CIP 2015 : H01L 31/18 : Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

CIP2015HH01H01LH01L 31/00H01L 31/18[1] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

H SECCION H — ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctrica en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00).

H01L 31/18 · Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.

CIP2015: Invenciones publicadas en esta sección.

Método de fabricación de las nanopartículas de CI(G)S para la fabricación de capas absorbentes de luz, y de las nanopartículas de CI(G)S fabricadas con las mismas.

(19/02/2019) Un método para preparar nanopartículas de CI(G)S que forman una capa de absorción de luz de células solares, el método comprende: disolver al menos una fuente del Grupo VI seleccionada del grupo que consiste en compuestos que comprenden azufre (S), selenio (Se), o una combinación de los mismos, y una sal de indio (In) en un disolvente para preparar una primera solución; calentar la primera solución durante 1 a 4 horas a una temperatura de 130 a 170 °C para hacer reaccionar la fuente del Grupo VI y la sal de indio (In) en la solución para formar las primeras partículas precursoras; disolver una sal de cobre (Cu) en un disolvente para preparar una segunda solución; mezclar la segunda solución con la primera solución después de la…

Panel fotovoltaico y procedimiento de fabricación de un panel de este tipo.

(13/02/2019) Procedimiento de fabricación de paneles fotovoltaicos caracterizado por que este procedimiento consiste en las siguientes etapas: - Depositar un patrón metálico sobre una placa de circuito impreso ; - Aplicar al menos una capa de máscara de soldadura sobre dicha placa dejando 5 al menos una zona libre de máscara ; - Aplicar sobre toda o sobre una parte de dicha capa de máscara de soldadura una primera máscara constituida por una película de polímero para formar un apoyo para al menos una célula fotovoltaica ; - Aplicar sobre toda o una parte de esta primera máscara una segunda máscara constituida asimismo por una película de polímero que delimita al menos todo…

Composición acuosa alcalina de grabado y de limpieza y procedimiento de tratamiento de la superficie de sustratos de silicio.

(08/02/2019) Una composición acuosa alcalina de grabado y de limpieza que comprende: (A) al menos un hidróxido de amonio cuaternario; preferiblemente seleccionado del grupo que consiste en hidróxido de tetrametilamonio e hidróxido de tetraetilamonio; y (B) al menos un componente seleccionado del grupo que consiste en (b1) ácidos sulfónicos solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general I: (R1-SO3-)nXn+ (I), (b2) ácidos fosfónicos solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general II: R-PO32-(Xn+)3-n (II), (b3) ésteres de ácido sulfúrico solubles en agua y sus sales solubles en agua de fórmula general III: (RO-SO3-)nXn+ (III), (b4) ésteres de ácido fosfórico solubles en agua y sus sales solubles en agua de…

Célula solar que incluye nanocable de silicio y método para fabricar la célula solar.

(23/01/2019). Solicitante/s: Korea Institute Of Industrial Technology. Inventor/es: LEE, SUK HO, JEONG,CHAEHWAN, JEON,MINSUNG, KIM,JIN HYEOK, KO,HANG JU.

Una célula solar que comprende: un sustrato, una primera capa de poli-Si del tipo ++ formada sobre el sustrato, una capa de nanocables de silicio del primer tipo que incluye un nanocable de silicio del primer tipo que crece desde la primera capa de poli-Si del tipo ++, una capa intrínseca formada sobre el sustrato que tiene la capa de nanocables de silicio de primer tipo, y una capa de dopaje del segundo tipo formada sobre la capa intrínseca, dicha capa de dopaje del segundo tipo teniendo un nivel de impureza menor que la primera capa de poli-Si del tipo ++, en donde el nanocable de silicio del primer tipo tiene una longitud en un intervalo de 2 a 5 μm y un diámetro en un intervalo de 1 a 5 nm.

PDF original: ES-2717141_T3.pdf

Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión.

(23/01/2019). Solicitante/s: Solar Junction Corporation. Inventor/es: JONES,REBECCA ELIZABETH, YUEN,HOMAN BERNARD, LIU,TING, MISRA,PRANOB.

