CIP-2021 : H01L 21/00 : Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.

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H01L 21/02 · Fabricación o tratamiento de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas.

Notas[n] desde H01L 21/02 hasta H01L 21/67:

H01L 21/027 · · Fabricación de máscaras sobre cuerpos semiconductores para tratamiento fotolitográfico ulterior, no prevista en el grupo H01L 21/18 o H01L 21/34.

H01L 21/033 · · · incluyendo capas inorgánicas.

H01L 21/04 · · los dispositivos presentan al menos una barrera de potencial o una barrera de superficie, p. ej. una unión PN, una región de empobrecimiento, o una región de concentración de portadores de cargas.

H01L 21/06 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen selenio o teluro, en forma no combinada, no constituyendo impurezas para los cuerpos semiconductores de otros materiales.

H01L 21/08 · · · · Preparación de la placa de soporte.

H01L 21/10 · · · · Tratamiento preliminar del selenio o del teluro, aplicación sobre la placa de soporte, o tratamiento subsiguiente del conjunto.

H01L 21/103 · · · · · Conversión del selenio o del teluro al estado conductor.

H01L 21/105 · · · · · Tratamiento de la superficie de la capa de selenio o de teluro después de la conversión al estado conductor.

H01L 21/108 · · · · · Producción de capas aislantes discretas, es decir, barreras de superficie no activas.

H01L 21/12 · · · · Aplicación de un electrodo a la superficie libre del selenio o del teluro, después de la aplicación del selenio o del teluro a la placa de soporte.

H01L 21/14 · · · · Tratamiento del dispositivo completo, p. ej. por electromoldeo para formar una barrera.

H01L 21/145 · · · · · Envejecimiento.

H01L 21/16 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen óxido cuproso o ioduro cuproso.

H01L 21/18 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores que incluyen elementos del Grupo IV de la Tabla Periódica, o de compuestos A III B V con o sin impurezas, p. ej. materiales de dopado.

Notas[n] de H01L 21/18:
  • El presente grupo cubre igualmente los procedimientos y los aparatos que, utilizando la tecnología apropiada, están claramente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos cuyos cuerpos comprenden elementos del Grupo IV del Sistema Periódico o compuestos A III B V incluso si el material utilizado no está explícitamente especificado

H01L 21/20 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.

H01L 21/203 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito en vacío, pulverización.

H01L 21/205 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso dando un condensado sólido, es decir, un depósito químico.

H01L 21/208 · · · · · utilizando un depósito líquido.

H01L 21/22 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.

H01L 21/223 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase gaseosa.

H01L 21/225 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.

H01L 21/228 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.

H01L 21/24 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.

H01L 21/26 · · · · Bombardeo con radiación ondulatoria o de partículas.

H01L 21/261 · · · · · para producir una reacción nuclear que transmute elementos químicos.

H01L 21/263 · · · · · con radiaciones de alta energía (H01L 21/261 tiene prioridad).

H01L 21/265 · · · · · · produciendo una implantación de iones.

H01L 21/266 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/268 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.

H01L 21/28 · · · · Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/268.

H01L 21/283 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.

H01L 21/285 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.

H01L 21/288 · · · · · · a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.

H01L 21/30 · · · · Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/20 - H01L 21/26 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/28).

H01L 21/301 · · · · · para subdividir un cuerpo semiconductor en partes separadas, p. ej. realizando particiones (corte H01L 21/304).

H01L 21/302 · · · · · para cambiar las características físicas de sus superficies o para cambiar su forma, p. ej. grabado, pulido, recortado.

H01L 21/304 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, pulido, corte.

H01L 21/306 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabación electrolítica (para formar capas aislantes H01L 21/31; postratamiento de capas aislantes H01L 21/3105).

H01L 21/3063 · · · · · · · Grabado electrolítico.

H01L 21/3065 · · · · · · · Grabado por plasma; Grabado mediante iones reactivos.

H01L 21/308 · · · · · · · utilizando máscaras (H01L 21/3063, H01L 21/3065, tienen prioridad).

H01L 21/31 · · · · · para formar capas aislantes en superficie, p. ej. para enmascarar o utilizando técnicas fotolitográficas (capas de encapsulamiento H01L 21/56 ); Postratamiento de estas capas; Selección de materiales para estas capas.

H01L 21/3105 · · · · · · Postratamiento.

H01L 21/311 · · · · · · · Grabado de las capas aislantes.

H01L 21/3115 · · · · · · · Dopado de las capas aislantes.

H01L 21/312 · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).

H01L 21/314 · · · · · · Capas inorgánicas (H01L 21/3105, H01L 21/32 tienen prioridad).

H01L 21/316 · · · · · · · compuestas de óxidos o de óxidos vítreos o de vidrios a base de óxido.

