CIP 2015 : H01L 25/065 : siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 27/00.

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H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042).

H01L 25/065 · · · siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 27/00.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Interconexión de puente con vías a través de silicio.

(20/05/2020) Un sistema de interconexión de puente entre circuitos integrados , que comprende: un primer dado semiconductor que tiene un primer lado y un segundo lado; un segundo dado semiconductor , que tiene un primer lado y un segundo lado, provisto en una configuración de lado a lado con el primer dado semiconductor : un dado semiconductor de puente , que tiene un primer lado y un segundo lado; estando dispuesto el segundo lado del dado semiconductor de puente al menos parcialmente en los primeros lados del primer dado semiconductor y el segundo dado semiconductor ; estando configurado el dado semiconductor de puente para interconectar eléctricamente el primer dado semiconductor y el segundo dado semiconductor ; teniendo…

Control térmico activo para dispositivos de IC apilados.

(11/03/2020). Solicitante/s: QUALCOMM INCORPORATED. Inventor/es: GU,SHIQUN, NOWAK,MATTHEW, TOMS,THOMAS R.

Un dispositivo de IC apilado que comprende: un nivel superior y un nivel inferior , teniendo cada nivel una capa de sustrato y una capa activa en la que están dispuestos unos circuitos activos, en el que el nivel superior y el nivel inferior están apilados de modo que la capa activa del nivel superior está enfrente de la capa activa del nivel inferior; y un dispositivo termoeléctrico (TE) que comprende al menos una unión P-N y un conductor inferior , en el que el material de la unión P-N está dispuesto dentro de la capa de sustrato del nivel superior, en el que el dispositivo TE está adaptado para facilitar un flujo térmico entre el conductor inferior de dicho dispositivo TE y un área localizada del dispositivo de IC apilado , y en el que el flujo térmico pasa a través de las capas activas de los niveles superior e inferior.

PDF original: ES-2796653_T3.pdf

Sistemas en paquetes.

(19/02/2020) Un sistema en paquete que comprende: un portador ; un primer chip encima de dicho portador , en el que dicho primer chip comprende un primer sustrato semiconductor que tiene un grosor de entre 1 y 50 micrómetros, una primera capa metálica (34 o 26) debajo de una superficie inferior de dicho primer sustrato semiconductor , y una primera capa dieléctrica debajo de dicha superficie inferior de dicho primer sustrato semiconductor y encima de dicha primera capa metálica (34 o 26); un segundo chip encima de dicho portador , en el que dicho segundo chip comprende un segundo sustrato semiconductor que tiene una superficie superior (58s) sustancialmente coplanaria con una superficie superior (58s) de dicho primer sustrato semiconductor , en el que dicho segundo chip está separado de dicho primer chip ; un material de relleno…

Método para incorporar un chip invertido de circuito integrado.

(21/08/2019) Un método para fabricar un dispositivo de tarjeta inteligente , comprendiendo el método: proporcionar un núcleo portador (225c) en el que una película flexible que tiene una pluralidad de patrones conductores se interpone entre un primer sustrato y un segundo sustrato , caracterizado por que cada uno de los patrones conductores incluye: al menos un chip invertido , al menos una almohadilla de contacto dispuesta en un desplazamiento en relación con el al menos un chip invertido , al menos una trayectoria conductora que acopla eléctricamente la al menos una almohadilla de contacto al al menos un chip invertido , en donde la al menos una trayectoria conductora y la al menos una almohadilla de contacto están formadas en la película flexible , en donde la etapa de proporcionar un núcleo portador (225c)…

Paquete microelectrónico multicapa con apantallamiento interno.

(31/07/2019) Paquete microelectrónico multicapa, del tipo que comprende - un piso superior que comprenden su cara inferior al menos un circuito impreso microelectrónico, - un piso inferior que comprende en su cara superior al menos un circuito impreso microelectrónico, - una estructura intermedia tubular que separa el piso superior del piso inferior cuya sección posee dimensiones adaptadas a las dimensiones de los planos inferior y superior, la estructura intermedia que es una estructura unitaria, realizada de una sola pieza del mismo material orgánico que los circuitos impresos de los piso superior e inferior, independiente de los pisos inferior y superior, colocada en el piso inferior y que soporta el piso superior, la estructura intermedia que está realizada de manera que forma dos…

Estructura de protección para el aislamiento de señal y procedimiento para su fabricación.

(01/05/2019) Un procedimiento de fabricación de una estructura de protección eléctrica para proporcionar el aislamiento de señal que comprende las etapas de: proporcionar un sustrato que tiene una superficie de montaje que comprende un primer área para alojar al menos un componente electrónico; e implementar la estructura de protección eléctrica, incluyendo la estructura de protección eléctrica uno o más proyecciones eléctricamente conductoras sobre el sustrato, la una o más proyecciones eléctricamente conductoras que se extienden en forma transversal a la superficie de montaje del sustrato; la una o más proyecciones eléctricamente conductoras incluyen una o más estructuras tipo pared; la una o más estructuras tipo pared son alargadas paralelas a la superficie de montaje; en el que: la una o más proyecciones eléctricamente…

Ensamblaje de un chip microelectrónico a una ranura con un elemento de cableado en forma de cordón y procedimiento de ensamblaje.

