BASES BIS(AMIDA) DE CINC.

Un compuesto de la fórmula general (I) (R 1 R 2 N)2-Zn·aMgX 1 2·bLiX 2 (I) R 1 y R 2 se seleccionan independientemente entre alquilo,

alquenilo o alquinilo lineal o ramificado, sustituido o sin sustituir o derivados sililo de los mismos y arilo o heteroarilo sustituido o sin sustituir y en que R 1 y R 2 pueden formar conjuntamente una estructura de anillo o R 1 y/o R 2 pueden formar parte de una estructura polimérica; sí; X 1 2 es un anión divalente o dos aniones monovalentes independientes entre X 2 es un anión monovalente; a es > 0; y b es > 0

La presente invención se refiere a bases bis(amida) de cinc, a la preparación de las mismas y al uso de las bases de cinc. [0002] La presente invención se refiere, en particular, a bases bis(amida) de cinc que pueden usarse para preparar compuestos metálicos de arilo y heteroarilo. La preparación de compuestos metálicos de arilo y heteroarilo puede llevarse a cabo por una reacción de intercambio de halógeno y metal (por ejemplo, intercambio de bromo y litio1), por inserción de un metal elemental en un enlace entre carbono y halógeno (por ejemplo, inserción de cinc en un enlace entre carbono y yodo2) o por metalación (desprotonación por medio de bases fuertes3). La reactividad de los halógenos para las reacciones de intercambio y las inserciones disminuye en el orden yodo, bromo, cloro. [0003] Sin embargo, en general, los compuestos de arilo o heteroarilo yodados son costosos y, normalmente, tampoco pueden almacenarse durante largo tiempo. Otra desventaja de las reacciones de intercambio y las inserciones, en particular, a una escala de reacción relativamente grande, es la formación de sales metálicas que, a veces, han de eliminarse por separado. Por lo tanto, es deseable proporcionar un procedimiento alternativo para la funcionalización de compuestos aromáticos y heteroaromáticos, basado en la activación del enlace C-H. [0004] La metalación de arenos es una de las transformaciones más útiles en la síntesis orgánica, porque permite la funcionalización regioselectiva de una gran diversidad de arenos y heteroarenos4. Los compuestos organolíticos son los reactivos de mayor reactividad5. Sin embargo, por lo general, en este caso las reacciones han de llevarse a cabo a temperaturas muy bajas para evitar reacciones secundarias. Además, a veces es necesario preparar los compuestos organolíticos, como LiTMP (TMP = 2,2,6,6-tetrametilpiperidina), in situ debido a su baja estabilidad6. [0005] Los compuestos organomagnésicos, como TMPMgCl·LiCl tienen mayor estabilidad, pero incluso en este caso, la tolerancia respecto a grupos funcionales sensibles como, por ejemplo, aldehídos y grupos nitro, es limitada7. [0006] Otro reactivo para la metalación de compuestos aromáticos es TMPZntBu2Li, cuyo alto nivel de actividad se basa en una especie cincato8. Sin embargo, en este caso tampoco pueden tolerarse, por ejemplo, las funciones aldehído. Otra base de cinc es la base neutra Zn(TMP)2. Sin embargo, en la bibliografía técnica solamente se conoce una formación de enolatos de amidas9. [0007] Por lo tanto, un objetivo de la presente invención es proporcionar un compuesto que permita la desprotonación y metalación de compuestos orgánicos de arilo y heteroarilo y que, al mismo tiempo, tolere varios grupos funcionales o no se vea afectado por estos. Otro objetivo de la presente invención es proporcionar un procedimiento para la preparación de un compuesto tal. Finalmente, un objetivo de la invención es proporcionar un uso de los compuestos según la invención. [0008] Estos objetivos se consiguen mediante los compuestos y los procedimientos como se definen por las características de las reivindicaciones independientes. [0009] Según un primer aspecto de la presente invención, se proporciona un compuesto de la fórmula general (I)

(R1R2N)2-Zn·aMgX12·bLiX2 (I) en que

R1 y R2 se seleccionan independientemente entre alquilo, alquenilo o alquinilo lineal o ramificado, sustituido o sin sustituir o derivados sililo de los mismos y arilo o heteroarilo sustituido o sin sustituir y en que R1 y R2 pueden formar conjuntamente una estructura de anillo o R1 y/o R2 pueden formar parte de una estructura polimérica;

X12 es un anión divalente o dos aniones monovalentes independientes entre

sí; X2 es un anión monovalente; a es > 0; y b es > 0.

