Procedimiento para controlar dos IGBT de conducción inversa, conectados eléctricamente en serie, de un semipuente.

Procedimiento para controlar dos IGBT de conducción inversa (T1,

T2) conectados eléctricamente en serie, de un semipuente (2), en el cual se encuentra presente una tensión continua de funcionamiento (UG), donde estos IGBT de conducción inversa (T1, T2) presentan un primer estado de conmutación (+15V), un segundo estado de conmutación (-15V) y un tercer estado de conmutación (0V), donde el primer estado de conmutación (+15V) se regula debido a que la tensión del emisor de puerta se lleva por encima de la tensión de aplicación, donde el segundo estado de conmutación (-15V) y el tercer estado de conmutación (0V) se regulan debido a que la tensión del emisor de puerta se lleva por debajo de la tensión de aplicación, donde la tensión del emisor de puerta del segundo estado de conmutación (-15V) es menor que la del tercer estado de conmutación (0V), donde se determina la polaridad de la corriente del colector de cada IGBT de conducción inversa (T1, T2) de un semipuente (2), con los siguientes pasos del procedimiento:

a) ajuste de cada IGBT de conducción inversa (T1, T2) del semipuente (2) durante un estado desconectado estacionario de una señal de control - objetivo asociada al segundo estado de conmutación (-15V) o al tercer estado de conmutación (0V),

b) mantenimiento de un IGBT de conducción inversa (T1, T2) en el segundo estado de conmutación (-15V) después de finalizado un intervalo predeterminado (ΔT1) después del cambio a una señal de control - objetivo asociada desde el estado desconectado a un estado conectado, en tanto una corriente circule desde el emisor hacia el colector,

c) ajuste de un IGBT de conducción inversa (T1, T2) en el primer estado de conmutación (+15V) después de finalizado un intervalo predeterminado (ΔT1) después del cambio a una señal de control - objetivo asociada desde el estado desconectado al estado conectado, cuando debido a ello se posibilita un flujo de corriente desde el colector hacia el emisor,

d) ajuste de cada IGBT de conducción inversa (T1, T2) del semipuente (2) después de finalizado un segundo intervalo predeterminado (ΔT2) por un tercer intervalo predeterminado (ΔT3) en el tercer estado de conmutación (0V), donde el segundo intervalo predeterminado (ΔT2) comienza con el cambio de una señal de control - objetivo asociada desde el estado conectado al estado desconectado.

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2012/050503.

Solicitante: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT.

Nacionalidad solicitante: Alemania.

Dirección: Werner-von-Siemens-Strasse 1 80333 München ALEMANIA.

Inventor/es: ECKEL,HANS-GÜNTER.

Fecha de Publicación: 17 de Mayo de 2019.

Clasificación Internacional de Patentes:

H02M1/08 ELECTRICIDAD. › H02 PRODUCCION, CONVERSION O DISTRIBUCION DE LA ENERGIA ELECTRICA. › H02M APARATOS PARA LA TRANSFORMACION DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE ALTERNA, DE CORRIENTE ALTERNA EN CORRIENTE CONTINUA O DE CORRIENTE CONTINUA EN CORRIENTE CONTINUA Y UTILIZADOS CON LAS REDES DE DISTRIBUCION DE ENERGIA O SISTEMAS DE ALIMENTACION SIMILARES; TRANSFORMACION DE UNA POTENCIA DE ENTRADA EN CORRIENTE CONTINUA O ALTERNA EN UNA POTENCIA DE SALIDA DE CHOQUE; SU CONTROL O REGULACION (transformadores H01F; convertidores dinamoeléctricos H02K 47/00; control de los transformadores, reactancias o bobinas de choque, control o regulación de motores, generadores eléctricos o convertidores dinamoeléctricos H02P). › H02M 1/00 Detalles de aparatos para transformación. › Circuitos especialmente adaptados para la generación de una tensión de control para los dispositivos semiconductores incorporados en los convertidores estáticos.
H02M1/084 H02M 1/00 […] › que utilizan un circuito de control común a varias fases de un sistema polifásico.
H03K17/16 H […] › H03 CIRCUITOS ELECTRONICOS BASICOS. › H03K TECNICA DE IMPULSO (medida de las características de los impulsos G01R; modulación de oscilaciones sinusoidales por impulsos H03C; transmisión de información digital, H04L; circuitos discriminadores de detección de diferencia de fase entre dos señales de conteo o integración de ciclos de oscilación H03D 3/04; control automático, arranque, sincronización o estabilización de generadores de oscilaciones o de impulsos electrónicos donde el tipo de generador es irrelevante o esta sin especificar H03L; codificación, decodificación o conversión de código, en general H03M). › H03K 17/00 Conmutación o apertura de puerta electrónica, es decir, por otros medios distintos al cierre y apertura de contactos (amplificadores controlados H03F 3/72; disposiciones de conmutación para los sistemas de centrales que utilizan dispositivos estáticos H04Q 3/52). › Modificaciones para eliminar las tensiones o corrientes parásitas.
H03K17/567 H03K 17/00 […] › Circuitos caracterizados por la utilización de al menos dos tipos de dispositivos semiconductores, p. ej. BIMOS, dispositivos compuestos tales como IGBT.

PDF original: ES-2713067_T3.pdf

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