CIRCUITO INTEGRADO PARA LA GENERACION DE UNA SEÑAL DE ACTIVACION PARA UN TRANSISTOR BIPOLAR CON PUERTA AISLADA (IGBT).
Circuito integrado para la generación de una señal de activación para un IGBT con una conexión de entrada para una señal de control generada por medio de un microcontrolador y con una trayectoria de la señal de control conducida desde la conexión de entrada hacia una unidad de procesamiento de las señales de control,
caracterizado porque el circuito integrado (1, 11) presenta en la trayectoria de la señal de control un primer dispositivo magnetosensible (Ü, Ü1) para la separación del potencial, una conexión de entrada (15) para una señal derivada del colector del IGBT y un segundo dispositivo magnetosensible (Ü2) para la transmisión de la señal derivada del colector del IGBT.
Tipo: Resumen de patente/invención.
Solicitante: SIEMENS AG.
Nacionalidad solicitante: Alemania.
Dirección: WITTELSBACHERPLATZ 2,80333 MUNCHEN.
Inventor/es: MUNZ, DIETER, DIPL.-ING. , GUNTHER, HARALD, DIPL.-ING., STAUDT, MICHAEL, DIPL.-ING.
Fecha de Publicación: .
Fecha Concesión Europea: 21 de Diciembre de 2005.
Clasificación Internacional de Patentes:
- H03K17/567 ELECTRICIDAD. › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › H03K 17/00 Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52). › Circuitos caracterizados por la utilización de al menos dos tipos de dispositivos semiconductores, p. ej. BIMOS, dispositivos compuestos tales como IGBT.
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