PRODUCCION DE POLVO MONOCRISTALINO Y DE UNA MEMBRANA MONOGRANO.
Procedimiento para la producción de un polvo monocristalino,
que está constituido de material semiconductor, que comprende un sistema multisubstancia de al menos tres componentes, donde un componente es un elemento del grupo 11º IUPAC, con las etapas: a) se mezclan los componentes correspondientes del material semiconductor o sus sales con un fundente; b) se ajusta una temperatura, que está por encima del punto de fusión del fundente y por debajo del punto de fusión del polvo monocristalino a producir; c) se separa por cristalización el polvo monocristalino; d) se refrigera la colada, con objeto de la interrupción del crecimiento del polvo monocristalino.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: FORSCHUNGSZENTRUM JILICH GMBH.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WILHELM-JOHNEN-STRASSE ,52425 JULICH.
Inventor/es: ALTOSAAR, MARE, MELLIKOV, ENN, MEISSNER, DIETER.
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 23 de Junio de 1999.
Fecha Concesión Europea: 21 de Agosto de 2002.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B29/46 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Compuestos que contienen azufre, selenio o teluro.
- C30B29/48 C30B 29/00 […] › Compuestos A II B VI.
- C30B9/00 C30B […] › Crecimiento de monocristales a partir de baños fundidos utilizando solventes fundidos (por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; por fusión de zona C30B 13/00; por estirado del cristal C30B 15/00; sobre un germen cristalino sumergido C30B 17/00; por crecimiento epitaxial a partir de la fase líquida C30B 19/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Grecia, Italia, Liechtensein, Luxemburgo, Países Bajos, Suecia, Mónaco, Portugal, Irlanda, Finlandia, Chipre, Oficina Europea de Patentes.
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