Sistema de unidades nanoestructuradas agrupadas que forman un metamaterial dentro del silicio y el proceso de fabricación para formarlas y disponerlas en el mismo.
Método para formar unidades elementales a escala nanométrica dentro de un convertidor de luz en electricidad íntegramente de silicio,
caracterizado por la siguiente sucesión de etapas en el efecto de formarlas y conformarlas, mediante las cuales se realiza una irradiación iónica en varias fases:
a) un perfil de dopaje inicial de tipo n mediante la denominada difusión térmica a baja temperatura a T < 1000 °C o mediante la implantación de dopaje en la oblea homogénea, con dopaje de tipo p ligero o moderado
b) preacondicionamiento de la superficie de la oblea después del proceso de difusión
c) proporcionar una irradiación con haz de iones de 50 - 200 keV que conduzca a una amorfización enterrada mediante una autoimplantación de Si o mediante la implantación de P,
d) constitución de heterointerfaces c-Si/a-Si mediante el ciclo de recocido térmico a 500 °C,
e) activación de unidades elementales a escala nanométrica
f) constitución de nanocapas de metamateriales mediante el ciclo de recocido térmico a 350 - 450 °C, colocando de este modo unidades de escala nanométrica dentro de un emisor en la cara frontal de un convertidor de luz a electricidad,
g) etapas de procesamiento final del dispositivo, en concreto, recubrimiento, pasivación electrónica o metalizaciones.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/IB2014/002019.
Solicitante: SEGTON ADVANCED TECHNOLOGY SAS.
Nacionalidad solicitante: Francia.
Dirección: 31 av. Maréchal Douglas HAIG 78000 Versailles FRANCIA.
Inventor/es: MEYRUEIS, PATRICK, KUZNICKI,ZBIGNIEW.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/028 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del Grupo IV de la clasificación periódica.
PDF original: ES-2820539_T3.pdf
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