GRAFENO COVALENTEMENTE MODIFICADO.
La presente invención está dirigida a un sistema en el que las propiedades electrónicas del grafeno pueden ser modificadas de forma controlada.
En dicho sistema, el grafeno es químicamente funcionalizado con moléculas alquílicas que se unen covalentemente a los átomos de carbonos del grafeno. El grado de recubrimiento de la capa del grafeno de la presente invención permite regular la apertura de la banda de energía prohibida en el diagrama de bandas de energía del grafeno.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ES2016/070059.
Solicitante: FUNDACIÓN IMDEA NANOCIENCIA.
Nacionalidad solicitante: España.
Inventor/es: BLACK MOROCOIMA,Andrés, CALLEJA MITJÁ,Fabián, LERET GARCÍA,Sofía, NAVARRO OCAÑA,Juan Jesús, STRADI,Daniele, BERNARDO GAVITO,Ramón, GARNICA ALONSO,Manuela, GRANADOS RUIZ,Daniel, LÓPEZ VÁZQUEZ DE PARGA,Amadeo, PÉREZ ÁLVAREZ,Emilio, MIRANDA SORIANO,Rodolfo.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- C01B31/04
- H01L21/20 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › Depósito de materiales semiconductores sobre un sustrato, p. ej. crecimiento epitaxial.
- H01L31/028 H01L […] › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › comprendiendo, aparte de los materiales de dopado u otras impurezas, únicamente elementos del Grupo IV de la clasificación periódica.
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