Subcélula para su utilización en una célula solar multiunión, que comprende: una capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz , en la que los valores de contenido para x, y, y z se encuentran en los rangos de composición siguientes: 0,07 ≤ x ≤ 0,18, 0,025 ≤ y ≤ 0,04 y 0,001 ≤ z ≤ 0,03; un emisor , un campo en superficie delantero opcional y un campo en superficie trasero opcional ; donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz se empareja reticularmente de forma sustancial a un sustrato GaAs o a un sustrato Ge; donde la capa Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz presenta una banda prohibida en el rango de 0,9 - 1,1 eV; donde, cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM 1.5D, la subcélula presenta una tensión en circuito abierto superior a 0,30 V; y una corriente de cortocircuito superior a 13 mA/cm cuando se expone a una iluminación de 1 sol AM1.5D con un filtro que bloquea toda la luz por encima de la banda prohibida GaAs.

PDF original: ES-2720596_T3.pdf

Dispositivo y procedimiento para atemperar un cuerpo multicapa.

(28/11/2018) Dispositivo para atemperar un cuerpo multicapa , que presenta una primera capa y al menos una segunda capa , mediante absorción de una cantidad de energía por el cuerpo multicapa con una absorción de una primera cantidad parcial de la cantidad de energía por la primera capa y una absorción de una segunda cantidad parcial de la cantidad de energía por la segunda capa , que presenta - al menos una fuente de energía de la cantidad de energía, en donde - existen una primera y al menos una segunda fuentes de energía, - al menos una de las fuentes de energía presenta una emisión de una determinada…

Aparato para la fabricación de matrices de celdas solares y método para operar tal aparato.

(14/11/2018). Solicitante/s: Meyer Burger (Switzerland) AG. Inventor/es: KNOLL,GERHARD, RISCH,WOLFGANG, SCHULTIS,MARTIN, HIRZLER,BERND.

Un aparato para la fabricación de matrices de celdas solares, que comprende al menos un encadenador para formar cadenas de celdas solares, una estación de almacenamiento e interconexión para disponer e interconectar las cadenas para formar una matriz de celdas solares, en donde se proporcionan varios encadenadores y un sistema de transporte para transferir cadenas desde los encadenadores a la estación de almacenamiento e interconexión, en donde los encadenadores están dispuestos perpendiculares a la dirección de flujo del sistema de transporte o en un ángulo agudo a un eje perpendicular a la dirección del flujo del sistema de transporte.

PDF original: ES-2689446_T3.pdf

Sistema óptico secundario reflectante y conjunto de semiconductores y procedimiento para su fabricación.

(31/10/2018). Ver ilustración. Solicitante/s: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FORDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.. Inventor/es: BETT,ANDREAS,DR, JAUS,JOACHIM, GRAF,WOLFGANG, NITZ,PETER, PASSIG,MICHAEL, PEHARZ,GERHARD.

Sistema óptico secundario reflectante o reflectante y refractivo para concentrar la luz solar en componentes semiconductores que absorben la luz, que comprenden un reflector con una abertura de entrada orientada hacia la luz solar y una abertura de salida orientada hacia el componente semiconductor , caracterizado porque el interior del reflector presenta al menos una capa protectora aplicada que contiene o consiste en alúmina, nitruro de silicio y/o óxido de silicio, y porque el reflector presenta un voladizo alrededor del reflector.

PDF original: ES-2688179_T3.pdf

Elaboración de silicio policristalino por sinterización natural para aplicaciones fotovoltaicas.

(26/10/2018) Procedimiento de control de la densidad y/o de la porosidad de una muestra de silicio, incluyendo este procedimiento: * un posicionamiento de esta muestra de silicio, inicialmente en forma granular o de polvo, en un horno, * determinación de las condiciones de temperatura de sinterización y de presión parcial de las especies oxidantes para ejecutar una etapa de sinterización, * una sinterización sin carga de esta muestra, por tratamiento térmico de este a al menos una temperatura de sinterización y al menos una presión parcial de especies oxidantes, permaneciendo la temperatura de sinterización inferior a la temperatura de fusión de la muestra, estando la temperatura de sinterización y la presión parcial de especies oxidantes dirigidas durante la sinterización para…

Partículas que comprenden Al y Ag en pastas conductoras de la electricidad y preparación de una célula solar.