H01L 21/318 · · · · · · · compuestas de nitruros.

H01L 21/32 · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/3205 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras o resistivas, sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).

H01L 21/321 · · · · · · · Postratamiento.

H01L 21/3213 · · · · · · · · Grabado físico o químico de las capas, p. ej. para producir una capa con una configuración determinada a partir de una capa extendida predepositada.

H01L 21/3215 · · · · · · · · Dopado de las capas.

H01L 21/322 · · · · · para modificar sus propiedades internas, p. ej. para producir defectos internos.

H01L 21/324 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/322 tienen preferencia).

H01L 21/326 · · · · · Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/20 - H01L 21/288, H01L 21/302 - H01L 21/324 tienen prioridad).

H01L 21/328 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo bipolar, p. ej. diodos, transistores, tiristores.

H01L 21/329 · · · · · teniendo los dispositivos uno o dos electrodos, p. ej. diodos.

H01L 21/33 · · · · · teniendo los dispositivos tres o más electrodos.

H01L 21/331 · · · · · · Transistores.

H01L 21/332 · · · · · · Tiristores.

H01L 21/334 · · · · Procedimientos que comportan varias etapas para la fabricación de dispositivos de tipo unipolar.

H01L 21/335 · · · · · Transistores de efecto de campo.

H01L 21/336 · · · · · · con puerta aislada.

H01L 21/337 · · · · · · con unión PN.

H01L 21/338 · · · · · · con puerta Schottky.

H01L 21/339 · · · · · Dispositivos de transferencia de carga.

H01L 21/34 · · · los dispositivos tienen cuerpos semiconductores no cubiertos por los grupos H01L 21/06, H01L 21/16, y H01L 21/18 con o sin impurezas, p. ej. material de dopado.

H01L 21/36 · · · · Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.

H01L 21/363 · · · · · utilizando un depósito físico, p. ej. depósito bajo vacío, pulverización.

H01L 21/365 · · · · · utilizando la reducción o la descomposición de un compuesto gaseoso que dan un condensado sólido, es decir, un depósito químico.

H01L 21/368 · · · · · utilizando un depósito líquido.

H01L 21/38 · · · · Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras.

H01L 21/383 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase gaseosa.

H01L 21/385 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase sólida, p. ej. una capa de óxido dopada.

H01L 21/388 · · · · · utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.

H01L 21/40 · · · · Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. de los materiales de dopado, de los materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.

H01L 21/42 · · · · Bombardeo por radiaciones.

H01L 21/423 · · · · · por radiaciones de energía elevada.

H01L 21/425 · · · · · · que producen una implantación de iones.

H01L 21/426 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/428 · · · · · · utilizando radiaciones electromagnéticas, p. ej. rayos láser.

H01L 21/44 · · · · Fabricación de electrodos sobre los cuerpos semiconductores por empleo de procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428.

H01L 21/441 · · · · · Depósito de materiales conductores o aislantes para los electrodos.

H01L 21/443 · · · · · · a partir de un gas o vapor, p. ej. condensación.

H01L 21/445 · · · · · · a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.

H01L 21/447 · · · · · que implican la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).

H01L 21/449 · · · · · que implican la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.

H01L 21/46 · · · · Tratamiento de cuerpos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por los grupos H01L 21/36 - H01L 21/428 (fabricación de electrodos sobre estos cuerpos H01L 21/44).

H01L 21/461 · · · · · para cambiar las características físicas o la forma de su superficie, p. ej. grabado, pulido, recortado.

H01L 21/463 · · · · · · Tratamiento mecánico, p. ej. trituración, tratamiento por ultrasonidos.

H01L 21/465 · · · · · · Tratamiento químico o eléctrico, p. ej. grabado electrolítico (para formar capas aislantes H01L 21/469).

H01L 21/467 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/469 · · · · · · para formar las capas aislantes sobre los cuerpos, p. ej. para enmascarar o que utilizan técnicas fotolitográficas (capas de encapsulación H01L 21/56 ); Postratamiento de esas capas.

H01L 21/47 · · · · · · · Capas orgánicas, p. ej. capa fotosensible (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).

H01L 21/471 · · · · · · · Capas inorgánicas (H01L 21/475, H01L 21/4757 tienen prioridad).

H01L 21/473 · · · · · · · · compuestas de óxido, óxidos vítreos o de cristales a base de óxido.

H01L 21/475 · · · · · · · utilizando máscaras.

H01L 21/4757 · · · · · · · Postratamiento.

H01L 21/4763 · · · · · · Depósito de capas no aislantes, p. ej. conductoras, resistivas sobre capas aislantes; Postratamiento de esas capas (fabricación de electrodos H01L 21/28).

