(06/05/2020) Dispositivo para depositar estructuras especialmente que contienen carbono, por ejemplo capas en forma de nanotubos o grafeno sobre un sustrato , que es soportado por un soporte de sustrato dispuesto en una carcasa de cámara de proceso y que se extiende en un plano, en el que la carcasa de cámara de proceso posee una estructura simétrica abatible con respecto a un plano y el soporte del sustrato es un cuerpo plano que se extiende en el plano de simetría, cuyos dos lados anchos pueden llevar, respectivamente, un sustrato y frente a cada una de las dos superficies laterales anchas del soporte del sustrato se encuentra una placa de entrada de gas , que presenta orificios de salida de gas , de un órgano de entrada de gas , en el que a través de los…

(12/02/2020) Un aparato de recubrimiento para aplicar un recubrimiento en recipientes de vidrio con un compuesto químico que comprende: una carcasa con un túnel de recubrimiento una cinta transportadora que mueve los recipientes a través del túnel de recubrimiento desde la entrada a la salida de dicho túnel de recubrimiento al menos un circuito para la circulación de un compuesto de recubrimiento y al menos una placa de guía, caracterizado por que dicha placa de guía está situada en un compartimento entre la pared lateral interior del aparato de recubrimiento y la pared exterior y dicho compartimento comprende la placa de guía, una placa de fijación con medios de fijación, un orificio de succión y una salida y caracterizado por que la…

(12/11/2019) Proceso para la preparación de una película fina de una naturaleza orgánica-inorgánica en un sustrato mediante una técnica de deposición en fase gaseosa producida por ALCVD, caracterizado por comprender las siguientes etapas: a) - poner en contacto el sustrato con un pulso de un precursor inorgánico seleccionado de un grupo que consiste en alquilos metálicos y halogenuros metálicos donde el metal se selecciona del grupo que consiste en Al, Si, Sn, Zn, Mg, Ti, Zr, V, Mn, Fe, Co, Cr, y Pt; b) - hacer reaccionar el precursor inorgánico con al menos una superficie del sustrato; c) - eliminar el precursor inorgánico sin reaccionar y subproductos de reacción si hay alguno; d) - poner en contacto la superficie de dicho sustrato con un pulso de un precursor orgánico; donde el precursor orgánico es un compuesto orgánicos sustituido…

(11/09/2019) Un aparato de revestimiento para aplicar un revestimiento sobre envases de vidrio con un compuesto químico que comprende: una carcasa con un túnel de revestimiento una cinta transportadora que mueve los envases a través del túnel de revestimiento desde la entrada hasta la salida del citado túnel de revestimiento un bucle primario un separador que separa el flujo de gas portador cargado con el compuesto de revestimiento procedente del túnel de revestimiento en al menos dos flujos distintivos y una entrada de aire para aire fresco en proximidad de la salida del túnel de revestimiento, en donde el separador separa…

(11/03/2019) Aparato para recubrir artículos de vidrio tridimensionales incluyendo: un túnel, que tiene una parte superior y paredes laterales primera y segunda, adecuado para disponerse en una correa transportadora que transporta los artículos a través de dicho túnel; una o varias boquillas dispuestas para distribuir una mezcla gaseosa incluyendo un primer conjunto de sustancias químicas incluyendo uno o varios primeros materiales de recubrimiento o sus precursores, en un chorro que atraviesa el recorrido de los artículos cuando son transportados a través del túnel; una o varias boquillas dispuestas para distribuir una mezcla gaseosa incluyendo un segundo conjunto de sustancias químicas incluyendo uno o varios segundos materiales de recubrimiento o sus precursores, en un chorro que atraviesa el recorrido de los artículos…

(06/03/2019) Dispositivo para la fabricación de capas finas sobre substratos, especialmente para la fabricación de células solares, con - un camino de transporte horizontal con rodillos transportadores , que consisten en un material resistente a la temperatura, no metálico, para el transporte de los substratos en servicio continuo, - un dispositivo de revestimiento APCVD dispuesto sobre el camino de transporte para la aplicación de las capas finas mediante un procedimiento APCVD a temperaturas de más de 250°C, - un dispositivo calentador y un dispositivo de sumnistro de gas de purga , que están dispuestos en el área del dispositivo de revestimiento APCVD en el lado del camino de transporte opuesto…