(10/10/2018). Solicitante/s: Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG. Inventor/es: KONIG, MARKUS, HÖRTEIS,MATTHIAS, RUDL,ALEXANDER.

Una pasta que comprende como constituyentes de la pasta: a. Por lo menos 80% en peso de polvo de plata, basado en el peso total de la pasta ; b. Un sistema de reacción inorgánica; c. Un vehículo orgánico; d. Partículas de aditivo que comprenden Al y Ag como constituyentes de las partículas, en la que Al y Ag están presentes en las partículas de aditivo como elementos o en una o más mezclas de una sola fase de elementos que comprenden uno o ambos Al y Ag, o una combinación de uno o ambos Al y Ag como elementos con una o más mezclas de elementos.

PDF original: ES-2685639_T3.pdf

Módulo solar sin marco con orificios de montaje y procedimiento para producir un módulo solar de este tipo.

(09/10/2018) Módulo solar de película delgada sin marco , con un sustrato de soporte y una capa de cubierta unida a él, entre los cuales se encuentra una estructura de capas , mediante la cual se forma una conexión en serie de un gran número de primeras y segundas células solares (6, 6') para generar de energía fotovoltaica, donde el sustrato de soporte y/o la capa de cubierta están provistos de orificios de montaje para montar el módulo solar en un soporte del módulo o para unirlo a al menos otro módulo solar, donde orificios de montaje están formados respectivamente en una zona libre de recubrimiento …

Partículas que comprenden AI, Si y Mg en pastas electroconductoras y preparación de células fotovoltaicas.

(04/10/2018). Ver ilustración. Solicitante/s: Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG. Inventor/es: KONIG, MARKUS, HÖRTEIS,MATTHIAS, GEORG,NICOLE.

Una pasta que comprende como constituyentes de pasta: a. Al menos 80% en peso de polvo de plata, basado en el peso total de la pasta ; b. Un sistema de reacción inorgánico; c. Un vehículo orgánico; d. Partículas de aditivo que comprenden Al, Mg y Si como constituyentes de partículas, en donde Al, Mg y Si están presentes en las partículas de aditivos como elementos o en una o más mezclas de una sola fase de elementos que comprenden uno o más de los constituyentes de partículas, o una combinación de uno o más elementos con una o más mezclas de una sola fase de elementos.

PDF original: ES-2684721_T3.pdf

Conexión de regiones fotoactivas en un dispositivo optoelectrónico.

(02/10/2018) Un dispositivo optoelectrónico que tiene una construcción en capas, que comprende: una capa de base ; una primera capa conductora sobre la capa de base; una capa fotoactiva sobre la primera capa conductora y en contacto eléctrico con la misma; una pluralidad de canales de separación que se extienden a través de la capa fotoactiva y la primera capa conductora, en donde, en lados opuestos de los canales de separación, la capa fotoactiva se separa en unas regiones fotoactivas (133a, 133b) y la primera capa conductora se separa en unos primeros electrodos en contacto eléctrico con las regiones fotoactivas respectivas; entre regiones fotoactivas adyacentes, un material aislante que se extiende al menos a través…

Dispositivo semiconductor y procedimiento de fabricación de un dispositivo semiconductor.

(28/09/2018). Ver ilustración. Solicitante/s: Hanwha Q.CELLS GmbH. Inventor/es: ENGELHART,PETER, DINGEMANS,GIJS, KESSELS,WILHELMUS MATHIJS MARIE, SEGUIN,ROBERT.

Célula solar con una capa semiconductora y una capa de pasivación dispuesta sobre una superficie de la capa semiconductora para la pasivación de la superficie de la capa semiconductora , donde la capa de pasivación es una pasivación del lado posterior dispuesto en un lado posterior de la célula solar alejado de la luz configurada como capa de reflexión para la luz infrarroja y que comprende una capa parcial de pasivación química y una capa parcial de pasivación por efecto de campo dispuestas la una sobre la otra en la superficie de la capa semiconductora , donde la capa parcial de pasivación química está dispuesta entre la capa semiconductora y la capa parcial de pasivación por efecto de campo sobre la superficie de la capa semiconductora y donde se aplica una capa de recubrimiento de nitruro de silicio sobre la capa de pasivación.

