METODO PARA FORMAR UN CRISTAL Y ARTICULO CRISTALINO OBTENIDO POR DICHO METODO.
LA INVENCION DESCRIBE UN METODO PARA FORMAR UN CRISTAL QUE COMPRENDE APLICAR UN TRATAMIENTO FORMADOR DE CRISTAL SOBRE UN SUSTRATO QUE TIENE UNA SUPERFICIE LIBRE SOBRE LA CUAL ESTAN DISPUESTAS ADYACENTES UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION (SNDS) CON UNA PEQUEÑA DENSIDAD DE NUCLEACION (NDS) Y UNA SUPERFICIE DE DEPOSICION (SNDL) QUE TIENE UN AREA SUFICIENTEMENTE PEQUEÑA PARA QUE CREZCA EL CRISTAL SOLAMENTE A PARTIR DE UN UNICO NUCLEO,
Y QUE TIENE UNA DENSIDAD DE NUCLEACION (NDL) MAYOR QUE LA DE LA SUPERFICIE (SNDS), DANDO ASI LUGAR AL CRECIMIENTO DE UN MONOCRISTAL A PARTIR DE DICHO UNICO NUCLEO.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: CANON KABUSHIKI KAISHA.
Nacionalidad solicitante: Japón.
Dirección: 30-2, 3-CHOME, SHIMOMARUKO, OHTA-KU, TOKYO.
Inventor/es: YONEHARA, TAKAO, NARUSE, YASUHIRO.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 12 de Enero de 1994.
Clasificación Internacional de Patentes:
- C30B23/02 QUIMICA; METALURGIA. › C30 CRECIMIENTO DE CRISTALES. › C30B CRECIMIENTO DE MONOCRISTALES (por sobrepresión, p. ej. para la formación de diamantes B01J 3/06 ); SOLIDIFICACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTICOS O SEPARACION UNIDIRECCIONAL DE MATERIALES EUTECTOIDES; AFINAMIENTO DE MATERIALES POR FUSION DE ZONA (afinamiento por fusión de zona de metales o aleaciones C22B ); PRODUCCION DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (colada de metales, colada de otras sustancias por los mismos procedimientos o aparatos B22D; trabajo de materias plásticas B29; modificación de la estructura física de metales o aleaciones C21D, C22F ); MONOCRISTALES O MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA; TRATAMIENTO POSTERIOR DE MONOCRISTALES O DE MATERIALES POLICRISTALINOS HOMOGENEOS DE ESTRUCTURA DETERMINADA (para la fabricación de dispositivos semiconductores o de sus partes constitutivas H01L ); APARATOS PARA ESTOS EFECTOS. › C30B 23/00 Crecimiento de monocristales por condensación de un material evaporado o sublimado. › Crecimiento de un lecho epitaxial.
- C30B25/18 C30B […] › C30B 25/00 Crecimiento de monocristales por reacción química de gases reactivos, p. ej. crecimiento por depósito químico en fase vapor. › caracterizado por el sustrato.
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