Método para lavar y/o secar una cámara de replicación electroquímica de modelos (ECPR), y mandriles y conjuntos de mandril correspondientes.

Un mandril destinado a asegurar un sustrato o un electrodo maestro durante un proceso de replicación electroquímica de modelos (ECPR),

que comprende una superficie de interacción (101) con un electrodo maestro o un sustrato;

medios de aseguramiento para asegurar el sustrato o el electrodo maestro en dicha superficie de interacción (101);

una superficie (102) de mandril que rodea circularmente a la superficie de interacción (101); y al menos una entrada de secado o lavado (103) y al menos una salida de secado o lavado (104) en dicha superficie de mandril, estando posicionadas dicha al menos una entrada de secado o lavado (103) y dicha al menos una salida de secado o lavado (104), una en relación con otra, en lados opuestos de la superficie de interacción (101).

Tipo: Patente Internacional (Tratado de Cooperación de Patentes). Resumen de patente/invención. Número de Solicitud: PCT/EP2011/061995.

Solicitante: Luxembourg Institute of Science and Technology (LIST).

Inventor/es: MÖLLER,PATRIK, FREDENBERG,MIKAEL, LINDGREN,LENNART, SVENSSON,STEFAN, CHAUVET,JEAN-MICHEL, SANTOS,ANTONIO.

Fecha de Publicación: .

Clasificación Internacional de Patentes:

  • C25D19/00 QUIMICA; METALURGIA.C25 PROCESOS ELECTROLITICOS O ELECTROFORETICOS; SUS APARATOS.C25D PROCESOS PARA LA PRODUCCION ELECTROLITICA O ELECTROFORETICA DE REVESTIMIENTOS; GALVANOPLASTIA (fabricación de circuitos impresos por deposición metálica H05K 3/18 ); UNION DE PIEZAS POR ELECTROLISIS; SUS APARATOS (protección anódica o catódica C23F 13/00; crecimiento de monocristales C30B). › Instalaciones para revestimientos electrolíticos.
  • C25D21/08 C25D […] › C25D 21/00 Procedimientos para el servicio u operación de las células para revestimiento electrolítico. › Enjuagado.
  • C25D5/02 C25D […] › C25D 5/00 Revestimientos electrolíticos caracterizados por el proceso; Pretratamiento o tratamiento posterior de las piezas. › Deposiciones de áreas superficiales seleccionadas.
  • C25D7/12 C25D […] › C25D 7/00 Deposiciones de metales por vía electrolítica caracterizadas por el objeto revestido. › Semiconductores.
  • H01L21/00 ELECTRICIDAD.H01 ELEMENTOS ELECTRICOS BASICOS.H01L DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; DISPOSITIVOS ELECTRICOS DE ESTADO SOLIDO NO PREVISTOS EN OTRO LUGAR (utilización de dispositivos semiconductores para medida G01; resistencias en general H01C; imanes, inductancias, transformadores H01F; condensadores en general H01G; dispositivos electrolíticos H01G 9/00; pilas, acumuladores H01M; guías de ondas, resonadores o líneas del tipo guía de ondas H01P; conectadores de líneas, colectores de corriente H01R; dispositivos de emisión estimulada H01S; resonadores electromecánicos H03H; altavoces, micrófonos, cabezas de lectura para gramófonos o transductores acústicos electromecánicos análogos H04R; fuentes de luz eléctricas en general H05B; circuitos impresos, circuitos híbridos, envolturas o detalles de construcción de aparatos eléctricos, fabricación de conjuntos de componentes eléctricos H05K; empleo de dispositivos semiconductores en circuitos que tienen una aplicación particular, ver la subclase relativa a la aplicación). › Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas.
  • H01L21/288 H01L […] › H01L 21/00 Procedimientos o aparatos especialmente adaptados para la fabricación o el tratamiento de dispositivos semiconductores o de dispositivos de estado sólido, o bien de sus partes constitutivas. › a partir de un líquido, p. ej. depósito electrolítico.
  • H01L21/67 H01L 21/00 […] › Aparatos especialmente adaptados para el manejo de dispositivos semiconductores o eléctricos de estado sólido durante su fabricación o tratamiento; Aparatos especialmente adaptados para el manejo de obleas durante la fabricación o tratamiento de dispositivos o componentes semiconductores o eléctricos de estado sólido.

PDF original: ES-2590130_T3.pdf

 

Patentes similares o relacionadas:

Procedimiento y dispositivo para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable, del 1 de Julio de 2020, de ERS ELECTRONIC GMBH: Procedimiento para la realización del test de obleas de semiconductor por medio de un dispositivo de fijación atemperable con las etapas: atemperado del dispositivo […]

Conjunto de sensores con zona(s) antidifusión para prolongar el periodo de caducidad, del 5 de Noviembre de 2019, de SIEMENS HEALTHCARE DIAGNOSTICS INC.: Un conjunto de sensores que comprende: un primer sustrato plano , teniendo el primer sustrato plano una primera superficie plana del primer […]

Procedimiento para fabricar piezas con superficie grabada por iones, del 8 de Marzo de 2019, de Oerlikon Surface Solutions AG, Pfäffikon: Un procedimiento para fabricar piezas, estando al menos una parte de la superficie de dichas piezas grabada, incluyendo el grabado por impacto de iones, que comprende: […]

Método mejorado para el grabado de microestructuras, del 3 de Octubre de 2018, de Memsstar Limited: Método para grabar una o más microestructuras ubicadas dentro de una cámara de proceso , comprendiendo el método las etapas siguientes: […]

MÉTODO Y SISTEMA PARA PRODUCIR GRAFENO SOBRE UN SUBSTRATO DE COBRE POR DEPOSICIÓN DE VAPORES QUÍMICOS (AP-CVD) MODIFICADO, del 25 de Enero de 2018, de UNIVERSIDAD TÉCNICA FEDERICO SANTA MARÍA: Un método y sistema para producir grafeno sobre un substrato de cobre por deposición de vapores químicos (AP-CVD) modificado; que, comprende: […]

Matrices de micropartículas y procedimientos de preparación de las mismas, del 19 de Julio de 2017, de BIOARRAY SOLUTIONS LTD: Un biochip, que comprende: un sustrato de oblea de semiconductor (L1) que tiene al menos una matriz de perlas dentro de regiones de chip delineadas […]

Fotodiodo PIN de alta velocidad con respuesta incrementada, del 30 de Noviembre de 2016, de PICOMETRIX, LLC: Un fotodiodo PIN que comprende: una primera capa semiconductora tipo p; una capa semiconductora tipo n; una segunda capa semiconductora […]

Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos, del 12 de Octubre de 2016, de H.E.F: Instalación para el tratamiento en vacío de sustratos (S) compuesta de varios módulos, caracterizada por el hecho de que: - los diferentes […]

Utilizamos cookies para mejorar nuestros servicios y mostrarle publicidad relevante. Si continua navegando, consideramos que acepta su uso. Puede obtener más información aquí. .