H01L 21/477 · · · · · Tratamiento térmico para modificar las propiedades de los cuerpos semiconductores, p. ej. recocido, sinterización (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/475 tienen prioridad).

H01L 21/479 · · · · · Aplicación de corrientes o de campos eléctricos, p. ej. para electromoldeo (H01L 21/36 - H01L 21/449, H01L 21/461 - H01L 21/477 tienen prioridad).

H01L 21/48 · · · Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.

H01L 21/50 · · · Ensamblaje de dispositivos semiconductores utilizando procesos o aparatos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.

H01L 21/52 · · · · Montaje de cuerpos semiconductores en los contenedores.

H01L 21/54 · · · · Rellenado de contenedores, p. ej. rellenado gaseoso.

H01L 21/56 · · · · Encapsulación, p. ej. capas de encapsulado, revestimientos.

H01L 21/58 · · · · Montaje de los dispositivos semiconductores sobre los soportes.

H01L 21/60 · · · · Fijación de hilos de conexión o de otras piezas conductoras, para conducir la corriente hacia o desde el dispositivo durante su funcionamiento.

H01L 21/603 · · · · · implicando la aplicación de una presión, p. ej. soldadura por termocompresión (H01L 21/607 tiene prioridad).

H01L 21/607 · · · · · implicando la aplicación de vibraciones mecánicas, p. ej. vibraciones ultrasónicas.

H01L 21/62 · · los dispositivos no tienen barrera de potencial ni de superficie.

H01L 21/64 · Fabricación o tratamiento de dispositivos de estado sólido diferentes de los dispositivos de semiconductores, o de sus partes constitutivas, por métodos no concebidos especialmente para uno de los dispositivos cubiertos por los grupos H01L 31/00 - H01L 51/00.

H01L 21/66 · Ensayos o medidas durante la fabricación o tratamiento.

H01L 21/67 · Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido.

H01L 21/673 · · que utilizan portadores especialmente adaptados.

H01L 21/677 · · para el transporte, p. ej. entre diferentes estaciones de trabajo.

H01L 21/68 · · para el posicionado, orientación o alineación.

H01L 21/683 · · para sostener o sujetar (para el posicionado, orientación o alineación H01L 21/68).

H01L 21/687 · · · que utilizan medios mecánicos, p. ej. mandiles, abrazaderas o pinzas.

H01L 21/70 · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o de circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común, o de partes constitutivas específicas de éstos; Fabricación de dispositivos de circuito integrado o de partes constitutivas específicas de éstos (fabricación de conjuntos de componentes eléctricos prefabricados H05K 3/00, H05K 13/00).

H01L 21/71 · · Fabricación de partes constitutivas específicas de dispositivos definidos en el grupo H01L 21/70 (H01L 21/28, H01L 21/44, H01L 21/48 tienen prioridad).

H01L 21/74 · · · Realización de regiones profundas de alta concentración de impurezas, p. ej. capas colectoras profundas, conexiones internas.

H01L 21/76 · · · Realización de regiones aislantes entre los componentes.

H01L 21/761 · · · · Uniones PN.

H01L 21/762 · · · · Regiones dieléctricas.

H01L 21/763 · · · · Regiones semiconductoras policristalinas.

H01L 21/764 · · · · Espacios de aire.

H01L 21/765 · · · · por efecto de campo.

H01L 21/768 · · · Fijación de interconexiones que sirvan para conducir la corriente entre componentes separados en el interior de un dispositivo.

H01L 21/77 · · Fabricación o tratamiento de dispositivos que consisten en una pluralidad de componentes de estado sólido o circuitos integrados formados en o sobre un sustrato común (memorias de solo lectura programables eléctricamente EPROM o sus procesos de fabricación multi-etapa H01L 27/115).

H01L 21/78 · · · con una división ulterior del sustrato en una pluralidad de componentes individuales (corte para cambiar las características físicas de superficie o la forma de los cuerpos semiconductores H01L 21/304).

H01L 21/782 · · · · para producir dispositivos que consisten cada uno en un solo elemento de circuito (H01L 21/82 tiene prioridad).

H01L 21/784 · · · · · siendo el sustrato un cuerpo semiconductor.

H01L 21/786 · · · · · siendo el substrato distinto de un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

H01L 21/82 · · · · para producir dispositivos, p. ej. circuitos integrados que consisten cada uno en una pluralidad de componentes.

H01L 21/822 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología de silicio (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8222 · · · · · · Tecnología bipolar.

H01L 21/8224 · · · · · · · que comprende una combinación de transistores verticales y laterales.

H01L 21/8226 · · · · · · · que comprende una lógica de transistores fusionados o una lógica de inyección integrada.

