Procedimiento para fabricar una película delgada a base de CI(G)S fotovoltaica mediante el uso de un fundente con un punto de fusión bajo.

Un procedimiento de fabricación de una película delgada a base de CI(G)S para una celda solar mediante el uso de un fundente que tiene un punto de fusión bajo,

comprendiendo el procedimiento las etapas de:

(a) preparar nanopartículas a base de CI(G)S;

(b) preparar una suspensión que contiene las nanopartículas a base de CI(G)S y un fundente que tiene un punto de fusión de 30 a 400 °C;

(c) recubrir la suspensión sobre un sustrato sin vacío para formar una película delgada precursora a base de CI(G)S;

(d) secar la película delgada precursora a base de CI(G)S; y

(e) realizar un tratamiento térmico de selenización de la película delgada precursora a base de CI(G)S mediante el uso de vapor de selenio (Se) a una temperatura de 250 a 450 °C durante 30-120 minutos, caracterizado porque el fundente es uno cualquiera seleccionado del grupo que consiste en sulfamida, selenato de sodio decahidratado, selenito de sodio y ácido sulfámico.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/KR2013/000804.

Solicitante: KOREA INSTITUTE OF ENERGY RESEARCH.

Inventor/es: PARK,SANG HYUN, EO,YOUNG-JOO, YOON,KYUNG-HOON, AHN,SEJIN, GWAK,JIHYE, YUN,JAE-HO, CHO,ARA, SHIN,KEE-SHIK, AHN,SEOUNGKYU, CHO,JUN-SIK, YOO,JIN-SU, PARK,JOO-HYUNG.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L31/032 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente compuestos no cubiertos por los grupos H01L 31/0272 - H01L 31/0312.
  • H01L31/042 H01L 31/00 […] › Módulos fotovoltaicos o conjuntos de células individuales fotovoltaicos (las estructuras de soporte de los módulos fotovoltaicos H02S 20/00).
  • H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

PDF original: ES-2805312_T3.pdf

 

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