Circuito de conmutación de cascode.

Un circuito de conmutación de cascode que comprende un dispositivo semiconductor normalmente encendido (105),

un dispositivo semiconductor normalmente apagado (107) y un controlador de compuerta (201), en donde:

dicho dispositivo semiconductor normalmente encendido (105) y dicho dispositivo semiconductor normalmente apagado (107) tienen cada uno un terminal de compuerta, un terminal de drenaje y un terminal de fuente;

dicho controlador de compuerta (201) tiene una primera salida (203) y una segunda salida (205);

dicha primera salida (203) de dicho controlador de compuerta (201) está acoplada a dicho terminal de compuerta de dicho dispositivo semiconductor normalmente encendido (105);

dicha segunda salida (205) de dicho controlador de compuerta (201) está acoplada a dicho terminal de compuerta de dicho dispositivo semiconductor normalmente apagado (107);

dicho terminal de drenaje de dicho dispositivo semiconductor normalmente apagado (107) está acoplado a dicho terminal de fuente de dicho dispositivo semiconductor normalmente encendido (105) de tal manera que se forma una ruta de corriente a través de dicho dispositivo semiconductor normalmente encendido (105) y dicho dispositivo semiconductor normalmente apagado (107);

dicho controlador de compuerta (201) está configurado de tal manera que un proceso de encendido de dicho circuito de conmutación de cascode se controla controlando dicho dispositivo semiconductor normalmente apagado (107);

un proceso de apagado de dicho circuito de conmutación de cascode está configurado para ser controlado controlando dicho dispositivo semiconductor normalmente encendido (105); y

durante dicho proceso de apagado de dicho circuito de conmutación de cascode, dicho controlador de compuerta (201) está configurado para provocar una transición de dicho circuito de conmutación de cascode desde el estado ENCENDIDO al estado de APAGADO cambiando dicha primera salida (203) de dicho controlador de compuerta (201) de un primer nivel de voltaje a un segundo nivel de voltaje para apagar dicho dispositivo semiconductor normalmente encendido (105),

luego, después de un primer tiempo de retardo predeterminado, cambiando dicha segunda salida de dicho controlador de compuerta (201) de un tercer nivel de voltaje a un cuarto nivel de voltaje para apagar dicho dispositivo semiconductor normalmente apagado (107), y

después de un segundo tiempo de retardo predeterminado, cambiando dicha primera salida (203) de dicho controlador de compuerta (201) de dicho segundo nivel de voltaje a dicho primer nivel de voltaje.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/US2015/029187.

Solicitante: United Silicon Carbide Inc.

Nacionalidad solicitante: Estados Unidos de América.

Dirección: 7 Deer Park Drive, Suite E. Monmouth Junction, NJ 08852 ESTADOS UNIDOS DE AMERICA.

Inventor/es: LI,XUEQING, BHALLA,ANUP.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • H03K17/10 SECCION H — ELECTRICIDAD.H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS.H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; arranque, sincronización o estabilización de generadores cuando el tipo de generadores es indiferente o no especificado H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › H03K 17/00 Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52). › Modificaciones para aumentar la tensión conmutada máxima admisible.
  • H03K17/16 H03K 17/00 […] › Modificaciones para eliminar las tensiones o corrientes parásitas.
  • H03K17/567 H03K 17/00 […] › Circuitos caracterizados por la utilización de al menos dos tipos de dispositivos semiconductores, p. ej. BIMOS, dispositivos compuestos tales como IGBT.
  • H03K17/687 H03K 17/00 […] › siendo los dispositivos transistores de efecto de campo.

PDF original: ES-2746278_T3.pdf

 

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