(06/05/2020) Un dispositivo de memoria que comprende: un decodificador ; una pluralidad de células de memoria , en el que cada una de las células de memoria comprende: un primer elemento de memoria no volátil correspondiente que incluye un primer elemento de memoria resistivo correspondiente y asociado con un primer hilo; y un segundo elemento de memoria no volátil correspondiente que incluye un segundo elemento de memoria resistivo correspondiente y asociado con un segundo hilo, en el que cada uno del primer elemento de memoria no volátil y el segundo elemento de memoria no volátil es un elemento de memoria multipuerto, y en el que el decodificador está configurado…

(10/07/2019) Procedimiento para determinar el estado de espín de un compuesto de transición de espín por medio de radiación con luz en un dominio de longitudes de onda definido para provocar una interacción de la luz con el compuesto de transición de espín, detección de variaciones de las propiedades de la luz producidas por esta interacción y correlación de estas variaciones con el estado de espín del compuesto, utilizándose un compuesto de transición de espín con propiedades quiroópticas variables en función del estado de espín, realizándose la radiación con luz polarizada y correlacionándose la variación de las propiedades…

(09/01/2019) Un sistema, que comprende: una primera matriz de memoria no volátil resistiva ; una segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores ; y un controlador de memoria configurado para: leer bits de datos almacenados en la primera matriz de memoria no volátil resistiva ; escribir los bits de datos leídos de la primera matriz de memoria no volátil resistiva y un bit indicador en la segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores , indicando el bit indicador si bits de datos almacenados en la segunda matriz de memoria no volátil basada en transistores son válidos; determinar si el bit indicador es válido en respuesta a un encendido del sistema después de un evento de alta temperatura,…

(07/10/2015) La presente invención consiste en construir un dispositivo tipo Hall al que se incorpora, como novedad, un tercer elemento: Este tercer elemento es una fuente que produce una radiación electromagnética o campo magnético oscilante vectorB1, resonante con la transición entre los estados up y down del espín de los electrones generados por el campo magnético vectorB0. El plano de oscilación de la componente magnética de radiación vectorB1, es el definido por los ejes X e Y. Es decir, es perpendicular al campo magnético vectorB0.

(01/04/2015) Una célula MTJ que comprende: una zanja en un sustrato ; una estructura MTJ dentro de la zanja, teniendo la zanja dimensiones que determinan la forma de estructura MTJ, incluyendo la estructura MTJ: un electrodo inferior depositado dentro de la zanja para cubrir una superficie inferior y una superficie lateral de la zanja; una pila MTJ depositada sobre el electrodo inferior dentro de la zanja, comprendiendo la pila MTJ una capa fija, una barrera de túnel, y una capa libre; y un electrodo central dentro de la zanja acoplada a la pila MTJ; caracterizada porque: la pila MTJ dentro de la zanja forma al menos dos paredes laterales verticales…

(17/12/2014) Una memoria de acceso aleatorio magneto-resistente, de fuerza de torsión de transferencia de giro, en adelante denominada STT-MRAM, que comprende: una célula de bits con un empalme de túnel magnético (MTJ) y un transistor de línea de palabras, en en la que la célula de bits está acoplada con una línea de bits y una línea de origen; y un controlador de línea de palabras acoplado con una compuerta del transistor de línea de palabras, en en la que el controlador de línea de palabras está configurado para proporcionar un voltaje de línea de palabras (VWL) mayor que un voltaje de suministro por debajo…

(03/12/2014) Un dispositivo que comprende: un elemento de unión-túnel magnética (MTJ) de par de transferencia de espín (STT); y un transistor acoplado al elemento de STT-MTJ, en el que el transistor incluye una primera puerta y una segunda puerta , y define unos canales de inversión primero y segundo controlados por las puertas primera y segunda que definen diferentes rutas de lectura y escritura.