H01L 21/8228 · · · · · · · Dispositivos complementarios, p. ej. transistores complementarios.

H01L 21/8229 · · · · · · · Estructuras de memorias.

H01L 21/8232 · · · · · · Tecnología de efecto de campo.

H01L 21/8234 · · · · · · · Tecnología MIS.

H01L 21/8236 · · · · · · · · Combinación de transistores de enriquecimiento y transistores de empobrecimiento.

H01L 21/8238 · · · · · · · · Transistores de efecto de campo complementarios, p. ej. CMOS.

H01L 21/8239 · · · · · · · · Estructuras de memorias.

H01L 21/8242 · · · · · · · · · Estructuras de memorias dinámicas de acceso aleatorio (DRAM).

H01L 21/8244 · · · · · · · · · Estructuras de memorias estáticas de acceso aleatorio (SRAM).

H01L 21/8246 · · · · · · · · · Estructuras de memorias de solo lectura (ROM).

H01L 21/8248 · · · · · · Combinación de tecnología bipolar y tecnología de efecto de campo.

H01L 21/8249 · · · · · · · Tecnología bipolar y MOS.

H01L 21/8252 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología III-V (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8254 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnología II-IV (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8256 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando tecnologías no cubiertas por uno de los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252 o H01L 21/8254 (H01L 21/8258 tiene prioridad).

H01L 21/8258 · · · · · siendo el sustrato un semiconductor, utilizando una combinación de tecnologías cubiertas por los grupos H01L 21/822, H01L 21/8252, H01L 21/8254 o H01L 21/8256.

H01L 21/84 · · · · · siendo el sustrato diferente a un cuerpo semiconductor, p. ej. un cuerpo aislante.

H01L 21/86 · · · · · · siendo el cuerpo aislante de zafiro, p. ej. silicio sobre una estructura de zafiro, es decir, S.O.S..

H01L 21/98 · · Ensamblaje de dispositivos que consisten en componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común; Ensamblaje de dispositivos de circuito integrado (H01L 21/50 tiene prioridad).

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

APARATO Y METODO PARA RETIRAR PARTICULAS DIMINUTAS DE UN SUSTRATO.

(16/05/1993). Solicitante/s: THE BOC GROUP, INC.. Inventor/es: WHITLOCK, WALTER H., WELTMER, WILLIAM R., JR., CLARK, JAMES D.

APARATO PARA LA EXTRACCION DE PARTICLAS PEQUEÑAS DE UN SUBSTRATO, QUE CONSTA DE UNA FUENTE DE DIOXIDO DE CARBONO FLUIDO, UN PRIMER ORIFICIO PARA EXPANDIR UNA PARTE DE DIOXIDO DE CARBONO FLUIDO Y ENTRAR EN CONTACTO CON GOTITAS DE DIOXIDO DE CARBONO LIQUIDO, UNA CAMARA DE COALESCENCIA PARA CONVERTIR LA PRIMER MEZCLA EN UNA SEGUNDA MEZCLA QUE CONTIENE DIOXIDO DE CARBONO GASEOSO Y UNAS GOTITAS LIQUIDAS MAYORES DE DIOXIDO DE CARBONO. CONSTA IGUALMENTE DE UN SEGUNDO ORIFICIO DE EXPANSION PARA CONVERTIR LA MENCIONADA SEGUNDA MEZCLA EN UNA TERCERA MEZCLA QUE CONTIENE PARTICULAS SOLIDAS DE DIOXIDO DE CARBONO Y DIOXIDO DE CARBONO GASEOSO Y UN CANAL DIVERGENTE QUE TIENE UNA PUERTA DE SALIDA SITUADA PARA DIRIGIR LA MEZCLA HACIA EL SUBSTRATO. AL UTILIZAR EL APARATO, SE UTILIZA UNA FUENTE DE DIOXIDO DE CARBONO FLUIDO DE ENTALPIA INFERIOR A 135 UNIDADES TERMICAS BRITANICAS POR LIBRA (BASADA EN UNA ENTALPIA DE 0 A 150 LIBRAS POR PULGADAS CUADRADAS, PRESION ABSOLUTA, PARA UN LIQUIDO SATURADO).

PROCEDIMIENTO DE AISLAMIENTO DE UN RECINTO FRENTE A UNA CONTAMINACION EXTERIOR.