Según una realización preferida de la presente invención, cada uno de R1 y/o R2 se selecciona independientemente entre alquilo C1-20 sustituido o sin sustituir, lineal o ramificado, preferentemente alquilo C1-10, con mayor preferencia alquilo C1-6 y con la máxima preferencia alquilo C2-5. [0011] Según otra realización preferida, cada uno de R1 y/o R2 se selecciona independientemente entre metilo, etilo, n-propilo, isopropilo, butilo, sec-butilo y tercbutilo. [0012] Según otra realización preferida adicional de la invención, cada uno de R1 y/o R2 se selecciona independientemente entre restos sililo, preferentemente restos sililo sustituidos con alquilo y, con preferencia especial, trimetilsililo, trietilsililo, triisopropilsililo y t-butildimetilsililo. [0013] En una realización especialmente preferida de la presente invención, R1 y R2 forman conjuntamente una estructura de anillo, preferentemente una estructura de anillo de alcanodiilo y, con preferencia especial, 1,1,5,5-tetrametilpentano-1,5-diilo.

Debido a la estructura de anillo que se forma, el átomo de nitrógeno que está coordinado con respecto al cinc central es parte de una estructura de anillo. Preferentemente, esta estructura de anillo puede ser 2,2,6,6-tetrametilpiperidina. Sin embargo, cualquier amina secundaria en que el átomo de nitrógeno es parte de una estructura de anillo es posible. Además, es posible que al menos uno de los átomos de nitrógeno sea parte de una estructura polimérica. De este modo, la base de cinc se halla fijada a un polímero. En una realización preferida especialmente, solamente uno de los átomos de nitrógeno es parte de una estructura polimérica y el otro átomo de nitrógeno es parte de una amina secundaria. [0014] En otra realización preferida adicional de la presente invención, X1 y/o X2 se seleccionan independientemente entre sí del grupo que consta de F; Cl; Br; I; CN; SCN; NCO; HalOn, en que n = 3 ó 4 y Hal se selecciona entre Cl, Br e I; NO3; BF4; PF6; SO4; H; un carboxilato de la fórmula general RXCO2; un tiolato de la fórmula general SRX; un alcoholato de la fórmula general ORX; RXP(O)O2; SCORX; SCSRX; OjSRX, en que j = 2 ó 3; o NOr, en que r = 2 ó 3; y derivados de los mismos; en que RX es un arilo C4-C24 sustituido o sin sustituir o un heteroarilo C3-C24 que contiene uno [0015] o más heteroátomos, como B, O, N, S, Se, P o Si; un alquilo C1-C20, alquenilo C2-C20 o alquinilo C2-C20 lineal o ramificado, sustituido o sin sustituir; o un clicloalquilo C3-C20 sustituido o sin sustituir; o derivados de los mismos; o H. También es posible que X12 sea un anión divalente como, por ejemplo, SO4. En otra realización, X12 puede estar formado a partir de dos iones monovalentes diferentes, es decir, X1' y X1'' están adyacentes en la fórmula (R1R2N)2-Zn·aMgX1'X1''·bLiX2, en que X1' y X1'' son iones monovalentes diferentes. X1' y X1'' pueden tener la misma definición que X1, independientemente entre sí. [0016] En un desarrollo especialmente preferido de la invención, X1 y/o X2 se seleccionan independientemente entre Cl, Br e I y, preferentemente, X1 y/o X2 son Cl. [0017] En otra realización de la presente invención, a y/o b están independientemente en el intervalo de 0,01 a 5, preferentemente de 0,5 a 3, aún con mayor preferencia de 0,9 a 2,5 y con la máxima preferencia son aproximadamente 2. [0018] Un segundo aspecto de la presente invención se refiere a un procedimiento para la preparación de un compuesto como se ha definido anteriormente, que comprende las etapas de:

- proporcionar una sal que contiene cinc;

