Dispositivo para depositar nanotubos.

Dispositivo para depositar estructuras especialmente que contienen carbono,

por ejemplo capas en forma de nanotubos o grafeno sobre un sustrato (6), que es soportado por un soporte de sustrato (1) dispuesto en una carcasa de cámara de proceso (19) y que se extiende en un plano, en el que la carcasa de cámara de proceso (19) posee una estructura simétrica abatible con respecto a un plano y el soporte del sustrato (1) es un cuerpo plano que se extiende en el plano de simetría, cuyos dos lados anchos pueden llevar, respectivamente, un sustrato y frente a cada una de las dos superficies laterales anchas (2) del soporte del sustrato (1) se encuentra una placa de entrada de gas (24), que presenta orificios de salida de gas (39), de un órgano de entrada de gas (24, 25), en el que a través de los orificios de salida de gas (39) se puede alimentar un gas de proceso en dirección al sustrato (6), en el que la carcasa de cámara de proceso (19) presenta al menos una pared (48, 48') con cavidad (28), en el que la cavidad (28) está conectada por medio de orificios de alimentación de gas (40) con un volumen de gas, dispuesto detrás de la placa de entrada de gas (24), del órgano de entrada de gas (24, 25).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2015/055801.

Solicitante: AIXTRON SE.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Dornkaulstrasse 2 52134 Herzogenrath ALEMANIA.

Inventor/es: JOUVRAY,ALEXANDRE, RIPPINGTON,DAVID ERIC, TEO,KENNETH B. K, RUPESINGHE,NALIN L.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C01B32/05
  • C01B32/16
  • C01B32/182
  • C01B32/186
  • C23C16/26 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Deposición solamente de carbono.
  • C23C16/455 C23C 16/00 […] › caracterizado por el proceso utilizado para introducir gases en la cámara de reacción o para modificar las corrientes de gas en la cámara a reacción.
  • C23C16/458 C23C 16/00 […] › caracterizado por el proceso utilizado para mantener el sustrato en la cámara de reacción.
  • C23C16/46 C23C 16/00 […] › por la forma de calentar el sustrato (C23C 16/48, C23C 16/50 tienen prioridad).

PDF original: ES-2806474_T3.pdf

 

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