(16/10/1992) ESTE INVENTO SE REFIERE A UN PROCEDIMIENTO DE AISLAMIENTO FRENTE A UNA CONTAMINACION EXTERIOR DE UN RECINTO QUE CONTIENE (O SOBRE EL CUAL PUEDE ADAPTARSE) UN TUBO , DEL QUE UNO DE SUS EXTREMOS DESEMBOCA EN DICHO RECINTO, Y EL OTRO, ESTA ABIERTO . SE CARACTERIZA POR: 1) SE ACONDICIONA SOBRE LA PARED INTERIOR DE DICHO TUBO Y AL LADO DE LA ABERTURA , AL MENOS, UNA RANURA , DISPUESTA EN UN PLANO PERPENDICULAR AL EJE DE DICHO TUBO E INCLINADA HACIA DICHA ABERTURA, QUE SE ALIMENTA MEDIANTE UN GAS, DE MANERA QUE SE INSUFLA DENTRO DE DICHO TUBO UNA CAPA CONTINUA DE DICHO GAS; 2) SE DISPONE SOBRE LA PARED INTERIOR DE DICHO TUBO, SITUADO ENTRE LA RANURA Y LA ABERTURA , UNA PLACA POROSA QUE SE ALIMENTA DE UN GAS, FORMANDO UNA CORRIENTE DEBIL CAPAZ DE ELIMINAR LA DEPRESION FORMADA POR LA CAPA GASEOSA SALIENTE DE LA RANURA ; 3) SE…

APARATO DE SUJECCION DE COMPONENTES ELECTRICOS O ELECTRONICOS DURANTE LA APLICACION DEL SOLDADOR.

(16/11/1990). Solicitante/s: SUN INDUSTRIAL COATINGS PRIVATE LTD. Inventor/es: SIM, AH TEE.

UN PORTADOR PARA SUJETAR SOIC PAQUETES DURANTE LA APLICACION DEL SOLDADOR A SUS CABLES, COMPRENDE UN ARMAZON INCLUYENDO UN PLATO EXTREMO CON ASAS MONTADAS . EN CADA ASA VA MONTADO UN MIEMBRO EN FORMA DE V SUPERIOR Y UN MIEMBRO INFERIOR ALARGADO EN FORMA DE V , CON SUS BRAZOS Y PROYECTADOS HACIA ABAJO. LOS BRAZOS ESTAN DENTRO DE LOS BRAZOS PERO EXTENDIDOS HACIA AFUERA Y RETORCIDOS EN LOS EXTREMOS . ENTRE CADA ARMAZON SE DEFINE UNA PISTA (T) PARA UNA LINEA DE PAQUETES SOIC CUYOS CABLES DESCANSAN EN PORCIONES DE LOS EXTREMOS Y DE MOVIMIENTO RESTRINGIDO POR LOS EXTREMOS DE LOS BRAZOS.

APARATO DE TRANSFERENCIA DE PASTILLAS.

(16/01/1987). Solicitante/s: LESTER R JOHNSON.

APARATO DE TRANSFERENCIA PARA MOVER VERTICAL Y HORIZONTALMENTE PASTILLAS SEMICONDUCTORAS DESDE UNA ESTACION A OTRA. CONSTA DE UNA MESA QUE INCLUYE UN PAR DE LADOS Y UN TABLERO SOBRE EL QUE ESTA SITUADO UN PAR DE ELEMENTOS DE SOPORTE PARA RECIBIR Y COLOCAR UN BOTE DE CUARZO QUE INCLUYE UNA PLURALIDAD DE DISCOS O PASTILLAS SEMICONDUCTORAS ; DE TRES UNIDADES IMPULSORAS ASOCIADAS CON LA MESA , QUE INCLUYEN UN PAR DE VARILLAS IMPULSORAS Y UN SEGUNDO PAR DE VARILLAS IMPULSORAS ; Y DE DOS CABEZALES IMPULSORES QUE INCLUYEN UNA PLURALIDAD DE RANURAS PARALELAS Y ALINEADAS QUE SE CORRESPONDEN CON EL NUMERO DE PASTILLAS QUE CONTIENE EL BOTE.

UN APARATO PARA PRODUCIR UN MODULO FOTOVOLTAICO.

(16/10/1986). Solicitante/s: THE STANDARD OIL CO..

APARATO PARA LA FABRICACION DE UN MODULO FOTOVOLTAICO QUE TIENE UNA PLURALIDAD DE TIRAS DE CELDA E INTERCONEXIONES ELECTRICAMENTE CONDUCTORAS. CONSTA DE UN CONJUNTO DE TAMBOR DE INTERCONEXION QUE INCLUYE UN BASTIDOR QUE TIENE UNA PLACA DE BASE , UN PAR DE PLACAS LATERALES VERTICALES LLEVADAS POR LOS EXTREMOS LATERALES DE LA PLACA DE BASE , Y UNA PLACA TRASERA ASEGURADA EN LA PLACA DE BASE Y EN LAS PLACAS LATERALES, ESTANDO DICHAS PLACAS CONSTRUIDAS EN CHAPA DE ACERO Y UNIDAS ENTRE SI MEDIANTE SOLDADURA; DE UN ELEMENTO RECEPTOR DE UNA PLURALIDAD DE TIRAS DE CELDA, EL CUAL TIENE UNA SUPERFICIE CURVADA; DE UN ELEMENTO PARA COLOCAR LAS TIRAS DE CELDA ADECUADAMENTE; DE UN ELEMENTO PARA ASEGURAR LAS TIRAS DE CELDA EN LA SUPERFICIE CURVADA.