- añadir una base amida de magnesio de la fórmula (R1R2N)aMgX1·bLiX2, en que R1 y R2, X1 y X2 y a y b son como se han definido anteriormente. [0019] Según una realización preferida, la reacción se lleva a cabo en un disolvente. La base amida de magnesio puede estar disuelta en un disolvente, preferentemente en un disolvente seleccionado del grupo que consta de monoéteres o poliéteres cíclicos, lineales o ramificados, tioéteres, aminas, fosfinas y derivados de los mismos que contienen uno o más heteroátomos adicionales, seleccionados entre O, N, S y P, preferentemente tetrahidrofurano (THF), 2-metiltetrahidrofurano, dibutiléter, dietiléter, terc-butilmetiléter, dimetoxietano, dioxanos, preferentemente 1,4-dioxano, trietilamina, etildiisopropilamina, sulfuro de dimetilo, sulfuro de dibutilo; amidas cíclicas y lineales, preferentemente N-metil-2-pirrolidona (NMP), N-etil-2-pirrolidona (NEP), N-butil-2-pirrolidona (NBP), N,N-dimetilacetamida (DMAC); alcanos y/o alquenos cíclicos, lineales o ramificados, en que uno o más átomos de hidrógeno están sustituidos por halógeno, preferentemente diclorometano, 1,2-dicloroetano, CCl4; derivados de urea, preferentemente N,N'-dimetilpropilenurea (DMPU), N,N,N',N'tetrametilurea; hidrocarburos aromáticos, heteroaromáticos o alifáticos, preferentemente benceno, tolueno, xileno, piridina, pentano, ciclohexano,...

1. Un compuesto de la fórmula general (I)

(R1R2N)2-Zn·aMgX12·bLiX2 (I) en que

R1 y R2 se seleccionan independientemente entre alquilo, alquenilo o alquinilo lineal o ramificado, sustituido o sin sustituir o derivados sililo de los mismos y arilo o heteroarilo sustituido o sin sustituir y en que R1 y R2 pueden formar conjuntamente una estructura de anillo o R1 y/o R2 pueden formar parte de una estructura polimérica;

X12 es un anión divalente o dos aniones monovalentes independientes entre sí;

X2 es un anión monovalente;

a es > 0; y

b es > 0.

2. El compuesto según la reivindicación 1, caracterizado porque cada uno de R1 y/o R2 se selecciona independientemente entre alquilo C1-20 sustituido o sin sustituir, lineal o ramificado, preferentemente alquilo C1-10, con mayor preferencia alquilo C1-6 y con la máxima preferencia alquilo C2-5.

3. El compuesto según una o más de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque R1 y/o R2 se seleccionan independientemente entre restos sililo, preferentemente restos sililo sustituidos con alquilo y con mayor preferencia trimetilsililo, trietilsililo, triisopropilsililo y t-butildimetilsililo.

4. El compuesto según la reivindicación 1, caracterizado porque R1 y R2 forman conjuntamente una estructura de anillo, preferentemente una estructura de anillo de alcanodiilo y con preferencia especial, 1,1,5,5-tetrametilpentano-1,5-diilo.

5. El compuesto según una o más de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque X1 se selecciona del grupo que consta de F; Cl; Br; I; CN; SCN; NCO; HalOn, en que n = 3 ó 4 y Hal se selecciona entre Cl, Br e I; NO3; BF4; PF6; SO4; H; un carboxilato de la fórmula general RXCO2; un tiolato de la fórmula general SRX; un alcoholato de la fórmula general ORX; RXP(O)O2; SCORX; SCSRX; OjSRX, en

que j = 2 ó 3; o NOr, en que r = 2 ó 3; y derivados de los mismos; en que RXes un arilo C4-C24 sustituido o sin sustituir o un heteroarilo C3-C24 que contiene uno o más heteroátomos, como B, O, N, S, Se, P o Si; un alquilo C1-C20, alquenilo C2-C20 o alquinilo C2-C20 lineal o ramificado, sustituido o sin sustituir; o un clicloalquilo C3-C20 sustituido o sin sustituir; o derivados de los mismos; o H.

6. El compuesto según una o más de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque X2 se selecciona del grupo que consta de F; Cl; Br; I; CN; SCN; NCO; HalOn, en que n = 3 ó 4 y Hal se selecciona entre Cl, Br e I; NO3; BF4; PF6; SO4; H; un carboxilato de la fórmula general RXCO2; una disilazida de la fórmula general (RX3Si)2N; un tiolato de la fórmula general SRX; un alcoholato de la fórmula general ORX; RXP(O)O2; SCORX; SCSRX; una amina de la fórmula general RXNH; una dialquil o diarilamina de la fórmula general RX2N, en que RX es como se define a continuación o RX2N representa una alquilamina cíclica; una fosfina de la fórmula general PRX2, en que RX es como se define a continuación o PRX2 representa una fosfina cíclica; OjSRX, en que j = 2 ó 3; o NOr, en que r = 2 ó 3; y derivados de los mismos; en que RX es un arilo C4-C24 sustituido o sin sustituir o un heteroarilo C3-C24 que contiene uno o más heteroátomos, como B, O, N, S, Se, P o Si; un alquilo C1-C20, alquenilo C2-C20 o alquinilo C2-C20 lineal o ramificado, sustituido o sin sustituir; o un clicloalquilo C3-C20 sustituido o sin sustituir; o derivados de los mismos; o H.