PDF original: ES-2683911_T3.pdf

PROCEDIMIENTO PARA PREPARAR CAPAS DE ÓXIDO DE COBRE (I) SOBRE UN SUSTRATO DE ÓXIDO METÁLICO.

(28/09/2018). Solicitante/s: OXOLUTIA, S.L. Inventor/es: CALLEJA LÁZARO,Alberto, TAMAYO BUISAN,Ruben.

Procedimiento para preparar capas de óxido de cobre (I) sobre un sustrato de óxido metálico. La presente invención se refiere a un procedimiento para preparar capas de óxido de cobre (I) sobre un sustrato de óxido metálico, en el que se emplean soluciones orgánicas de una sal de cobre (II) como precursor, y se lleva a cabo un tratamiento térmico en presencia de un gas inerte y oxígeno. También se refiere a las arquitecturas obtenibles mediante dicho procedimiento, y a la utilización de las mismas en aplicaciones fotovoltaicas.

PDF original: ES-2683913_R1.pdf

PDF original: ES-2683913_A2.pdf

Procedimientos de fabricación de cuerpos semiconductores delgados a partir de material fundido.

(10/09/2018) Procedimiento de fabricación de un cuerpo semiconductor, comprendiendo el procedimiento las etapas de: a. proporcionar un material semiconductor fundido, que tiene una superficie; b. proporcionar un molde poroso, que comprende una superficie de formación; c. proporcionar un régimen de presión diferencial de manera que la presión en al menos una parte de la superficie de formación es menor que la presión en la superficie de material fundido; d. poner en contacto la superficie de formación con el material fundido durante una duración de contacto de manera que, durante al menos una parte de la duración de contacto, el régimen de presión diferencial se proporciona de manera que un cuerpo de material semiconductor solidifica sobre la superficie de formación; e. provocar el movimiento de la superficie de formación…

CELULA SOLAR MULTIUNIÓN DE SEMICONDUCTORES III-V QUE CONTIENE GRAFENO Y METODO DE OBTENCION.

(27/04/2018). Solicitante/s: UNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRID. Inventor/es: ALGORA DEL VALLE,CARLOS, REY-STOLLE PRADO,IGNACIO, BARRUTIA PONCELA,Laura, OCHOA GOMEZ,Mario.

Célula solar multiunión de semiconductores III-V que contiene grafeno y método de obtención. La invención se refiere a una célula solar multiunión que comprende: una estructura semiconductora que incorpora una o más uniones pn fotovoltaicamente activas hechas de semiconductores III-V, contactos metálicos frontales y traseros, y una o más capas de grafeno depositadas entre la estructura semiconductora y los contactos frontales. Para muchas aplicaciones de esta invención, además sería necesario depositar capas antirreflectantes sobre el grafeno. Asimismo, la presente invención se refiere al método de obtención de la célula solar multiunión, caracterizado porque comprende depositar al menos una capa de grafeno mediante transferencia sobre la superficie semiconductora frontal de la célula solar, previamente al depósito de los contactos metálicos frontales.

PDF original: ES-2665809_A1.pdf

Método para la producción industrial de módulos de concentrador fotovoltaico.

(07/03/2018). Solicitante/s: Saint-Augustin Canada Electric Inc. Inventor/es: HAARBURGER, KARL-FRIEDRICH,, GERSTER,ECKART, LANGE,GERRIT.

Método para fijar un disco de lente de un módulo de concentrador fotovoltaico que comprende un disco portador de sensor con sensores CPV y un disco de lente con lentes de Fresnel que se intercalan con un marco de módulo , que comprende las etapas de: a) alinear el disco de lente por medio de una cámara con el disco portador de sensor, b) fijar el disco de lente sobre el marco de módulo , en el que la fijación del disco de lente sobre el módulo de marco se realiza por medio de curado de puntos acrílicos.

PDF original: ES-2668501_T3.pdf

Célula solar de germanio y método de producción de la misma.

(07/03/2018). Solicitante/s: IMEC VZW. Inventor/es: POORTMANS,JEF, POSTHUMA,NIELS, FLAMAND,GIOVANNI.

