CIP-2021 : H01L 29/00 : Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación,
amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).
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Notas[n] de H01L 29/00: - En el presente grupo principal, la clasificación se efectúa a la vez en H01L 29/02, H01L 29/40 y en H01L 29/66 en la medida en que ambos conjuntos de grupos sean adecuados.
H01L 29/02 · Cuerpos semiconductores.
H01L 29/04 · · caracterizados por su estructura cristalina, p. ej. policristalina, cúbica o con orientación especial en planos cristalinos (caracterizados por defectos físicos H01L 29/30).
H01L 29/06 · · caracterizados por su forma; caracterizado por las formas, las dimensiones relativas o las disposiciones de las regiones semiconductoras.
H01L 29/08 · · · con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que transporta la corriente a rectificar, a amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
H01L 29/10 · · · con regiones semiconductoras conectadas a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar, formando parte este electrodo de un dispositivo semiconductor que tiene tres electrodos o más.
H01L 29/12 · · caracterizados por los materiales de los que están constituidos.
H01L 29/15 · · · Estructuras con variación de potencial periódica o casi periódica, p. ej. pozos cuánticos múltiples, superredes (sus aplicaciones en el control de la luz G02F 1/017; su aplicación en los láseres de semiconductor H01S 5/34).
H01L 29/16 · · · incluyendo aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, solamente elementos del Grupo IV de la tabla periódica en forma no combinada.
Notas[n] desde H01L 29/16 hasta H01L 29/26:
H01L 29/161 · · · · con dos o más de los elementos previstos en H01L 29/16.
H01L 29/165 · · · · · en diferentes regiones semiconductoras.
H01L 29/167 · · · · caracterizados además por el material de dopado.
H01L 29/18 · · · Selenio o teluro únicamente, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.
H01L 29/20 · · · con únicamente compuestos A III B V aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.
H01L 29/201 · · · · con varios compuestos.
H01L 29/205 · · · · · en diferentes regiones semiconductoras.
H01L 29/207 · · · · caracterizados además por el material de dopado.
H01L 29/22 · · · con únicamente compuestos A II B VI aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.
H01L 29/221 · · · · con varios compuestos.
H01L 29/225 · · · · · en diferentes regiones semiconductoras.
H01L 29/227 · · · · caracterizados además por el material de dopado.
H01L 29/24 · · · con únicamente materiales semiconductores inorgánicos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, no previstos en los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20 o H01L 29/22.
H01L 29/26 · · · con elementos, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, cubiertos por varios de los grupos H01L 29/16, H01L 29/18, H01L 29/20, H01L 29/22, H01L 29/24.
H01L 29/267 · · · · en diferentes regiones semiconductoras.
H01L 29/30 · · caracterizados por defectos físicos; que tienen superficies pulidas o rugosas.
H01L 29/32 · · · los defectos están en el interior del cuerpo semiconductor.
H01L 29/34 · · · los defectos están sobre la superficie.
H01L 29/36 · · caracterizados por la concentración o la distribución de impurezas.
H01L 29/38 · · caracterizados por las combinaciones de características cubiertas por varios de los grupos H01L 29/04, H01L 29/06, H01L 29/12, H01L 29/30, H01L 29/36.
H01L 29/40 · Electrodos.
H01L 29/41 · · caracterizados por su forma, dimensiones relativas o disposición relativa.
H01L 29/417 · · · que transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
H01L 29/423 · · · que no transportan la corriente a rectificar, amplificar o conmutar.
H01L 29/43 · · caracterizados por los materiales de que están formados.
H01L 29/45 · · · Electrodos de contacto óhmico.
H01L 29/47 · · · Electrodos de barrera Schottky.
H01L 29/49 · · · Electrodos del tipo metal-aislante-semiconductor.
H01L 29/51 · · · · Materiales aislantes asociados a estos electrodos.
H01L 29/66 · Tipos de dispositivos semiconductores.
