UN METODO BASADO EN OXIDO DE FABRICACION DE PELICULAS DE SEMICONDUCTOR COMPUESTO Y DE FABRICACION DE DISPOSITIVOS ELECTRONICOS RELACIONADOS.
Un procedimiento para formar una lámina compuesta incluye las etapas de preparación de un material fuente,
depositar el material fuente sobre una base y formar una lámina de preparación a partir del material fuente, calentar la lámina de preparación en una atmósfera adecuada para formar una lámina precursora, y proporcionar el material adecuado para dicha lámina precursora para formar la lámina compuesta. El material fuente incluye partículas que contienen óxido de elementos de los grupos IB y IIIA. La lámina precursora incluye elementos que no son óxidos de los grupos IB y IIIA. La lámina compuesta incluye un compuesto del grupo IB-IIIA-VIA. Los óxidos pueden constituir más del 95% molar de elementos del grupo IB y más del 95% molar de elementos del grupo IIIA en el material fuente. De manera similar, los compuestos que no son óxidos pueden constituir más del 95% molar de elementos del grupo IB y más del 95% molar de elementos del grupo IIIA en la lámina precursora. La relación molar entrelos elementos del grupo IB y los del grupo IIIA en el material fuente puede ser mayor de aproximadamente 0,6 y menor de aproximadamente 1,0, o sustancialmente mayor de 1,0, en cuyo caso esta relación en la lámina compuesta se puede reducir a mayor de aproximadamente 0,6 y menor de aproximadamente 1,0. Se puede preparar el material fuente como una tinta a partir de partículas pulverulentas. Las partículas que contienen óxido pueden incluir un dopante, como también la lámina compuesta. Las láminas compuestas que incluyen un compuesto del grupo IIB-IVA-VA pueden sustituirse utilizando las sustituciones adecuadas según el procedimiento. También puede aplicarse el procedimiento para fabricar celdas solares y otros dispositivos electrónicos.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: INTERNATIONAL SOLAR ELECTRIC TECHNOLOGY, INC.
Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.
Dirección: 8635 AVIATION BOULEVARD,INGLEWOOD, CA 90301.
Inventor/es: KAPUR,VIJAY K.,INTER. SOLAR ELEC. TECH.,INC, BASOL,BULENT M.,INTER. SOLAR ELEC. TECH.,INC, LEIDHOLM,CRAIG R.,INTER. SOLAR ELEC. TECH.,INC, ROE,ROBERT A.,INTER. SOLAR ELEC. TECH.,INC.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 30 de Junio de 1999.
Fecha Concesión Europea: 15 de Agosto de 2007.
Clasificación PCT:
- C01B19/00 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › Selenio; Teluro; Sus compuestos.
- H01L21/365 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico.
- H01L31/032 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
- H01L31/0336 H01L 31/00 […] › en regiones semiconductoras diferentes, p. ej. Cu 2 X/CdX, hetero-uniones, siendo X un elemento del Grupo VI de la clasificación periódica.
- H01L31/04 H01L 31/00 […] › adaptados como dispositivos de conversión fotovoltaica [PV] (ensayos de los mismos durante la fabricación H01L 21/66; ensayos de los mismos después de la fabricación H02S 50/10).
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Eslovenia, Finlandia, Rumania, Chipre, Lituania, Letonia, Ex República Yugoslava de Macedonia, Albania.
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