Procedimiento para la producción de una barra de silicio policristalino aleado con germanio.
Un procedimiento para producción de una barra con una longitud de 0,
5 m a 4 m y con un diámetro de 25 mm a 220 mm, que comprende una barra delgada a base de silicio o de silicio aleado con germanio, sobre la que se deposita una aleación policristalina muy pura a base de germanio y silicio, conduciendo en un reactor de Siemens un gas de eductos que se compone de hidrógeno y de una mezcla de monosilano y monogermanio y contiene una proporción de germanio de menos que 20 % en moles, y poniéndolo en contacto allí con la barra delgada, que tiene una temperatura entre 400°C y 1.000°C, llegándose sobre la barra delgada a una deposición desde el gas de eductos, componiéndose la aleación depositada de 0,1 hasta menos que 20 % en moles de germanio y de 99,9 a 80 10 % en moles de silicio.
Tipo: Patente Europea. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: E09177857.
Solicitante: WACKER CHEMIE AG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: HANNS-SEIDEL-PLATZ 4 81737 MÜNCHEN ALEMANIA.
Inventor/es: SOFIN,MIKHAIL,DR, FABRY,Laszlo.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C01B33/035 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 33/00 Silicio; Sus compuestos (C01B 21/00, C01B 23/00 tienen prioridad; persilicatos C01B 15/14; carburos C01B 32/956). › por descomposición o reducción de compuestos de silicio gaseosos o vaporizados en presencia de filamentos calientes de silicio, de carbono o de un metal refractario, p. ej. tántalo o tungsteno, o en presencia de varillas de silicio calientes sobre las cuales el silicio formado se deposita con obtención de una varilla de silicio, p. ej. proceso Siemens.
- C22C28/00 C […] › C22 METALURGIA; ALEACIONES FERROSAS O NO FERROSAS; TRATAMIENTO DE ALEACIONES O METALES NO FERROSOS. › C22C ALEACIONES (tratamiento de alegaciones C21D, C22F). › Aleaciones basadas en un metal no previsto por los grupos C22C 5/00 - C22C 27/00.
- C30B29/06 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Silicio.
- C30B29/08 C30B 29/00 […] › Germanio.
PDF original: ES-2589960_T3.pdf
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