PROCEDIMIENTO PARA LA REALIZACION DE ENVOLTURA PROTECTORA EN EL QUE SE ANEGAN COMPONENTES CIRCUITARIOS ELECTRICOELECTRONICOS CORRESPONDIENTES.

(01/09/1986) PROCEDIMIENTO PARA REALIZAR ENVOLTURAS PROTECTORAS PARA ANEGAR COMPONENTES CIRCUITARIOS ELECTRICOELECTRONICOS. COMPRENDE: A) FORMAR UNA PLURALIDAD DE ELEMENTOS CONDUCTORES APLANADOS O FILIFORMES; B) SOLDAR ELECTRICAMENTE A LAS ZONAS TERMINALES CONDUCTORAS DE CADA UNO DE LOS COMPONENTES CIRCUITARIOS A ELEMENTOS CONDUCTORES CORRESPONDIENTES; C) OBTENER UN CONTENEDOR QUE DEFINA UNA IMPRONTA LONGITUDINAL QUE ACOJA UN CONJUNTO DE COMPONENTES CIRCUITARIOS PROVISTOS DE ELEMENTOS CONDUCTORES ADOSADOS ORDENADAMENTE Y DISTANCIADOS ENTRE SI; D) INSERTAR DE MANERA ESTABLE EN EL CONTENEDOR AL CONJUNTO DE COMPONENTES CIRCUITARIOS; E) COLAR UN SELLANTE DE LIQUIDO EN LA IMPRONTA DEL CONTENEDOR, HASTA CUBRIR POR COMPLETO A LOS COMPONENTES DEL CONJUNTO CIRCUITARIO; F) MANTENER LA SITUACION ANTERIOR HASTA ENDURECIMIENTO DEL SELLANTE; G) SEPARAR AL…

UNA INSTALACION Y UN PROCEDIMIENTO DE SOLDADURA DE ALAMBRE.

(01/10/1983). Solicitante/s: FAIRCHILD CAMERA AND INSTRUMENT CORPORATION.

INSTALACION Y PROCEDIMIENTO PARA SOLDADURA CON ALAMBRE Y CONJUNTO DE ELECTRODOS CORRESPONDIENTE. EL CONJUNTO DE ELECTRODOS DE SOLDADURA CON ALAMBRE , LA INSTALACION O SISTEMA Y EL PROCEDIMIENTO DE SOLDADURA, UTILIZAN EL ALAMBRE A SOLDAR COMO UNO DE LOS ELECTRODOS DE SOLDADURA. EL SISTEMA Y EL PROCEDIMIENTO PROPORCIONAN UN SEGMENTO DE ALAMBRE ENTRE APENDICES DE SOLDAR Y TERMINALES EXTERNOS DE UN PAQUETE DE CIRCUITOS ELECTRONICOS CON UN SUBSTRATO CERAMICO DEL PAQUETE MONTADO EN SU ALOJAMIENTO. HAY PREVISTAS CUCHILLAS DE CORTE PIVOTANTES EN EL SISTEMA PARA CORTAR EL ALAMBRE DESPUES DE QUE HA SIDO SOLDADO ENTRE DOS PUNTOS. EL SISTEMA ES, PREFERIBLEMENTE, PROGRAMABLE, PARA ACOMODAR UNA DIVERSIDAD DE CONFIGURACIONES DE APENDICES DE SOLDAR Y DE TERMINALES EN DISTINTOS PAQUETES DE CIRCUITOS.

"UN CONJUNTO DE ELECTRODOS PARA SOLDAR ALAMBRE, E INSTALACION Y PROCEDIMIENTO CORRESPONDIENTES".

(01/08/1983). Solicitante/s: FAIRCHILD CAMERA AND INSTRUMENT CORPORATION.