Método para la pasivación y el contacto de una superficie de un sustrato de germanio, que comprende las etapas de; - proporcionar dicho sustrato de germanio con una primera superficie; - producir una capa de pasivación de silicio amorfo hidrogenado intrínseco en dicha primera superficie; - producir una capa de contacto de metal sobre dicha capa de pasivación; - aplicar una etapa de difusión, en donde dicha etapa de difusión se lleva a cabo a una temperatura entre 150 °C y 300 °C y el tiempo de difusión está entre 5 y 60 minutos, de manera que dicha superficie de germanio se pone en contacto con dicha capa de contacto, a través de dicha capa de pasivación.

PDF original: ES-2670168_T3.pdf

Módulo fotovoltaico que comprende un electrodo transparente conductor de espesor variable y procedimientos de fabricación de un módulo de este tipo.

(07/02/2018) Módulo fotovoltaico que comprende al menos dos células fotovoltaicas (7, 7') en serie, siendo cada célula (7, 7') de forma rectangular y comprendiendo respectivamente: - un electrodo trasero de capa delgada (5, 5'), - un apilamiento fotovoltaico de al menos dos materiales activos fotovoltaicos (3, 3') comprendido entre el electrodo trasero (5, 5') y un electrodo transparente conductor (TC) de capa delgada (4, 4'); siendo dicho electrodo TC (4, 4') adecuado para recoger y para transmitir una corriente eléctrica (10, 10') generada por el apilamiento fotovoltaico (3, 3'), y estando las dos células fotovoltaicas (7, 7') unidas eléctricamente…

Dispositivo de secado y procedimiento de secado para módulos solares.

(24/01/2018) Dispositivo de secado para módulos solares con al menos un adsorbedor , con el que puede secarse gas que fluye a través del adsorbedor , en el que el adsorbedor presenta una entrada y una salida para el gas que fluye a través del mismo, al menos un elemento de calentamiento , con el que puede calentarse el gas que fluye a través del elemento de calentamiento , en el que el elemento de calentamiento presenta una entrada y una salida para el gas que fluye a través, así como una conexión , a través de la que puede conducirse el gas al interior de un módulo solar , estando la salida del adsorbedor conectada de manera que conduce gases con la conexión ; caracterizado porque …

Substrato conductor para celda fotovoltaica.

(17/01/2018). Solicitante/s: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Inventor/es: DUPUY,Delphine, PALM,JÖRG, URIEN,MATHIEU, RUITENBERG,GÉRARD, LEYDER,CHARLES, HEISS,ANDREAS, MAHE,ERWAN.

Substrato conductor para celda fotovoltaica, que comprende un substrato portador y un revestimiento de electrodo formado sobre el substrato portador , en el que el revestimiento de electrodo comprende: - una capa principal a base de molibdeno formada sobre el substrato portador ; - una capa barrera contra la selenización formada sobre la capa principal a base de molibdeno, teniendo la capa barrera contra la selenización un espesor inferior a 50 nm, preferentemente inferior o igual a 30 nm, preferentemente todavía inferior o igual a 20 nm; y - sobre la capa barrera contra la selenización , una capa superior a base de un metal M apto para formar, después de sufuración y/o selenización, una capa de contacto óhmico con un material semiconductor fotoactivo.

PDF original: ES-2661862_T3.pdf

Proceso para la fabricación de piezas de una lámina que tiene un revestimiento inorgánico de TCO.

(10/01/2018). Solicitante/s: HyET Energy Systems B.V. Inventor/es: DE JONGE,LUDMILA V.

Un proceso para fabricar piezas de una lámina que tiene un revestimiento inorgánico, proceso que comprende las etapas sucesivas de: (a) proporcionar una lámina de sustrato temporal grabable, (b) aplicar el recubrimiento inorgánico sobre la lámina de sustrato temporal, (c) aplicar un soporte permanente, (d) eliminar parte del sustrato temporal, (e) cortar la lámina a lo largo de una línea de corte en las piezas, donde la línea de corte se posiciona en una parte de la lámina donde la lámina de sustrato temporal está presente, dicha porción tiene un ancho de al menos 0,25 mm con relación a cada lado de la línea de corte, (f) eliminar al menos parte de la lámina de sustrato temporal.

