DISPOSITIVO FERROELECTRICO DE TRATAMIENTO DE DATOS.
En un dispositivo de procesamiento de datos ferroeléctrico para el procesamiento y/o almacenamiento de datos con direccionamiento pasivo o eléctrico se usa un medio de transporte de datos en forma de película fina (1) de material ferroeléctrico que con un campo eléctrico aplicado se polariza para determinar los estados de polarización o conmutación entre ellos y se proporciona como una capa continua en o adyacente a unas estructuras de electrodos con forma de matriz.
Un elemento lógico (4) se forma en la intersección entre un electrodo x (2) y un electrodo y (3) de la matriz de electrodos. El elemento lógico (4) se direcciona aplicando a los electrodos (2, 3) un voltaje mayor que el campo coercitivo del material ferroeléctrico. Dependiendo del estado de polarización y la forma del bucle de histéresis del material ferroeléctrico se obtiene una detección distinta del estado de polarización en el elemento lógico (4) y también es posible conmutar entre los estados de polarización del elemento lógico que, por tanto, pueden ser usados para la implementación de un conmutador biestable o una celda de memoria. El dispositivo de procesamiento de datos de acuerdo a la invención puede ser apilado en forma de capas si las capas separadas se separan por una capa aislante eléctrica y ser usada, por tanto, para la implementación de dispositivos de procesamiento de datos volumétricos.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: THIN FILM ELECTRONICS ASA.
Nacionalidad solicitante: Noruega.
Dirección: P.O. BOX 1872 VIKA,0124 OSLO.
Inventor/es: NORDAL, PER-ERIK, GUDESEN, HANS, GUDE, LEISTAD, GEIRR, I..
Fecha de Publicación: .
Fecha Solicitud PCT: 13 de Agosto de 1998.
Fecha Concesión Europea: 2 de Junio de 2004.
Clasificación Internacional de Patentes:
- G11C11/22 FISICA. › G11 REGISTRO DE LA INFORMACION. › G11C MEMORIAS ESTATICAS (dispositivos semiconductores para memorias H01L, p. ej. H01L 27/108 - H01L 27/11597). › G11C 11/00 Memorias digitales caracterizadas por la utilización de elementos de almacenamiento eléctricos o magnéticos particulares; Elementos de almacenamiento correspondientes (G11C 14/00 - G11C 21/00 tienen prioridad). › que utilizan elementos ferroeléctricos.
- H03K19/177 ELECTRICIDAD. › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › H03K 19/00 Circuitos lógicos, es decir, teniendo al menos dos entradas que actúan sobre una salida (circuitos para sistemas de computadores que utilizan la lógica difusa G06N 7/02 ); Circuitos de inversión. › dispuestos en forma matricial.
Países PCT: Austria, Bélgica, Suiza, Alemania, Dinamarca, España, Francia, Reino Unido, Italia, Liechtensein, Países Bajos, Suecia, Portugal, Irlanda, Finlandia, Oficina Europea de Patentes, Armenia, Azerbayán, Bielorusia, Ghana, Gambia, Kenya, Kirguistán, Kazajstán, Lesotho, República del Moldova, Malawi, Federación de Rusia, Sudán, Tayikistán, Turkmenistán, Uganda, Zimbabwe, Burkina Faso, Benin, República Centroafricana, Congo, Costa de Marfil, Camerún, Gabón, Guinea, Malí, Mauritania, Niger, Senegal, Chad, Togo, Organización Regional Africana de la Propiedad Industrial, Swazilandia, Guinea-Bissau, Organización Africana de la Propiedad Intelectual, Organización Eurasiática de Patentes.
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