Películas finas preparadas con una técnica de deposición en fase gaseosa.

Proceso para la preparación de una película fina de una naturaleza orgánica-inorgánica en un sustrato mediante una técnica de deposición en fase gaseosa producida por ALCVD,

caracterizado por comprender las siguientes etapas:

a) - poner en contacto el sustrato con un pulso de un precursor inorgánico seleccionado de un grupo que consiste en alquilos metálicos y halogenuros metálicos donde el metal se selecciona del grupo que consiste en Al, Si, Sn, Zn, Mg, Ti, Zr, V, Mn, Fe, Co, Cr, y Pt;

b) - hacer reaccionar el precursor inorgánico con al menos una superficie del sustrato;

c) - eliminar el precursor inorgánico sin reaccionar y subproductos de reacción si hay alguno;

d) - poner en contacto la superficie de dicho sustrato con un pulso de un precursor orgánico; donde el precursor orgánico es un compuesto orgánicos sustituido con 2-6 sustituyentes seleccionados del grupo que consiste en -OH, -COOH, -SH, -NH2, -SO4H, -SO3H, -PO4H, y -NH3I, donde el compuesto orgánico se selecciona entre alcanos de cadena lineal o ramificada, cicloalcanos, alquenos, grupos aromáticos monoy policíclicos, grupos aromáticos heterocíclicos, donde el compuesto orgánico opcionalmente puede comprender otros sustituyentes que los al menos dos sustituyentes reactivos, y donde el precursor orgánico se puede llevar a fase gaseosa;

e) - hacer reaccionar el precursor orgánico con el compuesto inorgánico unido al sustrato para formar una capa híbrida orgánica inorgánica;

f) - eliminar el precursor orgánico sin reaccionar y subproductos de reacción si hay alguno;

g) - repetir las etapas a) a f) hasta que se alcanza el espesor de película deseado.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/NO2005/000488.

Solicitante: UNIVERSITETET I OSLO.

Nacionalidad solicitante: Noruega.

Dirección: BOKS 1072 BLINDERN 0316 OSLO NORUEGA.

Inventor/es: NILSEN,OLA, FJELLVÅG,HELMER.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • B05D1/00 SECCION B — TECNICAS INDUSTRIALES DIVERSAS; TRANSPORTES.B05 PULVERIZACION O ATOMIZACION EN GENERAL; APLICACION DE LIQUIDOS U OTRAS MATERIAS FLUIDAS A SUPERFICIES, EN GENERAL.B05D PROCEDIMIENTOS PARA APLICAR LIQUIDOS U OTRAS MATERIAS FLUIDAS A SUPERFICIES, EN GENERAL (transporte de objetos en los baños de líquidos B65G, p. ej.. B65G 49/02). › Procedimientos para aplicar líquidos u otras materias fluidas a las superficies (B05D 5/00, B05D 7/00 tienen prioridad).
  • B05D1/18 B05D […] › B05D 1/00 Procedimientos para aplicar líquidos u otras materias fluidas a las superficies (B05D 5/00, B05D 7/00 tienen prioridad). › por inmersión.
  • B05D1/36 B05D 1/00 […] › Aplicaciones sucesivas de líquidos u otros materiales fluidos, p. ej. sin tratamientos intermedios.
  • B05D5/00 B05D […] › Procedimientos para aplicar líquidos u otros materiales fluidos a las superficies para obtener efectos, acabados o estructuras de superficie particulares.
  • B05D7/00 B05D […] › Procedimientos, distintos al "flocage", especialmente adaptados para aplicar líquidos u otros materiales fluidos, a superficies especiales, o para aplicar líquidos u otros materiales fluidos, particulares.
  • B05D7/24 B05D […] › B05D 7/00 Procedimientos, distintos al "flocage", especialmente adaptados para aplicar líquidos u otros materiales fluidos, a superficies especiales, o para aplicar líquidos u otros materiales fluidos, particulares. › para aplicar líquidos u otros materiales fluidos particulares.
  • C23C16/30 SECCION C — QUIMICA; METALURGIA.C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL.C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (aplicación de líquidos o de otros materiales fluidos sobre las superficies, en general B05; fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; mecanizado del metal por acción de una fuerte concentración de corriente eléctrica sobre un objeto por medio de un electrodo B23H; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; pinturas, barnices, lacas C09D; esmaltado o vidriado de metales C23D; medios para impedir la corrosión de materiales metálicos, las incrustaciones, en general C23F; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D, C25F; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04; detalles de aparatos de sonda de barrido, en general G01Q; fabricación de dispositivos semiconductores H01L; fabricación de circuitos impresos H05K). › C23C 16/00 Revestimiento químico por descomposición de compuestos gaseosos, no quedando productos de reacción del material de la superficie en el revestimiento, es decir, procesos de deposición química en fase vapor (pulverización catódica reactiva o evaporación reactiva en vacío C23C 14/00). › Deposición de compuestos, de mezclas o de soluciones sólidas, p. ej. boruros, carburos, nitruros.
  • C23C16/455 C23C 16/00 […] › caracterizado por el proceso utilizado para introducir gases en la cámara de reacción o para modificar las corrientes de gas en la cámara a reacción.
  • C30B25/02 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES.C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
  • C30B29/10 C30B […] › C30B 29/00 Monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada caracterizados por los materiales o por su forma. › Compuestos inorgánicos o composiciones inorgánicas.
  • C30B29/54 C30B 29/00 […] › Compuestos orgánicos.

PDF original: ES-2730832_T3.pdf

 

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