(02/10/2018) Procedimiento para la fabricación de una herramienta con un cuerpo base de metal duro, cermet, cerámica, acero o acero rápido y un recubrimiento de protección contra el desgaste de una o múltiples capas aplicado sobre este en procedimiento CVD, en el cual el recubrimiento de protección contra el desgaste presenta al menos una capa de Ti1- xAlxCyN2 con coeficientes estequiométricos 0,70 ≤ x < 1, 0 ≤ y < 0,25 y 0,75 ≤ z < 1,15 y con un espesor comprendido en el intervalo de 1 μm a 25 μm, y en el cual para la fabricación de la capa de Ti1-xAlxCyN2 a) los cuerpos que han de ser recubiertos se colocan en un reactor CVD sustancialmente cilíndrico que para someter los cuerpos que han de ser recubiertos al flujo de los gases de proceso está concebido en un sentido sustancialmente radial con respecto al eje longitudinal del reactor, …

(02/05/2018) Un sistema de deposición por combustión remota para su uso en la deposición, mediante deposición por combustión, de un revestimiento sobre un sustrato , que comprende: un quemador de infrarrojos (IR) que está configurado para generar una energía radiante (18') en un área entre el quemador y el sustrato ; y un dispositivo de distribución , en donde el dispositivo de distribución está dispuesto externamente con respecto al quemador, configurado para proporcionar una corriente que comprende un precursor vaporizado y un gas portador a partir de una ubicación que es remota con respecto a la energía radiante que es generada por el quemador de IR, estando configurado adicionalmente el dispositivo de distribución para dar lugar…

(25/04/2018) Esclusa de gas (I) para la separación de dos compartimentos de gas (G1, G2), que comprende: a) al menos un cuerpo de admisión (K), que presenta al menos un canal de entrada (H) para un gas, que desemboca en un primer lado del cuerpo de admisión (K), b) al menos una pared (A) dispuesta a distancia del primer lado del al menos un cuerpo de admisión (K), donde entre la pared (A) y el al menos un cuerpo de afluencia (K) está configurado un intersticio (B) que está en conexión de fluido con el canal de entrada (H), c) al menos dos aberturas de escape (i1, i2) para el gas que están en conexión de fluido con el intersticio…

(16/08/2017) Esclusa de gas (I) para la separación de dos cámaras de gas (G1, G2), que comprende: a) al menos un cuerpo de admisión (K), que presenta al menos dos canales de entrada (1, H2) para un gas, que desembocan en un primer lado del cuerpo de admisión (K), b) una pared (A) dispuesta de modo distanciado respecto al primer lado del al menos un cuerpo de admisión (K), estando conformada entre la pared (A) y el al menos un cuerpo de admisión (K) una ranura (B) que está en unión fluida con los al menos dos canales de entrada (H1, H2), c) al menos dos aberturas de escape (i1, i2) para el gas, que están en unión fluida con la ranura (B), en la que en el lado contigua al al menos un cuerpo de admisión (K) y/o en el lado de la pared (A) opuesto al primer lado del cuerpo de admisión (K) hay n cámaras de medición…

(31/05/2017) Un método para la formación de una capa que comprende Li sobre un substrato mediante deposición de capa atómica que comprende las siguientes etapas: a) proporcionar un substrato en una cámara de reacción en la que dicha cámara de reacción se dispone para reacciones de gas a superficie, b) pulsar un precursor de litio a través de dicha cámara de reacción, c) hacer reaccionar dicho precursor de litio con por lo menos una superficie de dicho sustrato, d) purgar dicha cámara de reacción d1) al enviar un gas de purga a través de dicha cámara de reacción para purgar la cámara de reacción o d2) al evacuar dicha cámara, y e) repetir las etapas b) a d) un número de veces deseado en orden para la formación de una…

