CIP-2021 : H01L 27/108 : Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio.
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H ELECTRICIDAD.
H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.
H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).
H01L 27/00 Dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes semiconductores o de otros componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común (detalles H01L 23/00, H01L 29/00 - H01L 51/00; conjuntos que consisten en una pluralidad de dispositivos de estado sólido individuales H01L 25/00).
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CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Semiconductor de potencia no uniforme y método de fabricación.
(07/05/2019) Un dispositivo semiconductor transistor bipolar de puerta aislada comprendiendo:
una pastilla semiconductora con un área activa comprendiendo un conjunto de celdas activas ;
una primera parte del área activa compuesta por celdas (K) conforme con los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los primeros parámetros de diseño de celda seleccionados determinan las dimensiones físicas de cada celda (K) de la primera parte del área activa , y donde la primera parte constituye la parte central del área activa ;
una segunda parte del área activa compuesta por celdas (M) conforme con los segundos parámetros de diseño de celda seleccionados, donde los segundos parámetros de diseño…
Memoria dinámica basada en un almacenamiento de un solo electrón.
(03/12/2014) Celda de memoria, que comprende:~
una región de canal situada entre una región de fuente y una región de drenaje , estando formadas dicha región de fuente y dicha región de drenaje dentro de un sustrato de semiconductor dopado , y caracterizada por que comprende:
dos regiones de potencial mínimo en el sustrato de semiconductor ,
siendo cada una de dichas regiones de potencial mínimo una región del sustrato de semiconductor, en la cual el dopante está ausente, siendo cada una de las regiones de potencial mínimo capaz de almacenar por lo menos un portador de carga;
estando cada una de dichas regiones de potencial mínimo…
Método de fabricación de un dispositivo de memoria de un solo electrón utilizando una máscara submicrónica.
(12/11/2014) Método de fabricación de un dispositivo de memoria de almacenamiento de carga, que comprende:
formar una máscara submicrónica mediante las etapas siguientes:
formar un primer islote de nitruro de silicio sobre un sustrato ;
formar una capa de polisilicio sobre dicho primer islote de nitruro de silicio ;
atacar químicamente el material de polisilicio de dicha capa de polisilicio para formar cuatro estructuras de polisilicio en las paredes laterales de dicho primer islote de nitruro de silicio ;
eliminar dicho primer islote de nitruro de silicio ; y
atacar químicamente tres de dichas cuatro…
DISPOSITIVO DE MEMORIA SEMICONDUCTORA QUE CONTIENE UN CONDENSADOR Y METODO PARA FABRICAR EL MISMO.
(01/10/1997). Solicitante/s: CANON KABUSHIKI KAISHA. Inventor/es: NAKAMURA, YOSHIO, INOUE, SHUNSUKE, SAKASHITA, YUKIHIKO, KIKUCHI, SHIN, YUZURIHARA, HIROSHI.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR COMPRENDE UN CONDENSADOR QUE CONSTA DE UNA REGION AL FORMADA SOBRE UN SUBSTRATO SEMICONDUCTOR. UNA PELICULA DE OXIDO AL FORMADA SOBRE LA SUPERFICIE DE DICHA ZONA AL Y ELECTRODOS OPUESTOS A DICHA ZONA AL CON LA INTERPOSICION DE DICHA PELICULA DE OXIDO AL.
CELULA DE MEMORIA DINAMICA ACTIVA.
(01/12/1993). Solicitante/s: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH COMPANY. Inventor/es: LANCASTER, LOREN THOMAS.
LA CELULA DE MEMORIA DINAMICA COMPRENDE UN TRANSISTOR DE ALMACENAMIENTO Y UN TRANSISTOR DE ACCESO. LA PUERTA DEL TRANSISITOR DE ALMACENAMIENTO SE UTILIZA COMO UN ELECTRODO CAPACITADOR DE ALMACENAMIENTO , Y SE CONECTA A UNA FUENTE RESISTOR DE RESISTENCIA. EL COLECTOR DEL TRANSISTOR DE ALMACENAMIENTO SE CONECTA A UNA FUENTE DE POTENCIAL ELECTRICO (E.G.,VCC). EL TRANSISTOR DE ACCESO CONECTA LA FUENTE DEL TRANSISTOR DE ALMACENAMIENTO A UNA LINEA BIT. ESTA DISPOSICION MULTIPLICA LA CAPACIDAD EFECTIVA DE LA PUERTA DEL CAPACITADOR DE ALMACENAMIENTO, REDUCIENDO EL AREA REQUERIDA Y HACIENDO LA ESTRUCTURA MAS COMPACTA QUE UN INACTIVO TIPICO (UN TRANSISTOR) CELULA DRAM. COMO INNOVACION PRFERIDA, EL RESISTOR ESTA FORMADO PARA APLAZAR AL TRANSISTOR DE ALMACENAMIENTO, Y EL COLECTOR DEL TRANSISTOR DE ALMACENAMIENTO SE CONECTA A VCC POR MEDIO DE LA PARED LATERAL DE UNA ZANJA FORMADA EN EL SUBSTRATO DEL SEMICONDUCTOR.