Puntos de conexión de mandril y puente para filamentos de tubo en un reactor de deposición química de vapor.
Un sistema de reactor de deposición química de vapor, que comprende:
al menos un primer filamento (1, 3) de tubo que tiene extremos primero y segundo, configurado el filamento (1, 3) de tubo para transportar una corriente eléctrica;
una semilla (5) unida al primer extremo del filamento (1, 3) de tubo;
un mandril (9) conectado a al menos la semilla (5), en el que el mandril (9) está formado con un saliente (29, 39) que corresponde a una ranura de la semilla (5), de tal manera que el mandril (9) está conectado eléctricamente al filamento (1, 3) de tubo;
al menos un segundo filamento (1, 3) de tubo, teniendo dicho segundo filamento de tubo extremos primero y segundo, estando cada filamento (1, 3) de tubo conectado a una semilla (5) y un mandril (9) respectivos; y
un puente (2) que conecta los filamentos primero y segundo (1, 3) de tubo, en el que el puente comprende una pluralidad de rebajes (15), para aplicarse cada uno de los rebajes (15) a uno de los extremos primeros de los filamentos primero y segundo (1, 3) de tubo.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2009/003763.
Solicitante: GTAT Corporation.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 243 Daniel Webster Highway Merrimack, NH 03054 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.
Inventor/es: GUM,JEFFREY C, BALLENGER,KEITH, CHARTIER,CARL, SCHWEYEN,ANDY.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C01B33/035 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseosos o vaporizados en presencia de filamentos calientes de silicio, de carbono o de un metal refractario, p. ej. tántalo o tungsteno, o en presencia de varillas de silicio calientes sobre las cuales el silicio formado se deposita con obtención de una varilla de silicio, p. ej. proceso Siemens.
- C23C16/24 C […] › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Deposición solamente de silicio.
- C23C16/46 C23C 16/00 […] › por la forma de calentar el sustrato (C23C 16/48, C23C 16/50 tienen prioridad).
PDF original: ES-2636966_T3.pdf
Patentes similares o relacionadas:
Procedimiento para la producción de silicio policristalino, del 11 de Septiembre de 2018, de WACKER CHEMIE AG: Procedimiento para la producción de silicio policristalino, en el que se precipita silicio policristalino sobre cuerpos soporte calentados mediante […]
Procedimiento para la producción de silicio policristalino, del 30 de Mayo de 2018, de WACKER CHEMIE AG: Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende precipitación de silicio policristalino en cuerpos soporte que se encuentran en al menos […]
Vara de silicio policristalina y procedimiento para su producción, del 12 de Abril de 2017, de WACKER CHEMIE AG: Vara de silicio policristalina con un diámetro total de al menos 150 mm, que contiene un núcleo (A) con una porosidad de 0 a menos de 0,01 alradedor de una vara delgada y al […]
Procedimiento para la producción de silicio policristalino, del 30 de Noviembre de 2016, de WACKER CHEMIE AG: Procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende a) precipitación de silicio policristalino por medio de CVD sobre al menos un cuerpo soporte […]
Procedimiento para evitar la formación de deposiciones sobre una mirilla en la producción de silicio policristalino, del 8 de Junio de 2016, de WACKER CHEMIE AG: Un procedimiento para la producción de silicio policristalino, que comprende introducir un gas de reacción que contiene un componente con un contenido de silicio […]
Procedimiento para la producción de una barra de silicio policristalino aleado con germanio, del 8 de Junio de 2016, de WACKER CHEMIE AG: Un procedimiento para producción de una barra con una longitud de 0,5 m a 4 m y con un diámetro de 25 mm a 220 mm, que comprende una barra delgada […]
Procedimiento para el suministro de corriente a un reactor, del 11 de Mayo de 2016, de WACKER CHEMIE AG: Procedimiento para el suministro de corriente a un reactor en el que uno o varios electrodos conducidos a través de una pared del reactor […]
BARRA DE SILICIO POLICRISTALINO PARA TRACCIÓN POR ZONAS Y UN PROCEDIMIENTO PARA SU PRODUCCIÓN, del 10 de Febrero de 2011, de WACKER CHEMIE AG: Barra de polisilicio que se puede obtener a través de separación de silicio de alta pureza a partir de un gas de reacción que contiene silicio, que se ha descompuesto térmicamente […]