MACROCRISTALES DE ALUMINIO ALFA EN FORMA DE PLAQUITAS Y PROCESO DE OBTENCION.
LA INVENCION TIENE POR OBJETO MACROCRISTALES DE ALUMINIO (ALFA) EN FORMA DE PLAQUITAS HEXAGONALES MONOCRISTALINAS.
CONSTA TAMBIEN DE UN PROCESO DE FABRICACION DE ESTOS MACROCRISTALES POR CALCINACION DE ALUMINA, POR EJEMPLO ALUMINA DE TRANSICION, Y EN PRESENCIA DE UN FUNDENTE FLUORADO A UNA TEMPERATURA RELATIVAMENTE BAJA. LOS MACROCRISTALES DE ALUMINA (ALFA) PUEDEN SER UTILIZADOS COMO MATERIALES DE REFUERZO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: ELF ATOCHEM S.A..
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 4 & 8, COURS MICHELET LA DEFENSE 10, F-92800 PUTEAUX.
Inventor/es: BACHELARD, ROLAND, FAURE, ANNICK.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 8 de Diciembre de 1993.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B29/20 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Oxidos de aluminio.
- C30B9/00 C30B […] › Crecimiento de monocristales a partir de baños fundidos utilizando solventes fundidos (por simple solidificación o en un gradiente de temperatura C30B 11/00; por fusión de zona C30B 13/00; por estirado del cristal C30B 15/00; sobre un germen cristalino sumergido C30B 17/00; por crecimiento epitaxial a partir de la fase líquida C30B 19/00; bajo un fluido protector C30B 27/00).
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