7. El compuesto según una o más de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque a está en el intervalo de 0,01 a 5, preferentemente de 0,5 a 3, con mayor preferencia de 0,9 a 2,5 y con la máxima preferencia es aproximadamente 2.

8. El compuesto según una o más de las reivindicaciones precedentes, caracterizado porque b está en el intervalo de 0,01 a 5, preferentemente de 0,5 a 3, con mayor preferencia de 0,9 a 2,5 y con la máxima preferencia es aproximadamente 2.

9. Un procedimiento para la preparación de un compuesto según una o más

de las reivindicaciones precedentes que comprende las etapas de:

- proporcionar una sal que contiene cinc;

- añadir una base amida de magnesio de la fórmula (R1R2N)

aMgX1·bLiX2, en que R1 y R2 se seleccionan independientemente entre alquilo, alquenilo o alquinilo lineal o ramificado, sustituido o sin sustituir o derivados sililo de los mismos y arilo o heteroarilo sustituido o sin sustituir y en que R1 y R2 pueden formar conjuntamente una estructura de anillo o R1 y/o R2 pueden formar parte de una estructura polimérica;

X12 es un anión divalente o dos aniones monovalentes independientes entre sí;

X2 es un anión monovalente;

a es > 0; y

b es > 0.

10. El procedimiento según la reivindicación 9, caracterizado porque la base amida de magnesio está disuelta en un disolvente, preferentemente en un disolvente seleccionado del grupo que consta de monoéteres o poliéteres cíclicos, lineales o ramificados, tioéteres, aminas, fosfinas y derivados de los mismos que contienen uno o más heteroátomos adicionales, seleccionados entre O, N, S y P, preferentemente tetrahidrofurano (THF), 2-metiltetrahidrofurano, dibutiléter, dietiléter, tercbutilmetiléter, dimetoxietano, dioxanos, preferentemente 1,4-dioxano, trietilamina, etildiisopropilamina, sulfuro de dimetilo, sulfuro de dibutilo; amidas cíclicas y lineales, preferentemente N-metil-2-pirrolidona (NMP), N-etil-2-pirrolidona (NEP), Nbutil-2-pirrolidona (NBP), N,N-dimetilacetamida (DMAC); alcanos y/o alquenos cíclicos, lineales o ramificados, en que uno o más átomos de hidrógeno están sustituidos por halógeno, preferentemente diclorometano, 1,2-dicloroetano, CCl4; derivados de urea, preferentemente N,N'-dimetilpropilenurea (DMPU), N,N,N',N'tetrametilurea; hidrocarburos aromáticos, heteroaromáticos o alifáticos, preferentemente benceno, tolueno, xileno, piridina, pentano, ciclohexano, hexano, heptano; triamida hexametilfosfórica (HPMA), CS2; o combinaciones de los mismos.

11. El procedimiento según una o más de las reivindicaciones 9 a 10, caracterizado porque la adición se lleva a cabo en un intervalo de temperaturas de 80°C a 100°C, preferentemente de -25°C a 50°C y con la máxima preferencia de 0°C a 30°C.

12. El procedimiento según una o más de las reivindicaciones 9 a 11, caracterizado porque la sal que contiene cinc se seca antes de la adición de la base amida de magnesio en vacío y/o a una temperatura por encima de 50°C, con mayor

preferencia por encima de 100°C e, incluso con mayor preferencia, por encima de 150°C.

13. El procedimiento según una o más de las reivindicaciones 9 a 12,

5 caracterizado porque la concentración de la base amida de magnesio al añadirla a la sal que contiene cinc está en el intervalo de 0,01 a 3 M, preferentemente en el intervalo de 0,1 a 1,5 M y, con la máxima preferencia, en el intervalo de 0,5 a 1,2 M.

14. El procedimiento según una o más de las reivindicaciones 9 a 13, caracterizado porque la concentración de la base amida de cinc resultante está en el intervalo de 0,01 a 2 M, preferentemente en el intervalo de 0,05 a 1 M y, con la máxima preferencia, en el intervalo de 0,1 a 0,6 M.

15. El procedimiento según una o más de las reivindicaciones 9 a 14, caracterizado porque la sal que contiene cinc se disuelve en un disolvente antes de la adición de la base amida de magnesio.