16 inventos, patentes y modelos de NORDAL, PER-ERIK

DISPOSITIVO DE MEMORIA NO VOLATIL.

(01/06/2007) Un dispositivo de memoria no volátil que comprende un material de memoria dieléctrico polarizable eléctricamente con propiedades ferroeléctricas o de electreto y capaz de presentar una histéresis y una remanencia, en el que el material de memoria comprende uno o más polímeros, en el que el material de memoria está previsto en contacto con una primera serie y una segunda serie de respectivos electrodos (WL;BL) para operaciones de escritura, lectura y borrado, en el que una célula de memoria con una estructura a modo de condensador está definida en el material de memoria y puede ser accedida directa o indirectamente por vía de los electrodos (WL;BL) en el que las células de memoria del dispositivo de memoria …

LECTURA NO DESTRUCTIVA.

(16/03/2007) Un procedimiento para determinar un estado lógico de células de memoria seleccionadas, proporcionadas en un dispositivo pasivo de almacenamiento de datos, matricialmente direccionable, que contiene líneas de palabra y de bit (LP; LB), en el cual a un estado lógico específico se asigna un único valor lógico, según un protocolo predeterminado, en donde dichas células almacenan datos en forma de un estado de polarización eléctrica en estructuras similares a condensadores, que comprenden un material polarizable, en particular, un material ferroeléctrico o 'electret', capaz de manifestar histéresis, en donde dicho material polarizable…

CAPAS DE MEMORIA PLEGADAS.

(16/04/2006) Un dispositivo de memoria volumétrica ferroeléctrica o electret, en el cual se proporciona en sándwich un material de memoria ferroeléctrica o electret entre capas de electrodo primera y segunda, respectivamente, que comprende electrodos a modo de bandas paralelas primera y segunda que forman líneas(2a) de palabras y líneas de bit (4a) de un conjunto (M) ordenado de memoria de matriz direccionable, en el cual las líneas de palabras y las líneas de bit del conjunto (M) ordenado están orientadas sustancialmente según ángulos rectos entre si, en el cual las celdas de memoria están definidas en volúmenes de material de memoria dispuestos a modo de sándwich entre líneas de palabras y líneas de bit cruzadas…

CELDA DE MEMORIA.

Secciones de la CIP Física Electricidad

(01/02/2006). Ver ilustración. Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/22, H01L51/20, H01L23/532, H01L51/30.

Una celda de memoria que comprende un material polimérico de memoria con propiedades ferroeléctricas o de electreto y capaz de ser polarizado y de mostrar histéresis, en la que el material polimérico de memoria se proporciona en contacto con los electrodos primero y segundo , caracterizada porque el. material polimérico de memoria es una mezcla de al menos un primer y un segundo material polimérico (2a; 2b), siendo dicho primer material polimérico un material polimérico ferroeléctrico o de electreto, y porque cada electrodo es un electrodo multicapa compuesto que comprende una primera capa (3a; 4a) de material altamente conductor y una segunda capa (3b; 4b) de polímero conductor, formando el polímero conductor una capa de contacto entre el material altamente conductor (3a; 4a) y el material de memoria.

PROCEDIMIENTO DE LECTURA NO DESTRUCTIVA Y APARATO PARA UTILIZAR CON EL PROCEDIMIENTO.

(16/09/2005) Un procedimiento para determinar un estado lógico de un elemento de memoria en un dispositivo de almacenamiento de datos, en el cual dicho elemento almacena datos en forma de un estado de polarización eléctrica de un condensador que contiene un material polarizable, en el cual dicho material polarizable es capaz de mantener una polarización eléctrica que no se pierde en ausencia de una tensión aplicada externamente sobre dicho condensador, y de generar una corriente de respuesta a una tensión aplicada, comprendiendo dicha corriente de respuesta unos componentes lineales y no lineales, y cuyo procedimiento consiste en: aplicar sobre dicho condensador una primera tensión de señal débil cronodependiente, teniendo dicha tensión de señal débil una amplitud y/o una duración inferiores a las requeridas para provocar un cambio permanente…

CIRCUITO DE MEMORIA FERROELECTRICA O ELECTRET.

