CRISTAL SENCILLO DE SULFURO SODICO ANHIDRO Y METODO PARA OBTENERLO.
SE DESCRIBEN CRISTALES SENCILLOS DE SULFURO SODICO ANHIDRO Y UN METODO PARA OBTENERLO,
CARACTERIZADO PORQUE EL METODO CONSISTE EN CONCENTRAR UNA DISOLUCION ACUOSA DE SULFURO SODICO A UNA TEMPERATURA DE 97 (GRADOS) C O MAS ALTA, CONTENIENDO LA DISOLUCION 2-15 % EN PESO DE NAOH APROXIMADAMENTE EN BASE A LA DISOLUCION ACUOSA, PARA PRECIPITAR CRISTALES SENCILLOS DE SULFURO SODICO ANHIDRO A PARTIR DE LA DISOLUCION ACUOSA. LA FIG. 1 ES UNA CURVA QUE MUESTRA LA SOLUBILIDAD DE LOS HIDRATOS DE SULFURO SODICO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SANKYO KASEI CO., LTD.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: WATANABEBASHI BUILDING 7F 4-16, 1-CHOME, DOJIMA-HAMA KITAKU, OSAKA 530.
Inventor/es: MAEDA, KANNOSUKE, AOYAMA, YOSHIO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 10 de Marzo de 1993.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C01B17/22 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 17/00 Azufre; Sus compuestos. › Sulfuros o polisulfuros de metales alcalinos.
- C30B29/46 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Compuestos que contienen azufre, selenio o teluro.
- C30B7/04 C30B […] › C30B 7/00 Crecimiento de monocristales a partir de soluciones utilizando solventes líquidos a temperatura ordinaria, p. ej. a partir de soluciones acuosas (a partir de solventes fundidos C30B 9/00; por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; bajo un fluido protector C30B 27/00). › utilizando solventes acuosos.
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