8 inventos, patentes y modelos de PROBST,VOLKER

Mejoras aportadas a juntas para elementos capaces de captar luz.

Sección de la CIP Electricidad

(28/08/2019). Ver ilustración. Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Clasificación: H01L31/048, H01L31/042, H01L31/18, H01L31/02.

Método de sellado de un elemento capaz de captar luz, dicho elemento incluye un primer sustrato con función cristalera y un segundo sustrato (1'), dichos sustratos atrapan con la ayuda de un separador de capas un apilamiento activo de capas que incluyen unas capas conductoras que forman electrodos y al menos una capa funcional a base de un material absorbente que permite una conversión energética de la luz en energía eléctrica, dicho apilamiento está dispuesto en al menos una porción de superficie de al menos uno de los sustratos (1, 1') de forma que delimite en la periferia una garganta adaptada para recibir al menos un medio de sellado de dicho elemento, caracterizado por que se deposita el medio de sellado en la garganta antes de la fase de autoclave y después de haber retirado las burbujas de aire aprisionadas en el seno de dicho elemento.

PDF original: ES-2758754_T3.pdf

Dispositivo fotovoltaico y método de encapsulado.

Sección de la CIP Electricidad

(14/08/2019). Solicitante/s: (CNBM) Bengbu Design & Research Institute for Glass Industry Co., Ltd. Clasificación: H01L31/048, H01L31/046.

Un dispositivo fotovoltaico que comprende una capa fotovoltaica de película delgada entre un substrato y una placa de recubrimiento , siendo dicha placa de recubrimiento transparente en un área situada por encima de la capa fotovoltaica , en donde la placa de recubrimiento se solapa con la capa fotovoltaica , y en donde la placa de recubrimiento , en un área adyacente a la capa fotovoltaica, es opaca, en donde la placa de recubrimiento está aplicada como revestimiento en el área opaca, sobre al menos una cara orientada hacia, o en dirección contraria a, el substrato , o tiene un cuerpo modificado para que sea opaco en esa área, en donde el área opaca tiene un color ajustado al color de la capa fotovoltaica , en donde el área opaca se extiende desde justo por encima del borde de la capa fotovoltaica hasta el borde de la placa de recubrimiento o por debajo del reborde de un bastidor.

PDF original: ES-2754553_T3.pdf

Dispositivo y procedimiento para atemperar un cuerpo multicapa.

(28/11/2018) Dispositivo para atemperar un cuerpo multicapa , que presenta una primera capa y al menos una segunda capa , mediante absorción de una cantidad de energía por el cuerpo multicapa con una absorción de una primera cantidad parcial de la cantidad de energía por la primera capa y una absorción de una segunda cantidad parcial de la cantidad de energía por la segunda capa , que presenta - al menos una fuente de energía de la cantidad de energía, en donde - existen una primera y al menos una segunda fuentes de energía, - al menos una de las fuentes de energía presenta una emisión de una determinada…

Dispositivo de procesamiento y procedimiento para procesar productos de procesamiento apilados.

(13/04/2016) Dispositivo de procesamiento para procesar productos de procesamiento apilados con una cámara de procesamiento evacuable para recibir un gas de proceso , que comprende un dispositivo de templado , para mantener por lo menos una región parcial de una pared de la cámara de procesamiento a una temperatura predeterminada, un dispositivo de transporte de gas para crear un circuito de flujo de gas en la cámara de procesamiento mediante convección forzada, un dispositivo de calentamiento dispuesto en el circuito de flujo de gas creado por el dispositivo de transporte de gas para calentar el gas, y un dispositivo de guiado de gas , que está diseñado para recibir el apilamiento de productos de procesamiento y está dispuesto en la cámara de procesamiento de modo que por…

Procedimiento para la fabricación de una capa semiconductora.

(02/04/2014) Procedimiento para la fabricación de una capa semiconductora, en el que se introduce al menos un sustrato provisto de una capa metálica en una cámara de procesado y se calienta hasta una temperatura de sustrato predeterminada, caracterizado por que se hace pasar vapor de selenio y/o de azufre elemental procedente de una fuente situada preferentemente fuera de la cámara de procesado por medio de un gas portador , en particular inerte, en condiciones de vacío bajo o condiciones de presión ambiental o condiciones de sobrepresión, por la capa metálica, para hacerla reaccionar químicamente con selenio o azufre de manera controlada, por que se calienta el sustrato por medio de una convección…

Dispositivo fotovoltaico de película delgada.

(22/08/2012) Un dispositivo fotovoltaico de película delgada obtenido mediante: a) proporcionar una capa primera de un semiconductor de calcopirita de un tipo de dopaje primero; b) depositar una capa segunda de un óxido de cinc intrínseco mediante deposición química en fase vapor dela capa primera, y c) depositar una capa tercera de un semiconductor de óxido de cinc, de un tipo de dopaje segundo opuesto altipo de dopaje primero, mediante deposición por pulverización catódica sobre la capa segunda.

DISPOSITIVO Y PROCEDIMIENTO PARA LA ATEMPERACIÓN SIMULTÁNEA DE VARIOS PRODUCTOS EN PROCESO.

(25/02/2011) Dispositivo para la atemperación simultánea de varios productos en proceso, en una determinada atmósfera gaseosa, mediante la absorción de una cantidad de energía por un producto en proceso mediante absorción de una determinada radiación electromagnética, y mediante la absorción de al menos otra cantidad de energía por al menos otro producto en proceso mediante absorción al menos de otra determinada radiación electromagnética, presentando el dispositivo - una unidad de atemperación con al menos una fuente de energía para la producción de la radiación electromagnética y - al menos, otra unidad de…

DISPOSITIVO Y PROCEDIMIENTO PARA ATEMPERAR AL MENOS UN PRODUCTO DE PROCESAMIENTO.

(17/02/2011) Dispositivo para la atemperación de al menos un producto de procesamiento bajo una atmósfera de gas de proceso determinada de al menos un gas de proceso con la ayuda de una unidad de atemperación , que presenta al menos una fuente de energía para la absorción de una cantidad de energía a través del producto de procesamiento , un depósito de atemperación con espacio de atemperación para la conservación del producto de procesamiento bajo la atmósfera de gas de proceso durante la atemperación, en el que el depósito de atemperación está presente en una envoltura , de manera que está presente un espacio tampón para gas entre la envoltura y el depósito de atemperación…

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