Dispositivo semiconductor de potencia.

(06/06/2012) Dispositivo semiconductor de potencia bipolar con un electrodo de emisor que se dispone sobre un lado de emisor y un electrodo de colector que se dispone sobre un lado de colector , que se encuentra opuesto al lado de emisor , teniendo dicho dispositivo un electrodo de puerta en trinchera y una estructura con una pluralidad de capas de diferentes tipos de conductividad, electrodo de puerta en trinchera y capas que se disponen en planos paralelos al lado de emisor , comprendiendo cada uno un fondo, que se dispone a una maxima distancia con respecto al lado de emisor , hasta la que se extiende el electrodo de puerta o la capa, que comprende: - al menos una zona de fuente de un primer tipo de conductividad, que se dispone sobre el lado de emisor y que esta en contacto con el electrodo de emisor , - una capa de base …