PDF original: ES-2672648_T3.pdf

Lámina posterior para módulo solar y procedimiento de fabricación de la misma.

(20/12/2017). Solicitante/s: KOLON INDUSTRIES, INC.. Inventor/es: KIM, SI MIN, BAEK,SANG-HYUN, KIM,TAE HYEON.

Lámina posterior para módulo de célula solar que comprende: una capa base hecha de una resina de poliéster; y una capa adhesiva laminada sobre una superficie o ambas superficies de la capa base y obtenida recubriendo y secando una composición de revestimiento a base de agua que contiene una resina a base de poliolefina modificada que contiene un grupo carboxilo en un contenido de 0,01 a 10 % en peso, un agente humectante, un agente de reticulación que es una mezcla de un agente de reticulación a base de oxazolina y un agente de reticulación a base de melamina, y agua.

PDF original: ES-2663432_T3.pdf

CÉLULA FOTOVOLTAICA, PANEL FOTOVOLTAICO Y MÉTODO DE FABRICACIÓN DE CÉLULAS FOTOVOLTAICAS.

(07/12/2017) Célula fotovoltaica (Ci) que comprende al menos una sub-célula de un primer semiconductor y una sub-célula de un segundo semiconductor conectados mediante tres electrodos (T1, T2, T3). El segundo semiconductor es típicamente silicio, mientras que el primer semiconductor es un material de con mayor banda prohibida depositado más cercano a una superficie de incidencia de radiación electromagnética. El primer electrodo (T1) se encuentra en la cara anterior de la célula fotovoltaica (Ci), mientras que el segundo electrodo (T2) y el tercer electrodo (T3) se encuentran en la cara posterior de dicha fotovoltaica (Ci). Tanto el segundo electrodo (T2) como el tercer electrodo (T3) están conectados al segundo…

Procedimiento para la producción de capas de silicio p-dopadas.

(29/11/2017). Solicitante/s: EVONIK DEGUSSA GMBH. Inventor/es: WIEBER,STEPHAN, PATZ,MATTHIAS, STÜGER,HARALD, LEHMKUHL,JASMIN.

Procedimiento para la producción de al menos una capa de silicio p-dopada dispuesta sobre un substrato, que comprende los pasos: a) puesta a disposición de un substrato, b) puesta a disposición de una formulación que contiene al menos un compuesto de silicio y, como agente de dopaje, al menos un complejo de BH3 con un complejante seleccionado a partir del grupo constituido THF; NR3 con R ≥ H, alquilo, arilo, así como SR'2 con R' ≥ H, alquilo, arilo, c) aplicación de la formulación sobre el substrato, d) irradiación y/o tratamiento térmico del substrato revestido, bajo formación de una capa p-dopada, constituida predominantemente por silicio.

PDF original: ES-2655491_T3.pdf

Método para controlar la modificación de la textura superficial de obleas de silicio para dispositivos de celdas fotovoltaicas.

(12/07/2017) Un método para modificar una estructura superficial de un sustrato de silicio o una capa de silicio depositada a una textura deseada, adecuado para fabricar dispositivos fotovoltaicos, comprendiendo el método las etapas de: disponer el sustrato de silicio o capa de silicio depositada sobre un soporte móvil; precalentar el sustrato de silicio o capa de silicio depositada en una zona de precalentamiento; mover continuamente el sustrato de silicio o capa de silicio depositada para atacar a partir de un entorno ambiental externo a través de una cortina de contención de gas de purga y en una cámara caliente abierta de ataque a presión atmosférica; mover…

Aparato generador de plasma y procedimiento de fabricación de dispositivos con patrones usando procesamiento de plasma resuelto espacialmente.

(01/03/2017) Aparato generador de plasma para fabricar dispositivos con patrones que comprende: - una cámara de reactor de plasma; - un conjunto de alimentación de gas para introducir un gas de entrada en la cámara del reactor de plasma a una presión elegida (P); - un primer conjunto de electrodos y un segundo conjunto de electrodos colocados en la cámara de reactor de plasma, estando el primer conjunto de electrodos dispuesto para separarse del segundo conjunto de electrodos por un volumen entre electrodos, y - una fuente de alimentación eléctrica para generar una diferencia de tensión entre el primer conjunto de electrodos y el segundo conjunto de electrodos ; en el que - el primer conjunto de electrodos comprende…

Módulo fotovoltaico que comprende una capa con puntos de conducción.