(01/09/2005) Un circuito de memoria ferroeléctrica o electret (C), en concreto, un circuito de memoria ferroeléctrica o electret con una resistencia a la fatiga mejorada, que comprende una celda de memoria con un material de memoria ferroeléctrica o electret , que presenta histéresis y es capaz de ser polarizado a un estado de polarización positivo o negativo con un determinado valor de polarización, en el que el material de memoria ferroeléctrica o electret es un material polimérico u oligomérico, o mezclas o materiales compuestos que comprenden materiales de este tipo, y con el primer y segundo electrodo (1a y 1b) dispuestos en contacto directo o indirecto con el material de memoria, en una disposición tal que mediante…

APARATO OPTOELECTRONICO DE DIRECCIONAMIENTO MATRICIAL Y MEDIOS DE ELECTRODOS DEL MISMO.

(01/08/2005) Aparato optoelectrónico direccionable matricialmente que comprende un medio funcional en forma de material optoelectrónicamente activo dispuesto en una capa global emparedada entre un primer y un segundo medios de electrodos (EM1, EM2), cada uno con electrodos paralelos , en forma de cinta, en el que los electrodos del segundo medio de electrodos (EM2) están orientados en ángulo respecto de los otros electrodos del primer medio de electrodos (EM1), en el que los elementos funcionales están conformados en volúmenes del material activo definidos en las superposiciones respectivas entre los electrodos del primer medio de electrodos…

PROCEDIMIENTO PARA REALIZAR OPERACIONES DE ESCRITURA Y LECTURA EN UNA MEMORIA MATRICIAL PASIVA Y APARATO PARA LA REALIZACION DEL PROCEDIMIENTO.

(01/08/2005) Un procedimiento para efectuar operaciones de escritura y lectura en un conjunto de celdas de memoria de direccionamiento matricial que comprenden un material eléctricamente polarizable que presenta remanencia de polarización, en particular un material electreto o ferroeléctrico, en el cual un valor lógico almacenado en una celda de memoria está representado por un estado real de polarización de la celda de memoria y se determina detectando un flujo de carga hacia o desde dicha celda de memoria en respuesta a la aplicación de unas tensiones sobre las líneas de palabras y las líneas de bits para direccionar las celdas de memoria del conjunto, en el cual la detección del flujo de carga…

DIRECCIONAMIENTO DE UNA MATRIZ DE MEMORIA.

(01/06/2005) Método para el control de una pantalla o dispositivo de memoria direccionable por matriz pasiva, de células que comprenden un material polarizable eléctricamente que muestra histéresis, en particular un material ferroeléctrico, en el que el estado de polarización de células individuales, seleccionables separadamente, se puede cambiar al estado deseado por aplicación de potenciales eléctricos o voltajes eléctricos a líneas de palabras y de bits que forman una matriz de direccionado, y en el que el método comprende el establecimiento de un protocolo pulsante de voltaje con n niveles de voltaje o potencial, n>_3, de manera…

DISPOSITIVO FERROELECTRICO DE TRATAMIENTO DE DATOS.

(01/02/2005) En un dispositivo de procesamiento de datos ferroeléctrico para el procesamiento y/o almacenamiento de datos con direccionamiento pasivo o eléctrico se usa un medio de transporte de datos en forma de película fina de material ferroeléctrico que con un campo eléctrico aplicado se polariza para determinar los estados de polarización o conmutación entre ellos y se proporciona como una capa continua en o adyacente a unas estructuras de electrodos con forma de matriz. Un elemento lógico se forma en la intersección entre un electrodo x y un electrodo y de la matriz de electrodos. El elemento lógico se direcciona aplicando a los electrodos un voltaje mayor que el campo coercitivo del material ferroeléctrico. Dependiendo del estado de polarización y la forma del bucle de histéresis del material ferroeléctrico se obtiene una detección…

METODO PARA EL TRATAMIENTO DE PELICULAS POLIMERICAS ULTRAFINAS.

(01/12/2004) Método para la preparación de películas ultrafinas de materiales que contienen carbono, en particular películas finas de materiales poliméricos, en donde las películas tienen un espesor de 0, 5 m o menos, en donde las películas se forman mediante la deposición de los materiales a partir de una fase líquida sobre una superficie sólida, en donde la fase líquida está formada por el material en estado fundido o disuelto en un disolvente, en donde la deposición tiene lugar en un recinto, siendo el recinto particularmente una habitación limpia o un cubículo cerrado de una instalación de producción, y en donde los materiales son capaces de exhibir propiedades ferroeléctricas y/o de electreto tras un tratamiento…

DISPOSITIVO PASIVO DIRECCIONABLE ELECTRICAMENTE, METODO PARA EL DIRECCIONAMIENTO ELECTRICO DEL MISMO, UTILIZACION DEL DISPOSITIVO Y DEL METODO.

