Interconexión de puente con vías a través de silicio.

Un sistema de interconexión de puente entre circuitos integrados (200;

300; 400), que comprende:

un primer dado semiconductor (220; 320; 420) que tiene un primer lado y un segundo lado;

un segundo dado semiconductor (230; 330; 430), que tiene un primer lado y un segundo lado, provisto en una configuración de lado a lado con el primer dado semiconductor (220; 320; 420):

un dado semiconductor de puente (240), que tiene un primer lado y un segundo lado;

estando dispuesto el segundo lado del dado semiconductor de puente (240) al menos parcialmente en los primeros lados del primer dado semiconductor (220; 320; 420) y el segundo dado semiconductor (230; 330; 430);

estando configurado el dado semiconductor de puente (240) para interconectar eléctricamente el primer dado semiconductor (220; 320; 420) y el segundo dado semiconductor (230; 330; 430);

teniendo el dado semiconductor de puente (240) vías a través (270) de dado semiconductor de puente desde el primer lado del dado semiconductor de puente al segundo lado del dado semiconductor de puente, caracterizado por que:

estando las vías a través (270) de dado semiconductor de puente rellenas de metalizaciones para conectar líneas de interconexión (272) de metal pasivo en el primer lado del dado semiconductor de puente (240) para posibilitar la interconexión.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2009/048372.

Solicitante: QUALCOMM INCORPORATED.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: Attn: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, CA 92121 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: CHANDRASEKARAN,ARVIND.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H01L25/065 SECCION H — ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 25/00 Conjuntos consistentes en una pluralidad de dispositivos semiconductores o de otros dispositivos de estado sólido (dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00; módulos fotovoltaicos o conjuntos de células fotovoltaicas H01L 31/042). › siendo los dispositivos de un tipo previsto en el grupo H01L 27/00.

PDF original: ES-2812556_T3.pdf

 

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