MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CONJUNTOS CONDUCTORES.

Método de fabricación de conjuntos semiconductores con capa de bloqueo que comprenden un cuerpo semiconductor de silicio,

mediante un tratamiento de aleación difusión en que la difusión predominante de una impureza aceptora desde una masa fundida de material electródico provista sobre el cuerpo de silicio que contiene una impureza aceptora activa y una impureza dadora activa, se forma una capa de difusión de tipo p, en el silicio adyacente, después de lo cual, durante el enfriamiento, en orden de sucesión , son depositadas una capa de silicio recristalizado de tipo n, debido a la segregación predominante del dador, y un material electródico residual para ser usado como un contacto, desde esta masa fundida sobre dicha capa de difusión, caracterizado por el hecho de que al menos una de las impurezas que actúan en el proceso de aleación difusión, es agregada al menos principalmente después que el material electródico ha sido fundido previamente a la aleación difusión, a la masa fundida del material electródico

Tipo: Patente de Invención. Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: P0271352.

Solicitante: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..

Nacionalidad solicitante: Países Bajos.

Fecha de Solicitud: 19 de Octubre de 1961.

Fecha de Publicación: 1 de Enero de 1962.

Fecha de Concesión: 11 de Noviembre de 1961.

Clasificación Internacional de Patentes:

C22C13/00 QUIMICA; METALURGIA. › C22 METALURGIA; ALEACIONES FERROSAS O NO FERROSAS; TRATAMIENTO DE ALEACIONES O METALES NO FERROSOS. › C22C ALEACIONES (tratamiento de alegaciones C21D, C22F). › Aleaciones basadas en estaño.
H01L21/00 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L21/22 H01L […] › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.
H01L21/228 H01L 21/00 […] › utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.
H01L21/24 H01L 21/00 […] › Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
H01L21/48 H01L 21/00 […] › Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
H01L23/10 H01L […] › H01L 23/00 Detalles de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (H01L 25/00 tiene prioridad). › caracterizados por el material o por la disposición de los sellados entre las partes, p. ej. entre la cubierta y la base o entre las conexiones y las paredes del contenedor.
H01L23/14 H01L 23/00 […] › caracterizados por el material o por sus propiedades eléctricas.
H01L29/73 H01L […] › H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00). › Transistores bipolares de unión.

Clasificación PCT:

C22C13/00 C22C […] › Aleaciones basadas en estaño.
H01L21/00 H01L […] › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
H01L21/22 H01L 21/00 […] › Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.
H01L21/228 H01L 21/00 […] › utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.
H01L21/24 H01L 21/00 […] › Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
H01L21/48 H01L 21/00 […] › Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
H01L23/10 H01L 23/00 […] › caracterizados por el material o por la disposición de los sellados entre las partes, p. ej. entre la cubierta y la base o entre las conexiones y las paredes del contenedor.
H01L23/14 H01L 23/00 […] › caracterizados por el material o por sus propiedades eléctricas.
H01L29/73 H01L 29/00 […] › Transistores bipolares de unión.

Clasificación antigua:

C22C13/00 C22C […] › Aleaciones basadas en estaño.
H01L21/22 H01L 21/00 […] › Difusión de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, en el interior o fuera del cuerpo semiconductor, o entre las regiones semiconductoras; Redistribución de las impurezas, p. ej. sin introducción o sin eliminación de dopante suplementario.
H01L21/228 H01L 21/00 […] › utilizando la difusión en o fuera de un sólido, a partir de o en una fase líquida, p. ej. procesos de difusión de aleación.
H01L21/24 H01L 21/00 […] › Formación de aleaciones de impurezas, p. ej. materiales de dopado, materiales para electrodos, con un cuerpo semiconductor.
H01L21/48 H01L 21/00 […] › Fabricación o tratamiento de partes, p. ej. de contenedores, antes del ensamblado de los dispositivos, utilizando procedimientos no cubiertos por un único grupo de H01L 21/06 - H01L 21/326.
H01L23/10 H01L 23/00 […] › caracterizados por el material o por la disposición de los sellados entre las partes, p. ej. entre la cubierta y la base o entre las conexiones y las paredes del contenedor.

MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CONJUNTOS CONDUCTORES.

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