(12/10/2016) Procedimiento para formar una capa de óxido sobre un componente permeable constituido por un material o un apilamiento de materiales estable a 400°C, comprendiendo dicho componente una superficie externa a revestir y al menos un poro de diámetro comprendido entre 50 y 1.000 μm que desemboca en dicha superficie externa, que comprende los pasos siguientes: a) inyectar un gas portador cargado de gotitas de al menos un precursor del óxido en un plasma a baja presión dentro de un recinto de reactor de plasma que alberga el componente a revestir, e inyectar un fluido que pasa por el componente permeable y sale en estado gaseoso por dicho al menos un poro, con flujo opuesto al del gas portador en la cámara de plasma para evitar la obstrucción…

(29/06/2016) Elemento de inserción de herramienta de corte recubierta que consiste en un sustrato de carburo cementado, cermet, materiales de cerámica, acero o nitruro de boro cúbico que tiene depositado sobre el mismo un recubrimiento con un grosor total de un máximo de 60 μm que consiste en una o más capas refractarias que comprenden una capa resistente al desgaste externa de α-Al2O3 con un grosor de 2 a 45 μm depositada mediante deposición química en fase de vapor (CVD), caracterizado porque cuando se observa en una microfotografía de SEM de una sección transversal de la capa de α-Al2O3, la capa de α-Al2O3 tiene una estructura de granos α-Al2O3 esencialmente columnar, y los límites de grano de al menos 1 de cada 25 granos de α-Al2O3, preferiblemente al menos 5 de cada 25 granos de…

(18/05/2016) Un procedimiento que comprende: guiar vapor precursor a lo largo de al menos un conducto de alimentación al interior de una cámara de reacción de un reactor de deposición; y depositar material sobre las superficies de un lote de sustratos colocados verticalmente en la cámara de reacción mediante el establecimiento de un flujo vertical del vapor precursor en la cámara de reacción y hacer que entre en una dirección vertical entre los citados sustratos colocados verticalmente, de manera que el vapor precursor fluya desde el lado superior de un espacio de reacción al lado inferior del espacio de reacción esencialmente en la misma dirección vertical para lela a lo largo de cada una de las citadas superficies; en el que el citado vapor precursor es alimentado a través de una tapa de la cámara de reacción al interior de un volumen de expansión y…

(13/04/2016) Dispositivo de procesamiento para procesar productos de procesamiento apilados con una cámara de procesamiento evacuable para recibir un gas de proceso , que comprende un dispositivo de templado , para mantener por lo menos una región parcial de una pared de la cámara de procesamiento a una temperatura predeterminada, un dispositivo de transporte de gas para crear un circuito de flujo de gas en la cámara de procesamiento mediante convección forzada, un dispositivo de calentamiento dispuesto en el circuito de flujo de gas creado por el dispositivo de transporte de gas para calentar el gas, y un dispositivo de guiado de gas , que está diseñado para recibir el apilamiento de productos de procesamiento y está dispuesto en la cámara de procesamiento de modo que por…

(20/05/2015) Un componente de cojinete de acero tal como un componente de un cojinete lineal de un cojinete de elementos rodantes y un cojinete de deslizamiento, por ejemplo, un componente seleccionado de entre el grupo que comprende un anillo guía de cojinete, un elemento rodante tal como un rodillo cónico, un rodillo en forma de tonel, un rodillo de aguja, una bola de rodamiento y una jaula de elementos rodantes, teniendo el componente de cojinete al menos una capa (112; 112, 112'; 112, 112'; 112") que tiene una alta dureza y una alta propiedad de aislamiento de corriente aplicada mediante un procedimiento de PVD (deposición física en fase de vapor), mediante un procedimiento de CVD (deposición química en fase de vapor), o mediante un procedimiento de PECVD (deposición química en fase de vapor potenciada por plasma) pero excluyendo un procedimiento de ALD…

(25/03/2015) Reactor de CVD para la deposición de capas a partir de un gas de reacción sobre piezas de trabajo, que comprende: - una cámara de reactor alargada, que discurre en vertical, que está delimitada por una pared de reactor calentada al menos parcialmente y un fondo de reactor, - un conducto de entrada para la entrada del gas de reacción en la cámara de reactor, que en la zona del fondo de reactor entra en la cámara de reactor, - un conducto de salida para la salida del gas de reacción usado de la cámara de reacción, que en la zona del fondo de reactor sale de la cámara de reactor, -…