INSTALACION Y PROCEDIMIENTO PARA SOLDAR ALAMBRE. UN MANGUITO CONDUCTOR ELECTRICO EXTERIOR TIENE UN PRIMER PASO AXIAL , ESTANDO DESTINADO EL MANGUITO A SER CONECTADO COMO PRIMER ELECTRODO EN UN CIRCUITO DE SOLDADURA Y TENIENDO UN EXTREMO DIMENSIONADO PARA HACER CONTACTO CON UN MIEMBRO METALICO AL CUAL HA DE SER SOLDADO UN ALAMBRE Y UN MANGUITO AISLANTE DISPUESTO DENTRO DEL PRIMER PASO AXIAL, TENIENDO DICHO MANGUITO AISLANTE UN SEGUNDO PASO AXIAL PARALELO AL PRIMERO Y DENTRO DE ESTE, ESTANDO DIMENSIONADO Y CONFIGURADO EL SEGUNDO PASO PARA INTRODUCCION Y TRAVESIA A TRAVES DEL SEGUNDO PASO DEL ALAMBRE QUE HA DE SER SOLDADO AL MIEMBRO METALICO, ESTANDO CONECTADO EL ALAMBRE COMO SEGUNDO ELECTRODO EN EL CIRCUITO DE SOLDADURA.

UN DETECTOR PERFECCIONADO DE GASES,DEL TIPO CATALITICO.

(16/05/1980). Solicitante/s: GUARDIAN IBERICA, S.A..

Un detector perfeccionado de gases, del tipo catalítico, provisto de elementos sensores que varían su conductividad en relación con la proporción de gas en su ambiente, caracterizado porque comprende dos pellistores que forman el sensor de gas, un medidor de la concentración de gas calibrado de 0 a 100% del límite explosivo inferior del gas a detectar, un circuito electrónico detector de una proporción de gas superior a los niveles de alarma prefijados, una alimentación de intensidad constante para los sensores, un circuito de detección de corto o contorcircuito en los cables de central a sensor y de cualquier anomalía en los pellistores, y un circuito de anulación automática de falsas alarmas producidas por anomalías en los cables o pellistores.

UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

(16/02/1962). Ver ilustración. Solicitante/s: PYE LIMITED.

Resumen no disponible.

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CONJUNTOS CONDUCTORES.

(01/01/1962) Método de fabricación de conjuntos semiconductores con capa de bloqueo que comprenden un cuerpo semiconductor de silicio, mediante un tratamiento de aleación difusión en que la difusión predominante de una impureza aceptora desde una masa fundida de material electródico provista sobre el cuerpo de silicio que contiene una impureza aceptora activa y una impureza dadora activa, se forma una capa de difusión de tipo p, en el silicio adyacente, después de lo cual, durante el enfriamiento, en orden de sucesión , son depositadas una capa de silicio recristalizado de tipo n, debido a la segregación predominante del dador, y un material electródico residual para ser usado como un contacto, desde esta masa fundida sobre dicha capa de difusión, caracterizado por el hecho de que al menos una de las impurezas que actúan en el proceso de aleación…

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN CONTACTO DE ALEACIÓN SOBRE UN SEMICONDUCTOR.

(01/01/1962). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Método de fabricación de un contacto de aleación que contiene aluminio sobre un cuerpo semiconductor, en que un material portador es aleado sobre el cuerpo semiconductor en una atmósfera inerte y se agrega aluminio al material portador, caracterizado por el hecho de que durante el proceso de aleación, una colada separada que contiene aluminio metálico o una aleación de aluminio, es calentada a una temperatura comprendida entre 1000ºC y 1400ºC, siendo absorbido el aluminio de la colada en el material portador a través de la atmósfera inerte.

UN DISPOSITIVO TRANSTOR.

(01/05/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Un dispositivo transistor que comprende un cuerpo semiconductor al que son aplicados uno junto al otro un electrodo emisor y un electrodo de base en la forma de electrodos de aleación, cuyas zonas asociadas de material semiconductor recristalizado están en contacto con la zona de base, caracterizado por el hecho de que el material recristalizado de al menos uno de estos electrodos ubicado en el lado alejado del otro electrodo, es eliminado al menos en la mitad de la superficie de contacto de la zona de base inicialmente ocupada por la zona recristalizada.

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN TRANSISTOR.

(01/04/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Método de fabricación de un transistor, particularmente para fines de conmutación, que comprende un cuerpo semiconductor en el cual están previstas una zona colectora, una zona de base y una zona emisora sobre las cuales están provistos contactos de colector, de base y de emisor, respectivamente, estando provisto el referido cuerpo de una o más impurezas que acortan la vida de los portadores de carga, caracterizado por el hecho de que por lo menos aquella parte de la zona de base que está ubicada entre la zona colectora y la zona emisora es formada simultáneamente por la fusión de un material de contacto emisor y la difusión de una impureza inversora del tipo de conductividad del cuerpo semiconductor en el área en consideración, por lo menos en el área por debajo de dicho material de contacto donde el mismo constituye una zona de base difundida, usándose un material de contacto que substancialmente está libre de las referidas impurezas que acortan la vida de los portadores de carga.

