar el sustrato (C23C 16/48, C23C 16/50 tienen prioridad).

PDF original: ES-2636966_T3.pdf

 

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