(11/12/2013) Un procedimiento de deposición de un revestimiento sobre un sustrato por medio de una técnica dedeposición química de vapor asistida por llama, en el que el sustrato se expone a una llama producida por unquemador , al tiempo que se añade un flujo de elementos de precursor a dicha llama, y en el que el sustrato sesomete a un movimiento relativo con respecto a dicho quemador, en el que el sustrato comprende su superficie oconsiste en un material termo sensible, en el que la deposición del revestimiento tiene lugar en dos o más etapas dedeposición sobre un sustrato opcionalmente pre-calentado, consistiendo cada etapa de deposición en un número depases posteriores…

(30/10/2013) Un aparato para realizar la deposición química de vapor por filamento caliente de capas semiconductoras odieléctricas, que comprende una cámara de tratamiento que tiene una entrada y una salida, un filamento calentado eléctricamente para la conversión catalítica de moléculas de gas precursor, ysoportes entre los cuales se mantiene el filamento, en el que la entrada está conectada a una válvula de derivación para desviar un flujo de gas de tratamientolejos de la cámara de tratamiento para permitir cambios rápidos de la composición de gas, caracterizado porque la entrada está cubierta por un distribuidor de gas hecho de un material poroso paradistribuir de forma uniforme un flujo de gas a lo largo de una longitud.

(11/07/2013) Dispositivo inyector para la reconstitución automática de una substancia que comprende: un mecanismo de ajuste de la dosis que tiene una superficie de engrane con el cartucho que seextiende desde él, siendo dicho mecanismo de ajuste de la dosis ajustable para definir una dosis para eldispositivo inyector; una carcasa que engrana de manera cooperativa con dicho mecanismo de ajuste dela dosis; y unos medios de empuje para mover de manera selectiva dicho mecanismo de ajuste de la dosis desdeuna primera posición hasta una segunda posición con respecto a dicha carcasa, moviéndose dicha superficie de engrane con el cartucho una distancia predeterminada con respecto a dicha carcasa cuando dichomecanismo de ajuste de la dosis se mueve desde dicha primera posición hasta dicha segunda posición,comprendiendo además…

(08/08/2012) Dispositivo para la deposición en fase de vapor de especies químicas sobre granos de soporte de forma esférica o similares dispuestos en un lecho fluidizado, que comprende: • una primera cámara que tiene un lecho fluidizado en la que se aloja un elemento de fluidización en forma de embudo, con el fin de recibir los granos de soporte de forma esférica o similares, • una segunda cámara , en conexión fluida con la primera cámara , que sirve tanto para proporcionar precursores en fase de vapor de especies químicas para depositar sobre la granos de soporte como para transportar un gas de fluidización hacia la primera cámara , • una flauta , dispuesta…

(17/05/2012) Un sistema para la deposición química en fase de vapor asistida por plasma de baja energía adecuado para el crecimiento epitaxial de capas semiconductoras uniformes sobre sustratos de 300 mm de tamaño, comprendiendo el sistema: (a) una fuente de plasma de área amplia; (b) una cámara de deposición; y (c) un sistema de distribución de gas, en el que la fuente de plasma comprende un recinto , al menos dos cátodos termoiónicos adaptados para ser operados independientemente el uno del otro e incluidos en una cámara catódica, y un cabezal de ducha que tiene varios orificios ; y en el que la…

(09/05/2012) Procedimiento de deposición química en fase gaseosa a presión atmosférica (APCVD) para fabricar una capa delgada de sulfuro metálico n-semiconductor sobre un substrato calentado con un precursor que contiene el metal y sulfuro de hidrógeno (H2S) en calidad de precursor gaseoso reactivo y una corriente de gas portador inerte, caracterizado porque, para la fabricación de una capa delgada compacta de sulfuro de indio (In2S3) se transfiere a una fase líquida o gaseosa un precursor que contiene indio (PRIn (g/fl) ), que posee él mismo una alta presión de vapor o forma una aducto volátil con un disolvente, se mezcla dicho precursor en una región de…