APARATO Y CRISOL PARA DEPOSICION EN FASE DE VAPOR.

EL APARATO PARA DEPOSICION EN FASE DE VAPOR A ALTA TEMPERATURA COMPRENDE UN RECINTO TERMICAMENTE AISLANTE,

UN PRIMER, UN SEGUNDO Y UN TERCER DIFUSOR (3, 4, 5) PARA CONSTITUIR UNA PRIMERA, UNA SEGUNDA Y UNA TERCERA ZONA DE CALENTAMIENTO ISOTERMICO RESPECTIVAMENTE ALREDEDOR DEL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO (21, 22, 23) DE UN CRISOL CERRADO AMOVIBLE (1) DESTINADO A CONTENER UN MATERIAL FUERTE EN EL PRIMER COMPARTIMENTO (21) Y UN SUSTRATO EN EL SEGUNDO COMPARTIMENTO (22). EL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER DIFUSOR (3, 4, 5) SON POR CONSTRUCCION INDEPENDIENTES TERMICAMENTE UNOS DE OTROS Y PRESENTAN CADA UNO UNA SECCION EN FORMA DE U PARA CONTENER RESPECTIVAMENTE EL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO (21 A 23) DEL CRISOL. ESTE PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO (21 A 23) ESTAN DISPUESTOS DE MANERA NO ALINEADA, SEGUN UNA LINEA QUEBRADA, DE TAL MANERA QUE LOS DECALAJES ANGULARES ASEGURAN UN DESACOPLAMIENTO TERMICO RADIACTIVO ENTRE EL PRIMER, SEGUNDO Y TERCER COMPARTIMENTO (21 A 23).

Tipo: Resumen de patente/invención.

Solicitante: SOCIETE EUROPEENNE DE PROPULSION.

Nacionalidad solicitante: Francia.

Dirección: 24, RUE SALOMON DE ROTHSCHILD,F-92150 SURESNES.

Inventor/es: VALENTIAN, DOMINIQUE.

Fecha de Publicación: 1 de Junio de 1995.

Fecha Concesión Europea: 25 de Enero de 1995.

Clasificación Internacional de Patentes:

C23C14/24 QUIMICA; METALURGIA. › C23 REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO QUIMICO DE LA SUPERFICIE; TRATAMIENTO DE DIFUSION DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL; MEDIOS PARA IMPEDIR LA CORROSION DE MATERIALES METALICOS, LAS INCRUSTACIONES, EN GENERAL. › C23C REVESTIMIENTO DE MATERIALES METALICOS; REVESTIMIENTO DE MATERIALES CON MATERIALES METALICOS; TRATAMIENTO DE MATERIALES METALICOS POR DIFUSION EN LA SUPERFICIE, POR CONVERSION QUIMICA O SUSTITUCION; REVESTIMIENTO POR EVAPORACION EN VACIO, POR PULVERIZACION CATODICA, POR IMPLANTACION DE IONES O POR DEPOSICION QUIMICA EN FASE VAPOR, EN GENERAL (fabricación de productos revestidos de metal por extrusión B21C 23/22; revestimiento metálico por unión de objetos con capas preexistentes, ver las clases apropiadas, p. ej. B21D 39/00, B23K; metalización del vidrio C03C; metalización de piedras artificiales, cerámicas o piedras naturales C04B 41/00; esmaltado o vidriado de metales C23D; tratamiento de superficies metálicas o revestimiento de metales mediante electrolisis o electroforesis C25D; crecimiento de monocristales C30B; mediante metalización de textiles D06M 11/83; decoración de textiles por metalización localizada D06Q 1/04). › C23C 14/00 Revestimiento por evaporación en vacío, pulverización catódica o implantación de iones del material que constituye el revestimiento. › Evaporación en vacío.
C23C14/52 C23C 14/00 […] › Dispositivos para observar los procesos de revestimiento.
C30B23/02 C […] › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 23/00 Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
C30B30/08 C30B […] › C30B 30/00 Producción de monocristales o materiales policristalinos homogéneos de estructura determinada, caracterizado por la acción de campos eléctricos o magnéticos, de energía ondulatoria o de otras condiciones físicas específicas. › en condiciones de gravedad nula o microgravedad.

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