(04/01/2017). Solicitante/s: HyET Energy Systems B.V. Inventor/es: DUBBELDAM, GERRIT, CORNELIS, SPORTEL,EDWIN PETER.

Módulo fotovoltaico (PV) que comprende una pluralidad de células fotovoltaicas de película delgada, cada célula conteniendo un sustrato, una capa de electrodo conductor transparente, una capa fotovoltaica y una capa de electrodo trasera, donde la capa fotovoltaica comprende al menos una capa de silicio p-i-n o n-i-p, caracterizado por que dicha capa de silicio comprende 10 a 1000 puntos conductores de silicio recristalizado por cm2, teniendo cada uno, independientemente, un superficie de 10 hasta 2500 μm2, donde los puntos conductores actúan como caminos conductores no lineales entre las dos capas de electrodos y donde, en una tensión de 1 V o menos, los puntos conductores conducen una corriente por unidad de superficie de menos de 0,2 mA/cm2, y a un tensión de 8 V o más, los puntos conductores conducen una corriente por unidad de superficie de más de 10 mA/cm2.

PDF original: ES-2620092_T3.pdf

PROCEDIMIENTO PARA LA PREPARACIÓN DE UNA CAPA SEMICONDUCTORA DE OXISULFURO DE ZINC.

(02/01/2017) Procedimiento para la preparación de una capa semiconductora de oxisulfuro de zinc (ZnSxO1-x), donde X toma valores mayores a cero y menores a uno, mediante electrodeposición en una celda electrolítica formada por un electrodo de trabajo o cátodo, un contra-electrodo o ánodo, un electrodo de referencia y un electrolito. El electrolito comprende un líquido iónico, oxígeno (O2) o una fuente precursora de oxígeno, una fuente de zinc seleccionada del grupo que comprende: una sal de zinc, un contra-electrodo de zinc, y combinación de ambos, una fuente de azufre y donde el proceso se lleva a cabo a una temperatura entre 0º y 250ºC, manteniendo durante el proceso la concentración de zinc en el electrolito entre 5x10-5M y 0,1 M,…

Procedimiento de acoplamiento de células fotovoltaicas y película que permite su puesta en marcha.

(28/12/2016) Procedimiento que permite realizar el acoplamiento eléctrico de células fotovoltaicas entre sí así como la conexión periférica de las células hacia una caja de enlace, caracterizado porque comprende las siguientes etapas: - encaminamiento de una película de soporte dúctil en continuo o a través de un carro de transporte, siendo obtenido dicha película de soporte por acoplamiento de una hoja de material que presenta propiedades de resistencia a los rayos ultravioletas y de una hoja de un material aislante eléctricamente y resistente a las temperaturas elevadas, comprendiendo dicha película en su cara superior una pluralidad orificios pasantes dispuestos de manera que coinciden con unos puntos de conexión, situados en la cara trasera de células fotovoltaicas , y en su cara inferior un macrocircuito impreso que permite realizar las…

Procedimiento para la purificación de un sustrato de silicio cristalino y procedimiento para la fabricación de una célula fotovoltaica.

(07/12/2016). Solicitante/s: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES. Inventor/es: DUBOIS,Sébastien, ENJALBERT,NICHOLAS, MONNA,RÉMI.

Procedimiento para la purificación de un sustrato de silicio cristalino del tipo que comprende una etapa de extracción de las impurezas por efecto getter externo, caracterizado porque comprende, antes de dicha etapa de extracción de las impurezas por efecto getter externo, al menos una etapa de calentamiento del sustrato a una temperatura comprendida entre 750ºC y 1000ºC inclusives durante un período comprendido entre 1 segundo y 10 minutos inclusives, seguida por una etapa de enfriamiento del sustrato hasta la temperatura ambiente.

PDF original: ES-2618033_T3.pdf

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