(03/04/2019) Ensamblaje de por lo menos un chip microelectrónico con un elemento de cableado , dicho por lo menos un chip microelectrónico comprende un componente microelectrónico separado de una contra-placa o de un componente micro electrónico adicional por un separador , en el que el separador , el componente microelectrónico y la contra-placa o el componente microelectrónico adicional definen por lo menos una ranura de encaje del elemento de cableado , la por lo menos una ranura que presenta una primera pared lateral interna (10b) define el componente microelectrónico , un fondo definido por el separador y una segunda pared lateral interna (10a) opuesta a la primera pared lateral interna (10b) y definida por el componente microelectrónico adicional o la contra-placa , la por lo menos…

Disipador de calor para el enfriamiento de módulos semiconductores de potencia.

(11/04/2018). Solicitante/s: VESTAS WIND SYSTEMS A/S. Inventor/es: STYHM,OVE, ABEYASEKERA,TUSITHA, ANDERSEN,THOMAS LUNDGREN, MØLLER,HENRIK B.

Disipador de calor para enfriar al menos un módulo semiconductor de potencia con una placa base , comprendiendo el disipador de calor: una cubeta para contener un líquido refrigerante ; un reborde de contacto que se encuentra alrededor de la cubeta y que recibe la placa base , caracterizado por, tener el reborde de contacto una pendiente hacia dentro hacia la cubeta.

PDF original: ES-2668496_T3.pdf

Chip microelectrónico desnudo provisto de una ranura que forma un alojamiento para un elemento filar que constituye un soporte mecánico flexible, procedimiento de fabricación y microestructura.

(22/04/2015) Chip microelectrónico que incluye un elemento filar eléctricamente conductor , dos caras principales paralelas delantera y trasera , caras laterales y un rebaje que forma un alojamiento para el elemento filar eléctricamente conductor , siendo el rebaje una ranura colocada en una de las caras principales o laterales, teniendo la ranura un eje paralelo a las caras principales para una fijación por encastre del elemento filar eléctricamente conductor en dicha ranura, estando el chip el provisto de al menos un elemento de conexión eléctrica destinado a conectar un componente microelectrónico integrado en el chip con el elemento filar, estando el elemento de conexión eléctrica, en el caso de una ranura colocada en una cara lateral, al menos en parte constituido por una capa eléctricamente conductora que reviste al menos en parte dicha ranura;…

Método para apilar circuitos integrados conectados en serie y dispositivo multichip fabricado a partir del mismo.

(18/06/2014) Dispositivo multichip que incluye un par apilado de chips de circuito integrado, comprendiendo el dispositivo: un chip superior que presenta: uno o más terminales para señales de entrada (A3 a A6) para su conexión con señales de entrada externas; uno o más terminales para señales de conexión común (A1, A2, B1, B2), estando dispuesto cada terminal para señales de conexión común simétricamente en torno a una línea central del chip superior con respecto a un terminal duplicado para señales de conexión común; uno o más terminales para señales de salida (B3 a B6) dispuestos simétricamente en torno a la línea central del chip superior con respecto a unos terminales respectivos para señales de entrada; un chip inferior que tiene una disposición de terminales para señales sustancialmente idéntica a la del chip superior, estando invertida la…

Un soporte modular de microplaquetas de circuitos integrados.

(25/09/2013) Un soporte para disponer unas microplaquetas de circuitos integrados en una configuración tridimensionalen una placa de circuitos , donde dicho soporte comprende: a) una plataforma con una superficie superior y una superficie inferior; b) un primer montante en un primer lado de dicha plataforma y un segundo montante en unsegundo lado de dicha plataforma , dichos montantes proporcionan un asiento para dichaplataforma y de este modo se crea un espacio debajo de la superficie inferior de dicha plataforma ; c) dicha plataforma que tiene un patrón de puntos de conexión (29A, 29B) en su superficie superior pararecibir al menos una microplaqueta de circuitos integrados en la…

CONJUNTO DE CHIPS APILADOS Y METADO PARA FABRICARLO.

(01/11/2002). Solicitante/s: RAYTHEON COMPANY. Inventor/es: GATES, LOUIS E. JR., COCHRAN, RICHARD K.