UN MÉTODO DE OBTENER UNA BARRERA RECTIFICADORA EN UNA GALLETA DE SEMICONDUCTOR.

(16/03/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.

Un método de obtener una barrera rectificadora en una galleta de semiconductor, que comprende las etapas de ; precaldear por separado dicha galleta, dejando al descubierto una cara principal de la misma, y una carga que incluye una sustancia determinativa del tipo de conductividad, o impureza activa, a una temperatura superior al punto de fusión de dicha sustancia o impureza; inundar con dicha carga fundida la mencionada cara expuesta de dicha galleta, hasta disolver una parte de dicha galleta; enfriar dicha carga fundida y dicha galleta a una temperatura a la cual una parte de dicha galleta disuelta y dicha impureza o sustancia determinativa de tipo precipita y se recristaliza sobre la cara expuesta de la citada galleta; y separar luego por decantación el resto de dicha carga fundida.

MÉTODO PARA EL TRATAMIENTO DE UN SÓLIDO, MAS EN PARTICULAR UN MATERIAL SEMICONDUCTOR.

(01/12/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Método para el tratamiento de un sólido, más en particular un material semiconductor, por ejemplo para la formación de cristales únicos, purificación y/o dotación, caracterizado por el hecho que una cantidad de esta substancia, o una o más componentes de esta substancia conformada para constituir un conjunto alargado, es sometida localmente a una zona de temperatura elevada en que esta substancia es convertida en una forma de vapor, siendo desplazada dicha zona de temperatura elevada en la dirección longitudinal del referido conjunto, siendo convertidas partes sucesivas del conjunto en una forma de vapor en un lado de esta zona, y cristalizando el material desde la fase de vapor en el otro lado de la zona.

PROCEDIMIENTO PARA INTRODUCIR IMPUREZAS APRECIABLES O INFLUYENTES EN UN CUERPO SEMICONDUCTIVO SÓLIDO.

(16/05/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.

Procedimiento para introducir impurezas apreciables o influyentes en un cuerpo semiconductivo sólido, especialmente en un cuerpo de silicio, el cual comprende la fase de poner el cuerpo en contacto con una atmósfera que contiene la impureza apreciable en estado de vapor; caracterizado porque ese contacto se mantiene a una temperatura y durante un lapso adecuados para producir una capa vítrea en la superficie del citado cuerpo, y una capa difusa de impureza apreciable en el cuerpo mismo; se ataca éste para quitar la capa vitrea, y se calienta luego a una temperatura y durante un lapso convenientes para que la impureza apreciable de la capa difusa se difunda más hacia el interior del cuerpo referido.

UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.

(01/04/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.

Método de fabricar un dispositivo semiconductor, tal como, por ejemplo un transistor, en el cual se hacen conexiones eléctricas a un par de salientes sobre una masa semiconductora caracterizado porque comprende las etapas de proveer una conexión eléctrica entre las dos salientes y un conductor común y luego cortar el conductor entre las dos salientes para proveer una conexión separada para cada saliente.

PERFECCIONAMIENTOS EN LA PREPARACIÓN DE SEMICONDUCTORES.

(01/02/1960). Solicitante/s: THE GENERAL ELECTRIC COMPANY LIMITED.

Perfeccionamientos en la preparación de dos semiconductores en forma de polvo, caracterizados porque comprenden las fases de: mezcla íntima de un polvo compuesto esencialmente de uno de los dos elementos bismuto, antimonio y arsénico, uno de los elementos de teluro, selenio y azufre, correspondiendo las proporciones globales de los elementos de mezcla sustancialmente a la composición de un semiconductor del grupo telururo de bismuto; sometimiento de la mezcla a un tratamiento de calor en un atmósfera inerte enteramente por debajo del punto de fusión de dicho semiconductor y de tal modo que se obtenga sustancialmente la combinación completa de los elementos; pulverización de la masa porosa así producida.

UN MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN SISTEMA ELECTRÓNICO SEMICONDUCTOR.

(01/05/1959). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Método de fabricación de un sistema electródico semiconductorpor ejemplo un transistor o un diodo de cristal según el cual son eliminadas partes del sistema por la acción de un medio que se proyecta sobre dichas partesestando otras partes protegidas contra la acción de este mediocaracterizándose dicho método por el hecho de que el sistema comprende un cuerpo semiconductor dotado de al menos un electrodo que sobresale de la superficie del cuerposiendo el medio proyectado sobre este electrodo y el área que lo circunda según un ángulocon respecto a la normal a la superficie del cuerpo lindante con el electrodotal que algunas partes del sistema lindantes con el electrodo son eliminadasquedando intactas otras partes.

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