CIP-2021 : H01L 29/20 : con únicamente compuestos A III B V aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.

CIP-2021HH01H01LH01L 29/00H01L 29/20[3] › con únicamente compuestos A III B V aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.

Notas[n] desde H01L 29/16 hasta H01L 29/26:

H ELECTRICIDAD.

H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.

H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación).

H01L 29/00 Dispositivos semiconductores adaptados a la rectificación, amplificación, generación de oscilaciones o a la conmutación que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie; Condensadores o resistencias, que tienen al menos una barrera de potencial o de superficie, p. ej. unión PN, región de empobrecimiento, o región de concentración de portadores de carga; Detalles de cuerpos semiconductores o de sus electrodos (H01L 31/00 - H01L 47/00, H01L 51/05 tienen prioridad; otros detalles de los cuerpos semiconductores o de sus electrodos H01L 23/00; consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común H01L 27/00).

H01L 29/20 · · · con únicamente compuestos A III B V aparte de los materiales de dopado u otras impurezas.

CIP2021: Invenciones publicadas en esta sección.

Capa tampón optimizada para transistor con efecto de campo de alta movilidad.

(15/10/2019) Apilamiento según un eje z para transistor con efecto de campo de alta movilidad electrónica, que comprende: - una capa tampón que comprende un primer material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una primera banda prohibida, - una capa barrera que comprende un segundo material semiconductor que comprende un compuesto binario o ternario o cuaternario de nitruro y que presenta una segunda banda prohibida, - siendo la segunda banda prohibida superior a la primera banda prohibida, - una heterounión entre dicha capa tampón y dicha capa barrera y, - un gas bidimensional de electrones localizado en un plano…

Diodos emisores de luz basados en nitruro de galio altamente eficientes por medio de una superficie convertida en rugosa.

(16/11/2016) Un diodo emisor de luz de (Al, Ga, In)N compuesto de: al menos una capa de tipo n , una capa de emision y una 5 capa de tipo p ; en el que la luz desde la capa de emision se extrae a traves de una superficie de cara de nitrogeno, denominada en lo que sigue "superficie de cara N", del diodo emisor de luz y la superficie de cara N del diodo emisor de luz esta compuesta de una rugosidad superficial con forma de cono que incrementa la eficiencia de extraccion de la luz desde la capa de emision fuera de la superficie de cara N del diodo emisor de luz; y en el que las formas de cono de la rugosidad superficial de la superficie de cara N tienen un tamano proximo…

Conductor de alta frecuencia con una conductividad mejorada.

(24/02/2016) Un conductor de alta frecuencia , que comprende por lo menos un material de base conductor de la electricidad, en el que la relación de las superficies externa e interna penetrables por una corriente del material de base al volumen total del material de base por subdivisión del material de base, perpendicularmente a la dirección de la corriente en dos segmentos (1a), (1b), que están distanciados por una pieza intermedia (1c) conductora de la electricidad así como conectados entre sí eléctrica y mecánicamente, que se compone de un material que es atacable por un agente corrosivo, frente al que es estable el material de base, ha aumentado en comparación con una conformación del material de base en la que se había suprimido esta subdivisión caracterizado por que por lo…

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