Procedimiento para la fabricación de una célula solar.
Procedimiento para la fabricación de una célula solar (1) a partir de silicio cristalino,
en cuyo sustrato (3) en una primera superficie (3a) está prevista una primera zona de impurificación (5) generada por medio de difusión de boro y en una segunda superficie (3b) está prevista una segunda zona de impurificación (7) impurificada con fósforo, en el que tras la generación de la segunda zona de impurificación impurificada con fósforo y antes de la etapa de la difusión de boro se aplica sobre la segunda superficie una capa de cubierta (9b) que actúa como barrera de la introducción por difusión de boro y como barrera de la separación por difusión de fósforo, que presenta nitruro de silicio con bajo contenido en hidrógeno con un contenido en hidrógeno del 20 % en átomos o inferior.
Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2014/061124.
Solicitante: International Solar Energy Research Center Konstanz E.V.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: Rudolf-Diesel-Strasse 15 78467 Konstanz ALEMANIA.
Inventor/es: BOCK,ROBERT, BOESCKE,TIM, SADLER,PATRICK.
Fecha de Publicación: .
Clasificación Internacional de Patentes:
- H01L31/0216 ELECTRICIDAD. › H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS. › H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › H01L 31/00 Dispositivos semiconductores sensibles a la radiación infrarroja, a la luz, a la radiación electromagnética de ondas más cortas, o a la radiación corpuscular, y adaptados bien para la conversión de la energía de tales radiaciones en energía eléctrica, o bien para el control de la energía eléctrica por dicha radiación; Procesos o aparatos especialmente adaptados a la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas; Sus detalles (H01L 51/42 tiene prioridad; dispositivos consistentes en una pluralidad de componentes de estado sólido formados en o sobre un sustrato común, diferentes a las combinaciones de componentes sensibles a la radiación con una o varias fuentes de luz eléctrica H01L 27/00). › Revestimientos (H01L 31/041 tiene prioridad).
- H01L31/18 H01L 31/00 […] › Procesos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de estos dispositivos o de sus partes constitutivas.
PDF original: ES-2757526_T3.pdf
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