(27/08/2014) Una estructura de unión túnel magnética, (MTJ), que comprende: una célula MTJ que comprende múltiples paredes laterales que se extienden sustancialmente en perpendicular a una superficie de un sustrato , incluyendo cada una de las múltiple paredes laterales una capa libre para acarrear un dominio magnético único, estando cada uno de los dominios magnéticos únicos adaptado para almacenar un bit de datos, estando la célula MTJ caracterizada por comprender también, una pared de fondo acoplada a cada una de las múltiples paredes laterales , extendiéndose la pared de fondo sustancialmente en paralelo con la superficie del sustrato…

(30/09/2013) Un dispositivo de memoria que comprende: una célula de memoria que incluye un elemento de memoria resistivaacoplado a un transistor de acceso, teniendo el transistor de acceso un primerespesor de óxido para permitir la operación de la célula de memoria a una tensión operativa; yun primer amplificador configurado para acoplar la célula de memoria a una tensión dealimentación que es mayor que un límite de tensión para generar una señal de datos basada en unacorriente que atraviesa la célula de memoria, caracterizado porque el primer amplificador incluye un transistor de fijación de nivel que tiene unsegundo espesor de óxido que es mayor que el primer espesor…

(11/09/2013) Una formación lógica programable, que comprende una pluralidad de dispositivos de empalme de túnel magnético, MTJ, de par de transferencia deespín, dispuestos en una formación; y una pluralidad de fuentes programables acopladas con los correspondientes dispositivos MTJ para cambiar la polaridad de una capa libre de cada dispositivo MTJ , caracterizada porque: un primer grupo de los dispositivos MTJ están dispuestos en columnas y filas de un plano deentrada, un segundo grupo de los dispositivos MTJ están dispuestos en al menos una columna de un plano de salida, y el plano de entrada y el plano de salida están combinados para formar unafunción lógica basada…

(06/06/2013) Una matriz con celdas de memoria magnetorresistentes organizadas de manera lógica en filas y columnas, incluyendo cada celda de memoria un elemento magnetorresistente , comprendiendo la matriz un conjunto de líneas de columna y un conjunto de líneas de fila , extendiéndose las líneas de fila en una dirección de fila y extendiéndose las líneas de columna en una dirección de columna, siendo una línea de columna una banda conductora continua que está acoplada de manera magnética al elemento magnetorresistente de cada una de las celdas de memoria de una columna, estando dotada cada línea de columna de una línea de columna de retorno correspondiente que está configurada para formar una trayectoria de…

(17/04/2013) Una célula binaria de Memoria de Acceso Aleatorio Magnetoresistiva de Transferencia de Par de Giro (STTMRAM)que comprende: una primera capa de metal que forma una línea de fuente en un primer plano, que incluye una primeraextensión lateral que extiende la línea de fuente en el primer plano y en una dirección perpendicular a uneje longitudinal de la línea de fuente, de manera que una porción de la primera extensión lateral no sesolapa con una segunda capa de metal, que forma una línea de bit; y una segunda capa de metal formada enun segundo plano y que tiene un eje longitudinal que es paralelo al eje longitudinal de la primera capa de metal,en la que la primera capa de…

(08/04/2013) Una disposición de circuito integrado que es susceptible a la corrupción de datos debido a un campo magnéticolocal, comprendiendo la disposición de circuito integrado: un circuito integrado ; un sistema de almacenamiento de datos que tiene una pluralidad de elementos de circuito magnéticamentesensibles adaptados para almacenar estados lógicos en respuesta a señales eléctricas de control; yuna envoltura de circuito integrado que encierra el circuito integrado y que incluye un dispositivomagnético adaptado para generar un campo magnético local que es suficientemente fuerte para alterar elestado lógico de al menos uno…

(25/07/2012) Una matriz lógica programable, que comprende una pluralidad de dispositivos de unión de túnel magnético de par de transferencia por rotación, MTJ, dispuestos en una matriz; y una pluralidad de fuentes programables acopladas a los correspondientes dispositivos MTJ para cambiar la polaridad de una capa libre de cada dispositivo MTJ , en la cual un primer grupo de dispositivos MTJ están dispuestos en columnas y filas de un plano deentrada , en la cual un segundo grupo de los dispositivos MTJ están dispuestos en al menos una columna deun plano de salida , y una salida de cada fila del plano de entrada está acoplada a un dispositivoMTJ de la al menos una columna del planos de salida , y en el cual el plano de entrada y el plano salida están combinados para formar una…