DOS O MAS CIRCUITOS INTEGRADOS O CHIPS DE MEMORIA SE APILAN SOBRE UN SUBSTRATO DE UN CIRCUITO O SOBRE UNA TARJETA IMPRESA DE CONEXION DE FORMA QUE LOS PLANOS DE LOS CHIPS DESCANSEN HORIZONTALMENTE SOBRE EL SUBSTRATO O TARJETA DE CONEXIONES. LOS CHIPS ESTAN PREFERIBLEMENTE INTERCONECTADOS A LO LARGO DE TODOS SUS BORDES Y POR LO TANTO, PREFERIBLEMENTE POR MEDIO DE UNIONES EN FORMA DE CINTA, AL SUBSTRATO O A LA TARJETA DE CONEXIONES. ESTA DISPOSICION ASI MONTADA SE SELLA HERMETICAMENTE MEDIANTE REVESTIMIENTOS DE PASIVACION Y ENCAPSULACION. DICHOS CHIPS SE ENCUENTRA SOBREDIMENSIONADOS, PARA DISTINGUIRLOS DE LOS CHIPS CONVENCIONALES. ESPECIFICAMENTE, CADA CHIPS ES MAYOR QUE UN CIRCUITO INDIVIDUAL , ESTO ES CADA PLAQUETA QUE SE SELECCIONA PARA SER CONFORMADA COMO UN CHIP TIENE UN TAMAÑO QUE ES MAYOR QUE EL CIRCUITO INDIVIDUAL QUE INCORPORA, SUPERPONIENDOSE ASI A LOS CIRCUITOS ADYACENTES.

EMPAQUETAMIENTO CUBICO CON AISLAMIENTO DE POLIIMIDA DE CHIPS APILADOS DE DISPOSITIVO PARA SEMICONDUCTORES.

(01/11/1999). Solicitante/s: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Inventor/es: MILLER, CHRISTOPHER, PAUL, BERTIN, CLAUDE LOUIS, FARRAR,SR.,PAUL ALDEN, HOWELL, WAYNE JOHN, PERLMAN, DAVID JACOB.

UN PAQUETE CUBICO DE CHIPS SEMICONDUCTOR DE SILICIO APILADOS. PARA ACOMODAR EL EMPAQUETADOR CUBICO, UNA CAPA DE METAL DE TRANSFERENCIA ES AÑADIDA SOBRE LA CARA DEL CHIP PASIVADA PARA LLEVAR TODOS LOS CONTACTOS ELECTRICOS DE SUPERFICIE A UN BORDE DE CHIP COMUN. LA CAPA DE TRANSFERENCIA DE METAL ESTA AISLADA DE LA CARA DEL CHIP Y DEL CHIP ADYACENTE EN EL APILAMIENTO DE LAS CAPAS POLIMERAS (169 QUE TIENEN UNA CONSTANTE DIELECTRICA BAJA, Y UN COEFICIENTE DE EXPANSION TERMAL QUE SE ENFRENTA CON AQUELLOS DE LOS CHIPS APILADOS. UNA CAPA POLIMERA ADHESIVA ES AÑADIDA PARA FORTALECER EL ENLACE ENTRE LAS PRIMERAS CAPAS POLIMERAS Y EL CHIP ADYACENTE EN EL APILAMIENTO, POR LA DEPOSICION DE LA CAPA ADHESIVA Y LA CURA PARCIAL AL NIVEL DE CIERRE, Y ENTONCES SE CURA DEL TODO CUANDO LOS CHIPS SON APILADOS JUNTOS PARA FORMAR EL CUBO.

PROCESO Y DISPOSITIVO DE INTERCONEXION DE CIRCUITOS INTEGRADOS EN TRES DIMENSIONES.

(16/10/1997). Solicitante/s: THOMSON-CSF. Inventor/es: LEROY, MICHEL, VAL, CHRISTIAN.

LA PRESENTE INVENCION SE REFIERE A UN PROCESO Y UN DISPOSITIVO PARA LA INTERCONEXION DE PLACAS SEMICONDUCTORAS APILADAS, CONTENIENDO CADA UNA DE LAS PLACAS UN CIRCUITO INTEGRADO. POR ESTE PROPOSITO, LAS PLACAS SEMICONDUCTORAS (P) ESTAN APILADAS Y HECHAS SOLIDARIAS UNAS DE OTRAS. EN UN MODO DE REALIZACION, SUS BORNES DE CONEXION ESTAN CADA UNO CONECTADOS MEDIANTE UN HILO (F) A UNA CARA CUALQUIERA DEL APILAMIENTO SALVO UNA (B), DESTINADA A ESTAR EN CONTACTO CON UN CIRCUITO IMPRESO. LA CONEXION DE LAS PLACAS ENTRE SI Y DE ESTAS ULTIMAS CON EL CIRCUITO IMPRESO, SE REALIZA SOBRE LAS CARAS (F SUB V, F SUB S, F SUB L) DEL APILAMIENTO.

MODULOS DE MEMORIA EN ESTADO SOLIDO Y DISPOSITIVOS DE MEMORIA QUE COMPRENDEN TALES MODULOS.

(16/05/1995). Solicitante/s: MATRA MARCONI SPACE FRANCE. Inventor/es: DE GIVRY, JACQUES.

MODULO DE MEMORIA QUE COMPRENDE SOBRE UN SUSTRATO DE INTERCONEXION, VARIAS PULGAS DE MEMORIA DE SEMICONDUCTORES DE FORMA ALARGADA CUYAS SALIDAS ESTAN LOCALIZADAS EN LOS EXTREMOS. COMPRENDE AL MENOS DOS PULGAS APILADAS Y CRUZADAS.

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