H01L 29/68 · · controlables únicamente por la corriente eléctrica suministrada, o la tensión eléctrica aplicada, a un electrodo que no transporta la corriente a rectificar, amplificar o conmutar (H01L 29/96 tiene prioridad).
H01L 29/70 · · · Dispositivos bipolares.
H01L 29/72 · · · · Dispositivos del tipo transistor, es decir, capaces de responder continuamente a las señales de control aplicadas.
H01L 29/73 · · · · · Transistores bipolares de unión.
H01L 29/732 · · · · · · Transistores verticales.
H01L 29/735 · · · · · · Transistores laterales.
H01L 29/737 · · · · · · Transistores de heterounión.
H01L 29/739 · · · · · controlados por efecto de campo.
H01L 29/74 · · · · Dispositivos de tipo tiristor, es decir, con funcionamiento por regeneración en cuatro zonas.
H01L 29/744 · · · · · Dispositivos de corte por puerta.
H01L 29/745 · · · · · · con corte por efecto de campo.
H01L 29/747 · · · · · Dispositivos bidireccionales, p. ej. triacs.
H01L 29/749 · · · · · con encendido por efecto de campo.
H01L 29/76 · · · Dispositivos unipolares.
H01L 29/762 · · · · Dispositivos de transferencia de carga.
H01L 29/765 · · · · · Dispositivos de acoplamiento de carga.
H01L 29/768 · · · · · · con efecto de campo producido por una puerta aislada.
H01L 29/772 · · · · Transistores de efecto de campo.
H01L 29/775 · · · · · con un canal unidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. FET de hilo cuántico.
H01L 29/778 · · · · · con un canal bidimensional de gas de portadores de carga, p. ej. transistores de efecto de campo con alta movilidad electrónica (HEMT).
H01L 29/78 · · · · · estando producido el efecto de campo por una puerta aislada.
H01L 29/786 · · · · · · Transistores de película delgada.
H01L 29/788 · · · · · · de puerta flotante.
H01L 29/792 · · · · · · de aislante de puerta por almacenaje de cargas, p. ej. transistor de memoria MNOS.
H01L 29/80 · · · · · estando producido el efecto de campo por una puerta de unión PN u otra unión rectificadora.
H01L 29/808 · · · · · · de unión PN.
H01L 29/812 · · · · · · puerta Schottky.
H01L 29/82 · · controlables por la variación del campo magnético aplicado al dispositivo (H01L 29/96 tiene prioridad).
H01L 29/84 · · controlables por la variación de una fuerza mecánica aplicada, p. ej. una presión (H01L 29/96 tiene prioridad).
H01L 29/86 · · controlables por la variación de la corriente eléctrica suministrada, o únicamente de la tensión aplicada a uno o varios de los electrodos que transportan la corriente a rectificar, amplificar, hacer oscilar o conmutar (H01L 29/96 tiene prioridad).
H01L 29/8605 · · · Resistencias de unión PN.
H01L 29/861 · · · Diodos.
H01L 29/862 · · · · Diodos de contacto de punta.
H01L 29/864 · · · · Diodos de tiempo de tránsito, p. ej. diodos, IMPATT, TRAPATT.
H01L 29/866 · · · · Diodos Zener.
H01L 29/868 · · · · Diodos PIN.
H01L 29/87 · · · · Diodos tiristor, p. ej. diodos Schockley, diodos de transición conductora (break-over diodes).
H01L 29/872 · · · · Diodos Schottky.
H01L 29/88 · · · · Diodos de efecto túnel.
H01L 29/885 · · · · · Diodos Esaki.
H01L 29/92 · · · Condensadores con barrera de potencial o barrera de superficie.
H01L 29/93 · · · · Diodos con capacidad variable, p. ej. varactores.
H01L 29/94 · · · · Dispositivos de metal-aislante-semiconductor, p. ej. MOS.
H01L 29/96 · · de un tipo cubierto por al menos dos de los grupos H01L 29/68, H01L 29/82, H01L 29/84 o H01L 29/86.
CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.
Procedimiento de obtención de monocapas de nanopartículas funcionalizadas, monocapas obtenidas y usos de las mismas.
(08/04/2016). Solicitante/s: UNIVERSITAT ROVIRA I VIRGILI. Inventor/es: IONESCU,Septimiu Radu.
Procedimiento de obtención de monocapas de nanopartículas funcionalizadas, monocapas obtenidas y usos de las mismas.
La presente invención se refiere a un procedimiento de obtención de monocapas de nanopartículas funcionalizadas y a las monocapas obtenidas mediante dicho procedimiento. Las monocapas de nanopartículas obtenidas por el procedimiento de la invención son especialmente útiles para ser utilizadas en sensores de gases y en diodos Schottky.
PDF original: ES-2566067_A1.pdf
PDF original: ES-2566067_B1.pdf
MEJORAS EN LA ESTRUCTURACION DE PUENTES RECTIFICADORES.
(16/01/1990). Ver ilustración. Solicitante/s: FAGOR ELECTROTECNICA, SDAD. COOP. LTD. Inventor/es: ARETA SALANUEVA, JUAN MANUEL, AZPEITIA URRESTARAZU, ANGEL.
MEJORAS EN LA ESTRUCTURACION DE PUENTES RECTIFICADORES. LAS MEJORAS CONSISTEN EN ESTRUCTURAR LA CAPSULA DEL PUENTE EN BASE A UN CERCO ELECTROAISLANTE Y A UNA PLACA DISIPADORA , PLACA EN LA QUE EXISTE UNA CAPA EXTERNA Y MAYORITARIA DE NATURALEZA METALICA, UNA FINA CAPA INTERMEDIA , DE NATURALEZA ELECTROAISLANTE Y BUENA CONDUCTORA DEL CALOR, Y UNA CAPA INTERNA , PREFERENTEMENTE DE COBRE, EN LA QUE SE DEFINEN LAS PISTAS (6'), PARA FIJACION, MEDIANTE SOLDADURA CON ESTAÑO, DE LAS CELULAS RECTIFICADORAS Y SUS CORRESPONDIENTES CONECTORES Y PATILLAS DE CONEXION CON EL EXTERIOR.
PERFECCIONAMIENTOS EN LA CONSTRUCCION DE TRANSISTORES.
(16/07/1965). Ver ilustración. Solicitante/s: FAIRCHILD CAMERA AND INSTRUMENT CORPORATION.
Resumen no disponible.
PERFECCIONAMIENTOS EN DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES.
(16/04/1965). Ver ilustración. Solicitante/s: FAIRCHILD CAMERA & INSTRUMENT CORPORATION.
Resumen no disponible.
UN SISTEMA DE CIRCUITO AMPLIFICADOR DE SEÑALES ELÉCTRICAS.
(16/02/1964). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Resumen no disponible.
RECTIFICADOR DE POTENCIA CONTROLADO.
(01/12/1963). Ver ilustración. Solicitante/s: GENERAL INSTRUMENT CORPORATION.
Resumen no disponible.
MEJORAS INTRODUCIDAS EN LOS CIRCUITOS ELÉCTRICOS.
(16/10/1963). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Resumen no disponible.
DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/12/1962). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO TRANSISTOR DE JUNTURA.
(01/12/1962). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Resumen no disponible.
UN DISPOSITIVO DE RETARDO CON SEMICONDUCTOR DE RETARDOS MÚLTIPLES.
(16/10/1962). Ver ilustración. Solicitante/s: COMPAGNIE GENERALE DE TELEGRAPHIE SANS FIL.
Resumen no disponible.
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/03/1962). Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Resumen no disponible.
(01/05/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Un dispositivo transistor que comprende un cuerpo semiconductor al que son aplicados uno junto al otro un electrodo emisor y un electrodo de base en la forma de electrodos de aleación, cuyas zonas asociadas de material semiconductor recristalizado están en contacto con la zona de base, caracterizado por el hecho de que el material recristalizado de al menos uno de estos electrodos ubicado en el lado alejado del otro electrodo, es eliminado al menos en la mitad de la superficie de contacto de la zona de base inicialmente ocupada por la zona recristalizada.
MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN TRANSISTOR.
(01/04/1961). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Método de fabricación de un transistor, particularmente para fines de conmutación, que comprende un cuerpo semiconductor en el cual están previstas una zona colectora, una zona de base y una zona emisora sobre las cuales están provistos contactos de colector, de base y de emisor, respectivamente, estando provisto el referido cuerpo de una o más impurezas que acortan la vida de los portadores de carga, caracterizado por el hecho de que por lo menos aquella parte de la zona de base que está ubicada entre la zona colectora y la zona emisora es formada simultáneamente por la fusión de un material de contacto emisor y la difusión de una impureza inversora del tipo de conductividad del cuerpo semiconductor en el área en consideración, por lo menos en el área por debajo de dicho material de contacto donde el mismo constituye una zona de base difundida, usándose un material de contacto que substancialmente está libre de las referidas impurezas que acortan la vida de los portadores de carga.
UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(16/08/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: RADIO CORPORATION OF AMERICA.
Resumen no disponible.
UN MÉTODO DE FABRICAR UN DISPOSITIVO SEMICONDUCTOR.
(01/04/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: N.V. PHILIPS' GLOEILAMPENFABRIEKEN.
Método de fabricar un dispositivo semiconductor, tal como, por ejemplo un transistor, en el cual se hacen conexiones eléctricas a un par de salientes sobre una masa semiconductora caracterizado porque comprende las etapas de proveer una conexión eléctrica entre las dos salientes y un conductor común y luego cortar el conductor entre las dos salientes para proveer una conexión separada para cada saliente.
APARATO REPETIDOR SEMICONDUCTOR.
(01/03/1960). Ver ilustración. Solicitante/s: WESTER ELECTRIC COMPANY, INCORPORATED.
Aparato repetidor semiconductivo que comprende un dispositivo compuesto de un cuerpo de material semiconductivo, con un empalme PN plano por lo menos a través del mismo, el cual define al menos dos regiones contiguas de tipos de conductividad recíprocamente opuestos, y electrodos de baja resistencia aplicados en esas dos regiones o zonas; caracterizado porque de los mencionados electrodos de baja resistencia, el primero y el segundo están dispuestos, separados uno de otro, en una de las zonas, y el tercero y el cuarto lo están en la otra zona, y porque se dispone un generador de potencial para polarizar el empalme en la dirección inversa.
MEJORAS INTRODUCIDAS EN LOS ELEMENTOS DE CIRCUITO.
(01/05/1959). Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Mejoras introducidas en los elementos de circuito que comprenden un cuerpo en el cual una zona que consiste de un semiconductor es adyacente a una zona que consiste de un electreto, estando provistos medios usualmente contactos sobre el cuerpo para aplicar una diferencia de potencial eléctrico a la juntura entre el electro y el semiconductor.
UN MÉTODO DE FABRICACIÓN DE UN SISTEMA ELECTRÓNICO SEMICONDUCTOR.
(01/05/1959). Ver ilustración. Solicitante/s: PHILIPS'GLOEILAMPENFABRIEKEN , N. V..
Método de fabricación de un sistema electródico semiconductorpor ejemplo un transistor o un diodo de cristal según el cual son eliminadas partes del sistema por la acción de un medio que se proyecta sobre dichas partesestando otras partes protegidas contra la acción de este mediocaracterizándose dicho método por el hecho de que el sistema comprende un cuerpo semiconductor dotado de al menos un electrodo que sobresale de la superficie del cuerposiendo el medio proyectado sobre este electrodo y el área que lo circunda según un ángulocon respecto a la normal a la superficie del cuerpo lindante con el electrodotal que algunas partes del sistema lindantes con el electrodo son eliminadasquedando intactas otras partes.
