Circuito y procedimiento de accionamiento para MOSFET.

Un procedimiento de utilización de un circuito para accionar un dispositivo semiconductor de puerta aislada (12) que comprende como un primer terminal una puerta (20) y al menos terminales segundo y tercero (22,

24), comprendiendo el circuito un dispositivo de almacenamiento de carga (14) y medios de conmutación (16, 116) conectados en un circuito en serie a la puerta del dispositivo semiconductor para aplicar un pulso de carga desde el dispositivo de almacenamiento de carga a la puerta del dispositivo semiconductor a fin de conmutar el dispositivo semiconductor entre uno de un estado cerrado y un estado abierto y el otro del estado cerrado y del estado abierto, caracterizado porque la velocidad de conmutación de los medios de conmutación es menor que 2 ns por lo que la duración del pulso de carga es tal que el pulso de carga se ha completado antes de un cambio en el flujo de corriente entre el segundo y tercer terminales (22, 24) del dispositivo de semiconductor y porque el pulso de carga aplica una tensión a la puerta de tres a cuatro veces más allá de la tensión nominal máxima de la puerta del dispositivo semiconductor.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/ZA2001/000024.

Solicitante: NORTH-WEST UNIVERSITY.

Nacionalidad solicitante: Sudáfrica.

Dirección: 11 HOFFMANNSTREET POTCHEFSTROOM 2351 SUDAFRICA.

Inventor/es: VISSER, BAREND.

Fecha de Publicación: 15 de Junio de 2016.

Clasificación Internacional de Patentes:

C01B13/11 QUIMICA; METALURGIA. › C01 QUIMICA INORGANICA. › C01B ELEMENTOS NO METALICOS; SUS COMPUESTOS (procesos de fermentación o procesos que utilizan enzimas para la preparación de elementos o de compuestos inorgánicos excepto anhídrido carbónico C12P 3/00; producción de elementos no metálicos o de compuestos inorgánicos por electrólisis o electroforesis C25B). › C01B 13/00 Oxígeno; Ozono; Oxidos o hidróxidos en general. › por descarga eléctrica.
H03K17/00 ELECTRICIDAD. › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52).
H03K17/04 H03K […] › H03K 17/00 Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52). › Modificaciones para acelerar la conmutación.
H03K17/0412 H03K 17/00 […] › por medidas dispuestas en el circuito de control.
H03K17/567 H03K 17/00 […] › Circuitos caracterizados por la utilización de al menos dos tipos de dispositivos semiconductores, p. ej. BIMOS, dispositivos compuestos tales como IGBT.
H03K17/687 H03K 17/00 […] › siendo los dispositivos transistores de efecto de campo.

PDF original: ES-2593907_T3.pdf

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