(16/12/2003) La invención se refiere a un dispositivo pasivo eléctricamente direccionable que permite registrar, almacenar y/o tratar datos. Este dispositivo está constituido por un soporte funcional que presenta una forma continua o con motivos (S) que puede experimentar un cambio de estado físico o químico. El soporte funcional comprende células individualmente direccionables que representan un valor registrado o detectado o a las que se afecta un valor lógico predeterminado para la célula. La célula se coloca entre el ánodo y el cátodo en un órgano de electrodos (E) que está en contacto con e soporte funcional en la célula y conlleva un acoplamiento eléctrico, presentando el soporte funcional una impedancia no lineal. La célula puede ser alimentada directamente de energía, lo que modifica…

MEMORIA DE SOLO LECTURA Y DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SOLO LECTURA.

Secciones de la CIP Física Electricidad

(16/09/2002). Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/56, G11C17/10, H01L27/102.

material del sustrato.

MEMORIA DE SOLO LECTURA Y DISPOSITIVO DE MEMORIA DE SOLO LECTURA.

Secciones de la CIP Física Electricidad

(16/09/2002). Solicitante/s: THIN FILM ELECTRONICS ASA. Clasificación: G11C11/56, G11C17/10, H01L27/102.

material del sustrato.

MEDIO DE ALMACENAMIENTO DE DATOS Y METODOS PARA REGISTRAR Y LEER DATOS.

Sección de la CIP Física

(16/10/1994). Solicitante/s: DYNO PARTICLES A.S. Clasificación: G11B7/24, G11B7/00, G11C13/04.

UN MEDIO OPTICO DE ALMACENAMIENTO DE DATOS CON REMANENTE QUE TIENE PROPIEDADES OPTICAS CAMBIANTES, POR EJEMPLO, PODER REFLEJANTE CAMBIANTE COMO RESULTADO DE ILUMINACION SUFICIENTEMENTE INTENSA, DEBIDO A QUEMADO EN LA PELICULA, SE MUESTRA CON ESTRUCTURAS OPTICAS CERCANAS AL REMANENTE PARA ENFOCAR Y SITUAR DURANTE LA GRABACION Y LECTURA DE BITS DE DATOS INTERPRETABLES INDIVIDUALMENTE (SPOTS). LAS ESTRUCTURAS OPTICAS PREFERIBLEMENTE SON ESFERAS TRANSPARENTES MONODISPERSAS CON UN DIAMETRO ENTRE 1 Y 100 MICROMILIMETROS. LA ILUMINACION ES SELECTIVA A PARTIR DE UNA SERIE DE ANGULOS PREDETERMINADOS (UI, FI J) DURANTE LA GRABACION Y LECTURA, Y EL NUMERO DE SPOTS DE DATOS INDIVIDUALES BAJO CADA ESFERA CORRESPONDEN APROXIMADAMENTE AL NUMERO DE ANGULOS.

METODO Y APARATO PATA LA CARACTERIZACION Y/O CONTROL DE SUSTANCIAS MATERIALES Y OBJETOS.

Sección de la CIP Física

(16/03/1988). Solicitante/s: KANOR A.S. Clasificación: G01N21/71.

SE DESCRIBEN UN METODO Y UN APARATO PARA LA CARACTERIZACION Y/O CONTROL DE SUSTANCIAS,MATERIALES Y OBJETOS, EN BASE A MEDIOS PARA LA EXCITACION TERMICA SOBRE EL OBJETO Y UN SISTEMA DE DETECCION DESTINADO A MEDIR LOS CAMBIOS RESULTANTES DE RADIACION TERMICA DEL OBJETO. SE INCLUYEN MEDIOS PARA PROPORCIONAR UN MOVIMIENTO RELATIVO ENTRE LOS MEDIOS DE EXCITACION TERMICA , O RESPECTIVAMENTE EL SISTEMA DE DETECCION Y EL OBJETO . LOS MEDIOS DE EXCITACION ESTAN DESTINADOS A SUMINISTRAR UNA EXCITACION TERMICA CONTINUA QUE PUEDE SER CALENTAMIENTO O ENFRIAMIENTO POR CONTACTO MECANICO, CON GAS O CON UNA LLAMA, ULTRASONIDOS O UN HAZ ELECTRONICO O POSIBLEMENTE OTRO HAZ DE PARTICULAS O RADIACION ELECTROMAGNETICA.

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