PROCEDIMIENTO DE FABRICACIÓN DE UN DISPOSITIVO TERMOELÉCTRICO, Y DISPOSITIVO TERMOELÉCTRICO ASÍ OBTENIDO.
Permite evitar los efectos adversos de la resistencia térmica de contacto existente entre las regiones de nanohilos (30) y la zona de calefacción,
consiguiendo así optimizar su rendimiento y eficiencia. Este dispositivo termoeléctrico está formado por una estructura (1) planar termoeléctrica, enteramente basada en silicio y compatible con tecnología CMOS, que presenta redes de nanohilos (30) de silicio fabricados a partir de técnicas de nanofabricación y distribuidos según "arrays" o matrices, estando dichos nanohilos (30) conectados térmicamente en paralelo y eléctricamente en serie. Procedimiento de fabricación de un dispositivo termoeléctrico que emplea la técnica del haz de iones focalizados (FIB) para fabricar nanohilos de silicio con una intercara rugosa. El dispositivo termoeléctrico está formado por una estructura planar compatible con tecnología CMOS, que presenta redes de nanohilos de silicio distribuidos según "arrays" o matrices, estando dichos nanohilos conectados térmicamente en paralelo y eléctricamente en serie.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2012/070041.
Solicitante: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS.
Nacionalidad solicitante: España.
Inventor/es: MAS COLOMINA,ROSER, MUÑOZ PASCUAL,FRANCESC XAVIER, ABAD MUÑOZ,Libertad, RODRÍGUEZ VIEJO,Javier, ÁLVAREZ QUINTANA,Jaime, LOPEANDÍA FERNÁNDEZ,Aitor.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- B82Y40/00 TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES. › B82 NANOTECNOLOGIA. › B82Y USOS O APLICACIONES ESPECIFICOS DE NANOESTRUCTURAS; MEDIDA O ANALISIS DE NANOESTRUCTURAS; FABRICACION O TRATAMIENTO DE NANOESTRUCTURAS. › Fabricación o tratamiento de nanoestructuras.
- H01L35/32 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 35/00 Dispositivos termoeléctricos que tienen una unión de materiales diferentes, es decir, que presentan el efecto Seebeck o el efecto Peltier, con o sin otros efectos termoeléctricos o termomagnéticos; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o al tratamiento de estos dispositivos de sus partes constitutivas; Detalles (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › caracterizados por la estructura o la configuración de la célula o del termopar que constituye el dispositivo.
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